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[導讀]高頻高效是開關電源及電力電子系統(tǒng)發(fā)展的趨勢,高頻工作導致功率元件開關損耗增加,因此要使用軟開關技術,保證在高頻工作狀態(tài)下,減小功率元件開關損耗,提高系統(tǒng)效率。

高頻高效是開關電源及電力電子系統(tǒng)發(fā)展的趨勢,高頻工作導致功率元件開關損耗增加,因此要使用軟開關技術,保證在高頻工作狀態(tài)下,減小功率元件開關損耗,提高系統(tǒng)效率。

功率MOSFET在開通的過程中,當VGS的驅動電壓從VTH上升到米勒平臺VGP時間段t1-t2,漏極電流ID從0增加系統(tǒng)的最大的電流,VGS和ID保持由跨導GFS所限制的傳輸特性曲線的關系,而VDS的電壓保持不變,這一個時間區(qū)域稱為di/dt,主要由柵極總電阻RG和Ciss電容所控制。其中,米勒平臺VGP的電壓由跨導GFS和負載電流所決定。

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高頻高效是開關電源及電力電子系統(tǒng)發(fā)展的趨勢,高頻工作導致功率元件開關損耗增加,因此要使用軟開關技術,保證在高頻工作狀態(tài)下,減小功率元件開關損耗,提高系統(tǒng)效率。

功率MOSFET開關損耗有2個產生因素:

1)開關過程中,穿越線性區(qū)(放大區(qū))時,電流和電壓產生交疊,形成開關損耗。其中,米勒電容導致的米勒平臺時間,在開關損耗中占主導作用。


匯總功率MOSFET零電壓軟開關ZVS的基礎

圖1 功率

開通過程

2)功率MOSFET輸出電容COSS儲存能量在開通過程中放電,產生開關損耗,高壓應用中,這部分損耗在開關損耗中占主導作用。

功率MOSFET零電壓開關ZVS是其最常用的軟開關方式,ZVS包括零電壓的開通、零電壓的關斷,下面介紹這二個過程的實現(xiàn)方式。

1、功率MOSFET零電壓的開通

功率MOSFET要想實現(xiàn)零電壓的開通,也就是其在開通前,D、S的電壓VDS必須為0,然后,柵極加上VGS驅動信號,這樣就可以實現(xiàn)其零電壓的開通。在實際的應用中,通常方法就是利用其內部寄生的反并聯(lián)寄生二極管先導通續(xù)流,將VDS電壓箝位到0,然后,柵極加VGS驅動信號,從而實現(xiàn)其零電壓的開通。


匯總功率MOSFET零電壓軟開關ZVS的基礎

圖2 功率MOSFET體二極管導通

功率MOSFET開通前,COSS電壓VDS為一定值,因此COSS電容儲存了能量。為了將VDS放電到0,而且不損耗能量,就必須用一些外部元件,將COSS電容儲存的這部分能量,抽取并轉移到外部元件中。能夠儲存能量的元件有電容和電感,因此,最直接的方法就是:通過外加電感L和COSS串聯(lián)或并聯(lián),形成諧振電路(環(huán)節(jié)),LC諧振,COSS放電、VDS諧振下降到0,其儲存能量轉換到電感中。此時,電感電流不能突變,要繼續(xù)維持其電流的方向和大小不變,這樣,功率MOSFET反并聯(lián)寄生二極管導通續(xù)流。


匯總功率MOSFET零電壓軟開關ZVS的基礎

圖3 LC諧振

功率MOSFET反并聯(lián)寄生二極管導通后,VDS電壓約為0,在其后任何時刻開通功率MOSFET,都是零電壓開通。因此,功率MOSFET零電壓開通邏輯順序是:

LC電路諧振-->COSS放電、VDS電壓下降-->VDS電壓下降到0、功率MOSFET體二極管導通箝位-->施加VGS驅動信號,MOSFET導通,電流從功率MOSFET體二極管轉移到其溝道-->電流從負向(S到D)過0后轉為正向(D到S)。

2、功率MOSFET的零電壓關斷

從字面上來理解,功率MOSFET零電壓關斷,應該就是VDS電壓為0時,去除柵極驅動信號,從而將其關斷。事實上,功率MOSFET處于導通狀態(tài),VDS電壓就幾乎為0,因此,可以認定:功率MOSFET在關斷瞬間,本身就是一個自然的零電壓關斷的過程。

然而,功率MOSFET關斷過程中,VDS電壓從0開始上升,ID電流從最大值開始下降,在這個過程中,形成VDS和ID電流的交疊區(qū),產生關斷損耗。為了減小VDS和ID交疊區(qū)的損耗,最直接辦法就是增加VDS上升的時間,也就是在D、S并聯(lián)外加電容,降低VDS上升的斜率,VDS和ID交疊區(qū)的面積減小,從而降低關斷損耗,如圖5所示。VDS2為外部D、S并聯(lián)電容的波形,VDS2上升斜率小,和ID電流的交疊區(qū)的面積也變小。


匯總功率MOSFET零電壓軟開關ZVS的基礎

圖4 不同COSS電容的VDS波形

早期的全橋移相電路、LLC電路以及非對稱半橋電路中,通常在上、下橋臂的功率MOSFET的D、S都會外部并聯(lián)電容,就是這個原因。

功率MOSFET的D、S外部并聯(lián)電容,可以降低其關斷過程中VDS和ID交疊產生的關斷損耗,但是,額外的外部電容,需要的更大變壓器或電感電流,來抽取這些電容儲存能量。這樣,在變壓器或電感繞組和諧振回路中,產生更大直流環(huán)流,回路導通電阻就會產生更大的直流導通損耗;此外,外部并聯(lián)電容還會影響死區(qū)時間的大小,所以,要在二者之間做折衷和優(yōu)化處理。

從上面分析可以得知:功率MOSFET的ZVS零電壓軟開關工作,重點在于要如何實現(xiàn)其零電壓的開通,而不是零電壓的關斷。

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