英飛凌率先開發(fā)全球首項300 mm氮化鎵功率半導體技術，推動行業(yè)變革

?憑借這一突破性的 300 mm GaN技術，英飛凌將推動GaN市場快速增長

?利用現(xiàn)有的大規(guī)模300 mm硅制造設施，英飛凌將最大化GaN生產的資本效率

?300 mm GaN的成本將逐漸與硅的成本持平

【2024年9月11日，德國慕尼黑和奧地利菲拉赫訊】英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）今天宣布，已成功開發(fā)出全球首項300 mm氮化鎵（GaN）功率半導體晶圓技術。英飛凌是全球首家在現(xiàn)有且可擴展的大規(guī)模生產環(huán)境中掌握這一突破性技術的企業(yè)。這項突破將極大地推動GaN功率半導體市場的發(fā)展。相較于 200 mm晶圓，300 mm晶圓芯片生產不僅在技術上更先進，也因為晶圓直徑的擴大，每片晶圓上的芯片數(shù)量增加了 2.3 倍，效率也顯著提高。

300 mm氮化鎵（GaN）功率半導體晶圓

基于GaN的功率半導體正在工業(yè)、汽車、消費、計算和通信應用中快速普及，包括AI系統(tǒng)電源、太陽能逆變器、充電器和適配器以及電機控制系統(tǒng)等。先進的GaN制造工藝能夠提高器件性能，為終端客戶的應用帶來諸多好處，包括更高的效率、更小的尺寸、更輕的重量和更低的總成本。此外，憑借可擴展性，300 mm制造工藝在客戶供應方面具有極高的穩(wěn)定性。

英飛凌科技首席執(zhí)行官Jochen Hanebeck表示：“這項重大成功是英飛凌的創(chuàng)新實力和全球團隊努力工作的結果，進一步展現(xiàn)了我們在GaN和功率系統(tǒng)領域創(chuàng)新領導者的地位。這一技術突破將推動行業(yè)變革，使我們能夠充分挖掘GaN的潛力。在收購GaN Systems近一年后，我們再次展現(xiàn)了在快速增長的GaN市場成為領導者的決心。作為功率系統(tǒng)領域的領導者，英飛凌掌握了全部三種相關材料，即：硅、碳化硅和氮化鎵?！?

英飛凌科技首席執(zhí)行官Jochen Hanebeck

英飛凌已在其位于奧地利菲拉赫（Villach）的功率半導體晶圓廠中，利用現(xiàn)有300 mm硅生產設備的整合試產線，成功地生產出300 mm GaN晶圓。英飛凌正通過現(xiàn)有的 300 mm硅和 200 mm GaN的成熟產能發(fā)揮其優(yōu)勢，同時還將根據(jù)市場需求進一步擴大GaN產能。憑借300 mm GaN制程技術，英飛凌將推動GaN市場的不斷增長。據(jù)估計，到2030年末，GaN市場規(guī)模將達到數(shù)十億美元。

英飛凌位于奧地利菲拉赫（Villach）的功率半導體晶圓廠

這一開創(chuàng)性的技術成就彰顯了英飛凌在全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)半導體領域的領導者地位。英飛凌正通過布局300 mm GaN技術，打造更具成本效益價值、能夠滿足客戶系統(tǒng)全方位需求的產品，以加強現(xiàn)有解決方案并使新的解決方案和應用領域成為可能。2024年11月，英飛凌將在慕尼黑電子展（electronica）上向公眾展示首批300 mm GaN晶圓。

由于GaN和硅的制造工藝十分相似，因此300 mm GaN技術的一大優(yōu)勢是可以利用現(xiàn)有的 300 mm硅制造設備。英飛凌現(xiàn)有的大批量300 mm硅生產線非常適合試產可靠的GaN技術，既加快了實現(xiàn)的速度，又能夠有效利用資本。300 mm GaN的全規(guī)模化生產將有助于實現(xiàn)GaN與硅的成本在同一RDS(on) 級別能夠接近，這意味著同級的硅和GaN產品的成本將能夠持平。

300 mm GaN是英飛凌戰(zhàn)略創(chuàng)新領導地位的又一里程碑，將助推英飛凌低碳化和數(shù)字化使命的達成。