在這篇文章中，小編將為大家?guī)?a href="/tags/場效應管" target="_blank">場效應管的相關(guān)報道。如果你對本文即將要講解的內(nèi)容存在一定興趣，不妨繼續(xù)往下閱讀哦。
一、用指針式萬用表對場效應管進行判別
（1）用測電阻法判別結(jié)型場效應管的電極根據(jù)場效應管的PN結(jié)正、反向電阻值不一樣的現(xiàn)象，可以判別出結(jié)型場效應管的三個電極。具體方法：將萬用表撥在R×1k檔上，任選兩個電極，分別測出其正、反向電阻值。當某兩個電極的正、反向電阻值相等，且為幾千歐姆時，則該兩個電極分別是漏極D和源極S。因為對結(jié)型場效應管而言，漏極和源極可互換，剩下的電極肯定是柵極Ｇ。也可以將萬用表的黑表筆（紅表筆也行）任意接觸一個電極，另一只表筆依次去接觸其余的兩個電極，測其電阻值。當出現(xiàn)兩次測得的電阻值近似相等時，則黑表筆所接觸的電極為柵極，其余兩電極分別為漏極和源極。若兩次測出的電阻值均很大，說明是ＰＮ結(jié)的反向，即都是反向電阻，可以判定是Ｎ溝道場效應管，且黑表筆接的是柵極；若兩次測出的電阻值均很小，說明是正向ＰＮ結(jié)，即是正向電阻，判定為Ｐ溝道場效應管，黑表筆接的也是柵極。若不出現(xiàn)上述情況，可以調(diào)換黑、紅表筆按上述方法進行測試，直到判別出柵極為止。
（2）用測電阻法判別場效應管的好壞
測電阻法是用萬用表測量場效應管的源極與漏極、柵極與源極、柵極與漏極、柵極Ｇ1與柵極Ｇ2之間的電阻值同場效應管手冊標明的電阻值是否相符去判別管的好壞。具體方法：首先將萬用表置于Ｒ×１０或Ｒ×100檔，測量源極Ｓ與漏極Ｄ之間的電阻，通常在幾十歐到幾千歐范圍（在手冊中可知，各種不同型號的管，其電阻值是各不相同的），如果測得阻值大于正常值，可能是由于內(nèi)部接觸不良；如果測得阻值是無窮大，可能是內(nèi)部斷極。然后把萬用表置于Ｒ×１０ｋ檔，再測柵極Ｇ1與Ｇ2之間、柵極與源極、柵極與漏極之間的電阻值，當測得其各項電阻值均為無窮大，則說明管是正常的；若測得上述各阻值太小或為通路，則說明管是壞的。要注意，若兩個柵極在管內(nèi)斷極，可用元件代換法進行檢測。
二、場效應管防反保護解析
直流供電產(chǎn)品在系統(tǒng)高可靠性要求下防反接保護是重要保護之一，二極管的單向?qū)ㄌ匦允苟O管作為了應用首選，通常選用快恢復二極管，電流稍大的可選壓降較小的肖特基二極管，達到相同電流級的肖特基二極管成本相對偏高。快恢復二極管壓降約0.7V，肖特基二極管管壓降約為0.3V，以10A電流為例快恢復二極管消耗功率為7W，肖特基二極管消耗功率為3W，通常就需要考慮散熱問題，如果在5V電壓供電系統(tǒng)中壓降的產(chǎn)生會使系統(tǒng)的效率分別降低14%和6%。
為解決此問題MOS管型防反接保護電路被工程技術(shù)人員開發(fā)利用，利用MOS管的開關(guān)特性，控制電路的導通和斷開來設(shè)計防反接保護電路，由于功率MOS管的內(nèi)阻很小，通常可達到毫歐級別，解決了現(xiàn)有采用二極管電源防反接方案存在的壓降和功耗過大的問題。還以10A電流為例，MOS管內(nèi)阻選10mQ，器件的管壓降為0.1V，消耗功率為1W。如果內(nèi)阻更小管壓降及消耗的功率也變得更小，在低壓大電流系統(tǒng)中MOS管型防反接具有絕對的優(yōu)勢保護用場效應管為PMOS場效應管或NMOS場效應管。
NMOS場效應管防反保護如下圖所示:
NMOS場效應管通過D管腳和S管腳串接于電源和負載之間，電阻R1、R2為MOS管提供電壓偏置，VR1用于限制VGS間電壓，防止被擊穿。正接時候，R1、R2提供VGS電壓，MOS飽和導通。反接的時候MOS不能導通，所以起到防反接作用，利用MOS管的開關(guān)特性控制電路的導通和斷開，從而防止電源反接給負載帶來損壞。
PMOS場效應管防反保護如下圖所示：
PMOS場效應管通過D管腳和S管腳串接于電源和負載之間，電阻R1、R2為MOS管提供電壓偏置，VR1用于限制VSG間電壓，防止被擊穿。正接時候，R1、R2提供VSG電壓，MOS飽和導通。反接的時候MOS不能導通，所以起到防反接作用，利用MOS管的開關(guān)特性控制電路的導通和斷開，從而防止電源反接給負載帶來損壞。
由于場效應管的加工工藝導致NMOS管的導通電阻比PMOS的小，所以最好選用NMOS。
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