ASML被徹底拋棄?曝長江存儲成功用國產(chǎn)設(shè)備制造出3D NAND芯片!
近日,“國產(chǎn)替代”又傳來一則好消息!
據(jù)彭博社援引TechInsights報道稱,長江存儲在面臨美國出口限制和被列入實體清單的雙重壓力下,已成功采用國產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備取代了部分美系半導(dǎo)體設(shè)備。
該報道指出,長江存儲已使用國產(chǎn)設(shè)備制造出3D NAND閃存芯片,其自研Xtacking架構(gòu)可讓3D NAND的層數(shù)堆疊到232層,即使與美光、三星、SK海力士等知名制造商相比,也具有極強的競爭優(yōu)勢!
(相關(guān)報道截圖)
盡管取得了這些進展,但彭博社和TechInsights表示,長江存儲仍面臨技術(shù)障礙,其最新的使用國產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備生產(chǎn)的3D NAND芯片比早期版本少了70層。而層數(shù)的減少,主要因為使用國產(chǎn)設(shè)備導(dǎo)致了制造過程中缺陷增多、良率降低。
對此,長江存儲回應(yīng)稱,公司正在不斷優(yōu)化產(chǎn)品性能,層數(shù)變化與設(shè)備產(chǎn)量無關(guān);隨著制造工藝、流程及經(jīng)驗的不斷成熟,會不斷增加堆疊層數(shù)。
(圖片來源:長江存儲官網(wǎng))
根據(jù)官網(wǎng)介紹,長江存儲成立于2016年7月,總部位于“江城”武漢,是一家集芯片設(shè)計、生產(chǎn)制造、封裝測試及系統(tǒng)解決方案產(chǎn)品于一體的存儲器IDM企業(yè),主要為全球合作伙伴提供3D NAND閃存晶圓及顆粒、嵌入式存儲芯片以及消費級、企業(yè)級固態(tài)硬盤等產(chǎn)品和解決方案,其業(yè)務(wù)范圍覆蓋移動通信、消費數(shù)碼、計算機、服務(wù)器及數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域。
● 2017年10月,長江存儲通過自主研發(fā)和國際合作相結(jié)合的方式,成功設(shè)計制造了中國首款3D NAND閃存;
● 2019年9月,搭載長江存儲自主創(chuàng)新Xtacking® 架構(gòu)的第二代TLC 3D NAND閃存正式量產(chǎn);
● 2020年4月,長江存儲宣布第三代TLC/QLC兩款產(chǎn)品研發(fā)成功,其中X2-6070型號作為首款第三代QLC閃存,擁有發(fā)布之時業(yè)界最高的I/O速度,最高的存儲密度和最高的單顆容量;
● 2022年10月,美國限制先進半導(dǎo)體設(shè)備對華出口,隨后將中國3D NAND Flash制造商長江存儲列入實體清單。
被制裁的兩年里,長江存儲仍在穩(wěn)步發(fā)展。此前,長江存儲一直依賴ASML、泛林集團等外國供應(yīng)商提供的關(guān)鍵工具和設(shè)備。但現(xiàn)如今,中國國產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備供應(yīng)商越來越多地承擔(dān)了生產(chǎn)流程的大部分,而長江存儲也已轉(zhuǎn)向國內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備供應(yīng)商了,通過使用中微半導(dǎo)體設(shè)備公司的蝕刻設(shè)備、北方華創(chuàng)的沉積與蝕刻設(shè)備、拓荊科技的沉積設(shè)備等,已成功用國產(chǎn)設(shè)備制造出3D NAND閃存芯片。
由此可以看出,美方芯片限制根本不能阻撓我國芯片前進的腳步,反而會刺激我們加速突破的步伐,實現(xiàn)更多的“國產(chǎn)替代”。對此,不少外媒也評價道,“美方芯片限制基本落空了”。