如何實現(xiàn)內(nèi)存超頻?內(nèi)存超頻對內(nèi)存是否會造成損壞?
內(nèi)存是絕大多數(shù)電子設(shè)備中不可或缺的部件,比如在我們常用的手機、筆記本中都有內(nèi)存的概念。為增進大家對內(nèi)存的認識,本文將對實現(xiàn)內(nèi)存超頻的方法予以介紹,并討論內(nèi)存超頻是否會對內(nèi)存造成損壞。如果你對內(nèi)存具有興趣,不妨繼續(xù)往下閱讀哦。
一、如何實現(xiàn)內(nèi)存超頻
當(dāng)我們的電腦反應(yīng)慢或是出現(xiàn)藍屏等等一系列現(xiàn)象時,我們可以選擇將內(nèi)存超頻電壓,這會緩解電腦出現(xiàn)的問題??赡苡行┯脩粝胫纼?nèi)存超頻電壓會不會損壞我們的內(nèi)存,CPU會不會因為超頻而燒掉,以及什么型號的顯卡適合超頻電壓等等一系列問題。來為您解決這一系列問題,教您如何實現(xiàn)內(nèi)存超頻電壓。
內(nèi)存超頻的實現(xiàn)方法有兩種:一是內(nèi)存同步,即調(diào)整CPU外頻并使內(nèi)存與之同頻工作;二是內(nèi)存異步,即內(nèi)存工作頻率高出CPU外頻。
1.首先我們說說內(nèi)存同步超頻,我們知道,在一般情況下,CPU外頻與內(nèi)存外頻是一致的,所以在提升CPU外頻進行超頻時,也必須相應(yīng)提升內(nèi)存外頻使之與CPU同頻工作,比如我們擁有一個平臺,CPU為Athlon XP 1800+、KT600主板、DDR266內(nèi)存。Athlon XP 1800+默認外頻為133MHz、默認倍頻為11.5,主頻為1.53G,由于Athlon XP 1800+倍頻被鎖定了,只能通過提升外頻的方法超頻,假如將Athlon XP 1800+外頻提升到166MHz,此時CPU主頻為166MHz×11.5≈1.9GHz。
由于我們將CPU外頻提高到了166MHz,假如你使用的是DDR333以上規(guī)格內(nèi)存,那么將內(nèi)存頻率設(shè)置為166MHz屬于標(biāo)準(zhǔn)頻率下工作,但這里使用的是DDR266內(nèi)存,為了滿足CPU超頻需求,內(nèi)存也必須由原來的DDR266(133MHz)超頻到DDR333(166MHz)使用。具體方法是進入BIOS設(shè)置,找到“Advanced Chipset Features” 選項,然后會看到一個“DRAM Clock”選項,將鼠標(biāo) 光標(biāo) 定位到這里并回車,然后會出現(xiàn)內(nèi)存頻率設(shè)置選項,在這里我們選擇“166MHz”并回車,保存設(shè)置并退出即實現(xiàn)了內(nèi)存同步超頻。
2.內(nèi)存異步超頻 在內(nèi)存同步工作模式下,內(nèi)存的運行速度與CPU外頻相同。而內(nèi)存異步則是指兩者的工作頻率可存在一定差異。該技術(shù)可令內(nèi)存工作在高出或低于系統(tǒng)總線速度33MHz或3:4、4:5(內(nèi)存:外頻)的頻率上,這樣可以緩解超頻時經(jīng)常受限于內(nèi)存的“瓶頸”。
3.增加電壓幫助超頻 內(nèi)存頻率提升了,所以內(nèi)存功耗也隨之增加,但在默認情況下,主板BIOS中內(nèi)存電壓參數(shù)是被設(shè)置為內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)頻率的數(shù)值,通常來說,為了確保內(nèi)存超頻的穩(wěn)定性,我們需要增加內(nèi)存電壓,很多主板BIOS設(shè)置中都提供了內(nèi)存電壓調(diào)節(jié)功能,同時內(nèi)存電壓調(diào)節(jié)級別一般以0.05V或0.1V為檔次逐漸調(diào)節(jié),內(nèi)存電壓參數(shù)調(diào)節(jié)越細微,對超頻越有幫助。
調(diào)節(jié)內(nèi)存電壓的方式是進入“Advanced Chipset Features”選項,然后將鼠標(biāo)光標(biāo)定位到“Current Voltage”上,在這里我們看到,該主板內(nèi)存電壓分了好幾段,電壓調(diào)節(jié)范圍從1.60V~2.70V,每相鄰的兩項之間的差值為0.1V,我們使用鍵盤上的向上鍵增加電壓,每按一次增加0.1V電壓。需要注意的是,超頻時不要一次將內(nèi)存電壓提升太高,首先提升0.1V電壓,然后保存退出,進入WINDOWS系統(tǒng)對內(nèi)存進行性能測試,如果很穩(wěn)定,可以重新進入BIOS中再次將內(nèi)存電壓提升0.1V,依次類推,直到自己滿意為止。
二、內(nèi)存超頻會損壞內(nèi)存嗎
內(nèi)存超頻有一定幾率損壞內(nèi)存。內(nèi)存超頻涉及到修改內(nèi)存的電壓、主頻、時序等內(nèi)容,如果內(nèi)存體質(zhì)不佳且修改的范圍超過了內(nèi)存能夠承受的上限,內(nèi)存很容易因此而燒壞。即便超頻的內(nèi)存能夠點亮并且通過壓力測試,但也容易加速內(nèi)存壽命老化。以下是對內(nèi)存超頻的詳細說明:
1、內(nèi)存超頻需要CPU、主板、內(nèi)存三大硬件協(xié)同,需要根據(jù)主板標(biāo)稱頻率、極限頻率,內(nèi)存標(biāo)稱頻率、極限頻率來選擇合適的內(nèi)存超頻范圍;在超頻時需要對頻率、電壓、時序進行一些列的測試調(diào)整,優(yōu)先保證內(nèi)存頻率可用,再在這個基礎(chǔ)上不斷地擠壓內(nèi)存頻率上限。
2、由于不同品牌、不同顆粒的內(nèi)存存在體質(zhì)區(qū)別,部分內(nèi)存能夠超頻到比較高的主頻,部分則容易在超頻的過程中發(fā)生故障,因此所有的操作應(yīng)該循序漸進而不是一蹴而就。如果內(nèi)存超頻后無法點亮主機,說明內(nèi)存超頻超過的內(nèi)存、主板的上限,需要向下調(diào)整。內(nèi)存長期處于極限頻率狀態(tài)會加速內(nèi)存老化,造成不可逆的影響。
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