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[導讀]在導通特性方面,IGBT的導通損耗由器件導通時的壓降造成,其參數(shù)為Vce(sat),隨溫度變化較小。而SiC MOSFET的導通特性表現(xiàn)得更像一個電阻輸出特性,具有更小的導通損耗,特別是在電流較小的情況下?2。

?IGBT與Si MOSFET相比,主要區(qū)別在于它們的物理結構和性能特點。? IGBT結合了MOSFET和雙極晶體管的優(yōu)點,具有高輸入阻抗和高開關速度(雖然比MOSFET慢,但比雙極晶體管快),即使在高壓條件下也能實現(xiàn)低導通電阻。而Si MOSFET由于柵極隔離,具有高輸入阻抗和快速開關的特點,但在高壓下的導通電阻較高?1。

在導通特性方面,IGBT的導通損耗由器件導通時的壓降造成,其參數(shù)為Vce(sat),隨溫度變化較小。而SiC MOSFET的導通特性表現(xiàn)得更像一個電阻輸出特性,具有更小的導通損耗,特別是在電流較小的情況下?2。

在開關特性方面,Si MOSFET的開關速度比IGBT更快,因為它屬于電壓控制器件,柵極電容較小,能夠更快地從導通狀態(tài)和關斷狀態(tài)轉(zhuǎn)換。IGBT由于內(nèi)部存在雙極晶體管結構,在開關過程中需要克服內(nèi)部晶體管基極區(qū)存儲的電荷,導致開關速度較慢?23。

在應用場景方面,IGBT適用于高電壓應用,因為它在高電壓條件下能實現(xiàn)低導通電阻。而Si MOSFET適用于低電壓應用,因其具有快速開關的特點。此外,SiC MOSFET由于其高工作頻率和低導通阻抗,適用于高頻和高效率的應用場景,如新能源汽車的牽引逆變器?

IGBT

與 Si MOSFET 相比,IGBT 在同等材料厚度下可提供更高的阻斷電壓,因此非常適合高壓應用。IGBT 開關是 DC/AC 逆變器和圖騰柱 PFC 慢橋臂的理想選擇。


IGBT如何改善寄生電容,適合高頻操作

圖1:場截止 VII 的導通損耗(VCE=600V 時)

場截止 VII、IGBT、1200V

全新 1200 V 溝槽場截止 VII IGBT 系列

快速開關型,適合高開關頻率應用

改善了寄生電容,適合高頻操作

優(yōu)化了二極管,實現(xiàn)低 VF 和軟度

IGBT FGY4L140T120SWD

FS7 系列 1200V、140A IGBT

TO247-4 封裝具有較低的 Eon,可支持更高的開關頻率和功率

高壓超級結 (SJ) MOSFET

硅高壓技術

成本更低,在功率要求較低的應用中可替代 SiC

可在各種高壓應用(升壓 PFC、DC-DC 轉(zhuǎn)換和 DC-AC 級)中用作開關,在較高功率下?lián)p耗較大

安森美 SUPERFET V (600V) 和 SUPERFET III (650V) 系列的 FAST 版本非常適合快速切換應用

提供多種封裝

MOSFET NTHL041N60S5H

單 N 溝道,SUPERFET V,600V,57A,41mΩ

TO-247 封裝

PD 高達 329W

Rg @1MHz 0.6Ω

MOSFET dV/dt 120 V/ns


IGBT如何改善寄生電容,適合高頻操作

圖2:TO247-3 和 TO247-4 封裝的場截止 VII 開關損耗比較


IGBT如何改善寄生電容,適合高頻操作

圖3:NTHL041N605SH 與競爭產(chǎn)品的總開關損耗比較

為功率開關搭配柵極驅(qū)動器

功率 MOSFET 是一種電壓控制器件,用作開關元件。為了操作 MOSFET,通常須將一個電壓施加于柵極(相對于器件的源極或發(fā)射極)。使用專用驅(qū)動器向功率器件的柵極施加電壓并提供驅(qū)動電流。

之所以需要使用柵極驅(qū)動器,是因為控制電路在低電壓下工作,無法提供足夠的功率來快速安全地為 MOSFET 柵極充電。圖 9 顯示了控制各類開關所需的電壓水平。柵極驅(qū)動器用于導通和關斷功率器件。


IGBT如何改善寄生電容,適合高頻操作

圖4:MOSFET 和 IGBT 的驅(qū)動

在圖4中,可以看到 SiC MOSFET 驅(qū)動的一個有趣特性:負柵極偏壓電源。為柵極提供負電壓有兩個重要原因。

如果關斷 MOSFET,在關斷序列結束時,VGS(柵源電壓)通常為 0V,可能會出現(xiàn)過度振鈴。這是由非常高的 dV/dt 引起的,并且會因寄生電容而加劇,產(chǎn)生感應沖擊。這種感應沖擊可能會在 MOSFET 應該已經(jīng)關斷的時候造成其意外導通,導致半橋內(nèi)電路短路并損壞 MOSFET。如果將 VGS 降低至負電壓,則會產(chǎn)生額外的裕量,發(fā)生感應沖擊的可能性就會減小。

此外,將關斷電壓降低至 0V 以下可以減少開關損耗。如圖 10 所示,當驅(qū)動安森美的第二代“M3S”系列 SiC MOSFET 時,開關損耗可減少多達 100uJ,從而使 EOFF 損耗減少 25%。更多信息可參閱 安森美 EliteSiC 第二代 1200V SiC MOSFET M3S 系列應用手冊。


IGBT如何改善寄生電容,適合高頻操作

圖 5:負柵極偏壓與開關損耗的關系

SiC 柵極驅(qū)動器產(chǎn)品組合如表3 所示,列出了產(chǎn)品的最大工作電壓、拉/灌電流和通道數(shù)。隔離式 IGBT 柵極驅(qū)動器產(chǎn)品組合及其特性、額定電壓和拉/灌電流如表4所示。

表3:安森美 SiC 柵極驅(qū)動器產(chǎn)品組合


IGBT如何改善寄生電容,適合高頻操作

表4:安森美 IGBT 柵極驅(qū)動器產(chǎn)品組合


IGBT如何改善寄生電容,適合高頻操作

柵極驅(qū)動器 NCD57080

隔離式高電流柵極驅(qū)動器

高電流峰值輸出 (6.5 A/6.5 A)

欠壓鎖定,有源米勒箝位

3.75 kV 電氣隔離,CMTI≥100 V/ns

傳播延遲典型值 60 ns

單通道

SOIC-8 封裝

4.5 A/9 A 峰值拉/灌電流

30V 輸出擺幅

36 ns 傳播延遲,延遲匹配最大值 5 ns

3.75 kV 電氣隔離,CMTI≥200 V/ns

單通道

集成負偏壓產(chǎn)生功能 - 簡化驅(qū)動并節(jié)省系統(tǒng)成本

SOIC-8 封裝

通常采用穩(wěn)壓器和 LDO 來提供穩(wěn)定的低電壓。在要求電路簡單、低成本和低工作電流的設計中,LDO 是首選。雖然開關模式穩(wěn)壓器能提高效率、降低功耗,但在大多數(shù)情況下,其設計更為復雜,而且更昂貴。

NCP730 是一款 CMOS LDO 穩(wěn)壓器,具有超低靜態(tài)電流(典型值 1 μA)、快速瞬態(tài)響應和寬輸入范圍 (2.7 V – 38 V)。提供固定和可調(diào)電壓兩種版本。


IGBT如何改善寄生電容,適合高頻操作

對于 UPS 及任何其他電源應用,確保低壓系統(tǒng)安全運行非常重要。在具有裸露連接器的系統(tǒng)中,包括對工業(yè) UPS 至關重要的 CAN 總線接口,可能會發(fā)生 ESD。在安裝和維護期間,此類接口可能會暴露出來。這些模塊上可能會積聚過多的電荷,當將電纜連接到帶 CAN 收發(fā)器的控制模塊時,過多的電荷可能會從電纜流入模塊,然后流入 CAN 收發(fā)器,最大放電電壓可達 30 kV,可能會損壞系統(tǒng)。穩(wěn)健的系統(tǒng)級保護是安森美產(chǎn)品具有的突出特性之一。

NUP2105L 旨在保護高速和容錯網(wǎng)絡中的 CAN 收發(fā)器,使其免受 ESD 和其他有害瞬態(tài)電壓事件的影響。它為系統(tǒng)設計人員提供了一種低成本選擇,可提高系統(tǒng)可靠性并滿足嚴格的 EMI 要求,包括 IEC 61000-4-2、4 級、30 kV。


IGBT如何改善寄生電容,適合高頻操作
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