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在這篇文章中,小編將為大家?guī)?a href="/tags/負(fù)載開關(guān)" target="_blank">負(fù)載開關(guān)的相關(guān)報(bào)道。如果你對(duì)本文即將要講解的內(nèi)容存在一定興趣,不妨繼續(xù)往下閱讀哦。

一、負(fù)載開關(guān)

負(fù)載開關(guān)是一種電器開關(guān),主要用于控制電路中的負(fù)載(電器或燈泡等)。它的作用是能夠方便地控制和切換電路中的負(fù)載,從而實(shí)現(xiàn)電路開關(guān)和負(fù)載控制的目的。它通常應(yīng)用在工業(yè)自動(dòng)化控制系統(tǒng)和家庭電器等領(lǐng)域。負(fù)載開關(guān)與普通的電器開關(guān)不同,它具有更強(qiáng)的能力和功能,比如能夠承受更高的負(fù)載和電壓,同時(shí)還可以實(shí)現(xiàn)智能化控制和程序化操作。

負(fù)載開關(guān)一般具有以下作用:

1.保護(hù)電路:當(dāng)電路中出現(xiàn)故障或超過負(fù)載能力時(shí),負(fù)載開關(guān)能夠及時(shí)切斷電路,以保護(hù)設(shè)備和人員的安全。

2.控制負(fù)載:負(fù)載開關(guān)可以控制電路中的負(fù)載,從而實(shí)現(xiàn)負(fù)載的開關(guān)、調(diào)整和控制。

3.節(jié)能降耗:負(fù)載開關(guān)可以在不使用電器的情況下,及時(shí)切斷電源,從而節(jié)約能源和電費(fèi)。

4.增加電路可靠性:使用負(fù)載開關(guān)可以提高電路的穩(wěn)定性和可靠性,短時(shí)間內(nèi)斷開故障所在電路,把故障所在電路與整個(gè)系統(tǒng)隔離開來,從而防止故障擴(kuò)散,保持整個(gè)電機(jī)設(shè)備運(yùn)轉(zhuǎn)的安全。

二、PMOS分立式負(fù)載開關(guān)

1、負(fù)載開關(guān)的類型

PMOS也能實(shí)現(xiàn)分立式負(fù)載開關(guān)?看大佬是怎么解讀的

圖:NMOS和PMOS寄生模型

在深入研究關(guān)鍵參數(shù)之前,我們先來看看不同類型的負(fù)載開關(guān)。高壓側(cè)負(fù)載開關(guān)將負(fù)載與電源連接或斷開,由外部啟用信號(hào)控制開關(guān)將高壓側(cè)電源電流切換到負(fù)載。而低壓側(cè)開關(guān)將負(fù)載與地連接或斷開,從而從負(fù)載吸收電流。

負(fù)載開關(guān)可以容易地用MOSFET實(shí)現(xiàn),MOSFET將電流從電源傳遞到負(fù)載,并通過控制信號(hào)接通或斷開。將控制信號(hào)提供給MOSFET的柵極驅(qū)動(dòng)電路以接通或斷開MOSFET。

2、P溝道高側(cè)負(fù)載開關(guān)

使用P溝道MOSFET,通過將輸入電壓連接到MOSFET源極,將負(fù)載連接到MOSFET漏極,可以實(shí)現(xiàn)高側(cè)負(fù)載開關(guān),見下圖, 將柵極拉低將使電流流入負(fù)載Rload。

PMOS也能實(shí)現(xiàn)分立式負(fù)載開關(guān)?看大佬是怎么解讀的

圖:增強(qiáng)型P-ch MOS高邊負(fù)載開關(guān)

3、P溝道低側(cè)負(fù)載開關(guān)

如果使用PMOS設(shè)計(jì)低邊開關(guān),那么導(dǎo)通時(shí)S極就幾乎是GND電平,在需要PMOS關(guān)斷的狀態(tài)下,G極電位可以是0電平甚至是正電平,但是需要PMOS導(dǎo)通時(shí),G極電位就必須是負(fù)電平,這樣的設(shè)計(jì)更加復(fù)雜,所以不會(huì)使用PMOS做低邊開關(guān)。

4、關(guān)鍵參數(shù)

負(fù)載開關(guān)的關(guān)鍵參數(shù)是連接電壓輸入和電壓輸出引腳之間的MOSFET的導(dǎo)通電阻RDSon、MOS承受的最大電流IDmax以及電路能夠承受的最大電壓VDSmax。導(dǎo)通電阻越低,MOS管的功耗越低,從輸入到輸出的電壓降越低。

雖然RDSon、IDmax和VDSmax是MOSFET的參數(shù),但負(fù)載開關(guān)的最大壓降和最大功耗可以通過以下公式計(jì)算,給定電流I:

現(xiàn)在的MOSFET通常具有幾十mΩ的導(dǎo)通電阻值,因此如果負(fù)載開關(guān)具有50mΩ的接通電阻并控制200mA的負(fù)載,MOSFET在接通時(shí)僅消耗2mW,并且具有10mV的輸入到輸出電壓降。即使峰值電流為1A,也只會(huì)導(dǎo)致50mV的電壓降和50mW的峰值功耗。

由于負(fù)載開關(guān)電路在電源接通時(shí)是動(dòng)態(tài)的,因此設(shè)計(jì)時(shí)需要滿足低泄漏電流,即源極和漏極之間的泄漏電流應(yīng)盡可能接近零,這個(gè)參數(shù)同樣可以在datasheet中找到。

以上便是小編此次想要和大家共同分享的有關(guān)負(fù)載開關(guān)的內(nèi)容,如果你對(duì)本文內(nèi)容感到滿意,不妨持續(xù)關(guān)注我們網(wǎng)站喲。最后,十分感謝大家的閱讀,have a nice day!

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