2024年11月12日 英國劍橋- 無晶圓廠環(huán)保科技半導體公司 Cambridge GaN Devices (CGD) 開發(fā)了一系列高能效氮化鎵(GaN)功率器件，致力于打造更環(huán)保的電子器件。CGD今日與全球領先的連接和電源解決方案提供商Qorvo® (納斯達克股票代碼: QRVO)合作推出 PAC5556A+ICeGaN®評估套件(EVK)，將行業(yè)領先的電機控制和能效技術整合在一起。該EVK具有Qorvo的高性能無刷直流(BLDC)/永磁同步(PMSM)電機控制器/驅動器和CGD易于使用的ICeGaN IC性能，顯著改善了電機控制應用。
andrea BricConi | CGD首席營銷官
“通過將我們兩家技術強大的公司的行業(yè)領先解決方案結合到這款EVK中，我們能夠開發(fā)出緊湊、節(jié)能、高功率密度的系統(tǒng)。與其他GaN器件不同，ICeGaN技術可以輕松地與Qorvo的PAC5556A電機控制IC實現(xiàn)無縫對接，在BLDC和PMSM應用中提高性能?！?
JEff Strang | Qorvo功率管理事業(yè)部總經(jīng)理
“氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)等寬禁帶半導體因憑借其更高的功率密度和效率優(yōu)勢而被積極用于各種電機控制應用中。CGD的 ICeGaN 產(chǎn)品提供了易用性和可靠性，這些是電機控制和驅動設計師關心的兩個關鍵因素。當我們的客戶在體驗到CGD的ICeGaN與我們高度集成的PAC5556A 600V BLDC電機控制解決方案相結合的功率時，他們反應相當熱烈。”
通過采用CGD最新一代P2 IC，配備240 m? ICeGaN的PAC5556AEVK2評估套件在沒有散熱器的情況下實現(xiàn)了高達400W的峰值性能，而配備55 m? ICeGaN的PAC 5556AEVK3在最小氣流冷卻的情況下達到了800W的峰值。ICeGaN的效率實現(xiàn)了降低功耗和提高了電源可用性，并最大限度地降低了溫度，從而實現(xiàn)了更小、更可靠的系統(tǒng)。由于ICeGaN集成了基本的電流感測和米勒箝位元件，因此簡化了柵極驅動器設計，降低了BOM成本。這使得該解決方案易于實施、價格具有競爭力、性能也更高。
PAC5556A+CGD GaN EVK在低速時提供更高的扭矩和精確的控制，使其成為白色家電、吊扇、冰箱、壓縮機和泵的理想選擇。其目標市場包括工業(yè)和家庭自動化，特別是在需要緊湊、高效電機控制系統(tǒng)的應用中。PAC5556AEVK2和PAC5556AAVK3可在Qorvo官網(wǎng)采購。CGD將在慕尼黑電子展的展臺展出以上產(chǎn)品，展位號為C3-539。
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