意法半導(dǎo)體第四代碳化硅功率技術(shù)問世：為下一代電動汽車電驅(qū)逆變器量身定制

?到 2025 年，750V 和 1200V兩個電壓等級的產(chǎn)品將實現(xiàn)量產(chǎn)，將碳化硅更小、更高效的優(yōu)勢從高端電動汽車擴(kuò)展到中型和緊湊車型。

?到 2027 年，ST 計劃推出多項碳化硅技術(shù)創(chuàng)新，包括一項突破性創(chuàng)新。

2024年9月27日，中國– 服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體 (STMicroelectronics，簡稱ST;紐約證券交易所代碼:STM) 推出第四代 STPOWER 碳化硅 (SiC) MOSFET 技術(shù)。第四代技術(shù)有望在能效、功率密度和穩(wěn)健性三個方面成為新的市場標(biāo)桿。在滿足汽車和工業(yè)市場需求的同時，意法半導(dǎo)體還針對電動汽車電驅(qū)系統(tǒng)的關(guān)鍵部件逆變器特別優(yōu)化了第四代技術(shù)。公司計劃在 2027 年前推出更多先進(jìn)的 SiC 技術(shù)創(chuàng)新成果，履行創(chuàng)新承諾。

意法半導(dǎo)體模擬、功率與分立器件、MEMS 和傳感器產(chǎn)品部(APMS)總裁 Marco Cassis 表示：“意法半導(dǎo)體承諾為市場提供尖端的碳化硅技術(shù)，推動電動汽車和高能效工業(yè)的未來發(fā)展。我們將繼續(xù)在器件、先進(jìn)封裝和電源模塊方面創(chuàng)新，推進(jìn) SiC MOSFET 技術(shù)發(fā)展。結(jié)合供應(yīng)鏈垂直整合制造戰(zhàn)略，我們通過提供行業(yè)前沿的 SiC 技術(shù)、打造富有韌性的供應(yīng)鏈，以滿足客戶日益增長的需求，并為更可持續(xù)的未來做出貢獻(xiàn)?！?

作為 SiC 功率 MOSFET 的市場領(lǐng)跑者，意法半導(dǎo)體正在進(jìn)一步推進(jìn)技術(shù)創(chuàng)新，以充分利用 SiC能效和功率密度比硅基器件更高的優(yōu)點。最新一代 SiC 器件旨在改善未來電動汽車電驅(qū)逆變器平臺，進(jìn)一步釋放小型化和節(jié)能潛力。盡管電動汽車市場不斷增長，但要實現(xiàn)廣泛應(yīng)用仍面臨挑戰(zhàn)，汽車制造商正在探索推出普通消費者都能買得起的電動汽車。基于 SiC 的 800V電動汽車平臺電驅(qū)系統(tǒng)實現(xiàn)了更快的充電速度，降低了電動汽車的重量，有助于汽車制造商生產(chǎn)續(xù)航里程更長的高端車型。意法半導(dǎo)體的新 SiC MOSFET 產(chǎn)品有750V 和 1200V兩個電壓等級，能夠分別提高 400V 和 800V 電動汽車平臺電驅(qū)逆變器的能效和性能。中型和緊湊車型是兩個重要的汽車細(xì)分市場。將 SiC的技術(shù)優(yōu)勢下探到這兩個市場，有助于讓電動汽車被普羅大眾接受。除了電車外，新一代SiC技術(shù)還適用于各種大功率工業(yè)設(shè)備，包括太陽能逆變器、儲能解決方案和數(shù)據(jù)中心等日益增長的應(yīng)用，幫助其顯著提高能源效率。