2025存儲前瞻：用存儲加速AI，高性能SSD普適化

縱觀2024年，存儲技術(shù)升級已經(jīng)給AI計(jì)算、云端應(yīng)用帶來了諸多便利，從年初鎧俠首款量產(chǎn)車規(guī)級UFS 4.0推動行業(yè)發(fā)展，到RM、PM和XG系列SSD與HPE攜手登陸國際空間站，再到推出容量高達(dá)2Tb的第八代BiCS FLASH? QLC，展示下一代前瞻性的光學(xué)結(jié)構(gòu)SSD，鎧俠與合作伙伴一起，不僅滿足了時(shí)下的存儲應(yīng)用需求，并已經(jīng)為未來存儲鋪墊全新的技術(shù)可行性。

更大容量的存儲

AI計(jì)算對企業(yè)級存儲提出了更為嚴(yán)苛的要求，Tera級別參數(shù)的大模型可以輕松裝滿一塊30TB的企業(yè)級固態(tài)硬盤，更大容量的存儲解決方案勢在必行。在年初，鎧俠正式發(fā)布第八代BiCS FLASH?，并應(yīng)對市場要求，提供TLC和QLC兩個(gè)系列產(chǎn)品線。

其中QLC能夠更好的在單位空間內(nèi)提升存儲容量，第八代BiCS FLASH? 2Tb QLC的位密度比鎧俠目前所采用的第五代BiCS FLASH?的QLC產(chǎn)品提高了約2.3倍，寫入能效比提高了約70%。不僅如此，全新的QLC產(chǎn)品架構(gòu)可在單個(gè)存儲器封裝中堆疊16個(gè)芯片，為業(yè)界提供領(lǐng)先的4TB容量，并采用更為緊湊的封裝設(shè)計(jì)，尺寸僅為11.5 x 13.5 mm，高度為1.5 mm。

這意味著，未來采用第八代BiCS FLASH QLC的存儲產(chǎn)品在存儲空間擁有質(zhì)的飛躍，可以輕松將企業(yè)級SSD和數(shù)據(jù)中心級SSD容量提升至120TB以上。Pure Storage公司已經(jīng)開始對第八代BiCS FLASH? 2Tb QLC閃存產(chǎn)品展開測試，并認(rèn)為利用BiCS FLASH?技術(shù)的統(tǒng)一全閃存數(shù)據(jù)存儲平臺不僅能夠滿足人工智能的嚴(yán)苛要求，還能實(shí)現(xiàn)極具競爭力的備份存儲成本。

另外，第八代BiCS FLASH?全面優(yōu)化了邏輯電路，在存儲密度提升50%以上的同時(shí)，NAND I/O速度提升可達(dá)60%以上，可實(shí)現(xiàn)3200MT/s的傳輸速率，并大幅改善的讀取延遲，能夠從數(shù)據(jù)中心、個(gè)人電腦都提供更高的存儲容量，并允許產(chǎn)品騰出更多的空間，留給電池、個(gè)性化，以及輕薄設(shè)計(jì)。

PCIe 5.0與EDSFF加速部署

PCIe 6.0到PCIe 7.0規(guī)范愈發(fā)成熟，PCIe 5.0企業(yè)級存儲也進(jìn)入到了加速普及的時(shí)間點(diǎn)。在今年10月份，鎧俠正式發(fā)布了全新XD8系列PCIe® 5.0 EDSFF(企業(yè)和數(shù)據(jù)中心標(biāo)準(zhǔn)型)E1.S固態(tài)硬盤。它是鎧俠第三代E1.S固態(tài)硬盤，符合PCIe 5.0(32 GT/s x 4)和NVMe 2.0規(guī)范，并支持開放計(jì)算項(xiàng)目(OCP)數(shù)據(jù)中心NVMe SSD v2.5規(guī)范。

PCIe 5.0提供了相對PCIe 4.0翻倍的傳輸效率，其高帶寬和低延遲特性允許SSD在高負(fù)載場合下提供更多并發(fā)訪問的可能性，更高的IOPS也允許服務(wù)器在AI、數(shù)據(jù)庫、虛擬化、多媒體編輯中展現(xiàn)出至關(guān)重要的作用。

不僅如此，當(dāng)EDSFF規(guī)范與PCIe 5.0搭配更是將效率提升了一個(gè)級別，EDSFF規(guī)范在散熱上具備更高的效率，配合SSD設(shè)計(jì)可以獲得更高的存儲密度，靈活的接口形態(tài)以及對Compute Express Link? (CXL?) 的支持，給存儲解決方案提供更多靈活、快速的配置。

剛剛推出的鎧俠XD8系列已經(jīng)做好為下一代存儲提供支持的準(zhǔn)備，它專為云和超大規(guī)模環(huán)境設(shè)計(jì)，滿足數(shù)據(jù)中心對高性能、高效率和高可擴(kuò)展性的日益增長的需求。通過這款新的固態(tài)硬盤，云服務(wù)提供商和超大規(guī)模企業(yè)能夠優(yōu)化基礎(chǔ)設(shè)施，在保持運(yùn)營效率的同時(shí)提供卓越的性能。

打造未來存儲

在后5G信息和通信時(shí)代，AI已經(jīng)開始產(chǎn)生前所未有的數(shù)據(jù)量。鎧俠也在積極探討前瞻性存儲的更多可能性，比如例如基于相變存儲原理打造的XL-FLASH存儲級內(nèi)存(Storage Class Memory, SCM)與CXL相結(jié)合，開發(fā)相較DRAM功耗更低、位密度更高，相較閃存讀取速度更快的存儲器。這不僅會提高存儲器利用效率，還有助于節(jié)能。

按位密度和讀取時(shí)間劃分的存儲器類別

在車規(guī)級存儲領(lǐng)域，鎧俠已經(jīng)獲得已獲得汽車軟件過程改進(jìn)及能力評定(Automotive SPICE®，ASPICE)二級認(rèn)證(CL2)。鎧俠是首家在車規(guī)級UFS 4.0產(chǎn)品上獲得該認(rèn)證的公司，意味著鎧俠車規(guī)級UFS 4.0已經(jīng)進(jìn)入結(jié)構(gòu)化的項(xiàng)目管理和軟件開發(fā)流程，以確保產(chǎn)品質(zhì)量的一致性和可追溯性，不僅滿足汽車制造商和一級供應(yīng)商對車規(guī)級UFS 4.0設(shè)備嚴(yán)苛的軟件開發(fā)和質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)要求，也意味著在未來的高性能車規(guī)級多媒體系統(tǒng)中，將會鎧俠車規(guī)級UFS 4.0的身影。

另外，鎧俠還宣布開發(fā)出OCTRAM(OCTRAM：Oxide-Semiconductor Channel Transistor DRAM，氧化物半導(dǎo)體晶體管 DRAM)技術(shù)，這是一種新型4F2 DRAM，由兼具高導(dǎo)通電流和超低漏電流的氧化物半導(dǎo)體晶體管組成。該技術(shù)采用InGaZnO(銦鎵鋅氧化物)晶體管，可將漏電率降低到極低水平，從而降低DRAM功耗。無論是SSD獨(dú)立緩存還是內(nèi)存產(chǎn)品，都有機(jī)會通過這項(xiàng)技術(shù)獲得高性能、低功耗的產(chǎn)品表現(xiàn)。

InGaZnO晶體管的(a)導(dǎo)通和(b)漏電流特性

顯然2025年依然是充滿了技術(shù)挑戰(zhàn)和技術(shù)創(chuàng)新的一年，鎧俠與合作伙伴們已經(jīng)做好了面對新挑戰(zhàn)的準(zhǔn)備，全新的存儲技術(shù)和解決方案將會在AI加速，云端計(jì)算，虛擬化應(yīng)用，數(shù)據(jù)中心部署等商業(yè)場景中大放異彩，同時(shí)筆記本電腦、手機(jī)、XR設(shè)備也將因?yàn)榇鎯π酒男阅芴嵘统叽缈s小，擁有更多可能性，為用戶提供更好的存儲體驗(yàn)。