本文中，小編將對MOSFET予以介紹，如果你想對MOSFET的詳細情況有所認識，或者想要增進對MOSFET的了解程度，不妨請看以下內(nèi)容哦。
一、分階段解讀MOSFET工作原理
MOSFET的工作原理可以簡單地分為三個階段：
恢復階段(Charge Accumulation)：當MOSFET的柵極電壓為零時，正電荷和負電荷會均勻地分布在柵極和氧化物界面上。此時，源極和漏極之間形成一個導電通道，電流可以自由地流動。
調(diào)制階段(Depletion)：當MOSFET的柵極電壓開始增加時，會在氧化物表面形成一個電場。這個電場會使得半導體中的少數(shù)載流子向柵極靠近，從而形成一個空穴和電子的夾雜區(qū)，即MOSFET中的亞閾值區(qū)域。在這個區(qū)域中，源漏結(jié)上的電荷被控制，電流得到調(diào)制。
放大階段(Enhancement)：當MOSFET的柵極電壓進一步增加時，會吸引更多的少數(shù)載流子，使得亞閾值區(qū)域擴大，同時源漏結(jié)的電荷也被控制得更加嚴格。在這個階段中，MOSFET的導通狀態(tài)被進一步增強，電流得到更加精確的控制。
MOSFET的特點是具有高輸入電阻、低輸出電阻和高電壓控制能力。它能夠承受高電壓和高功率，因此在高頻和高速開關(guān)應(yīng)用中廣泛使用。同時，MOSFET的尺寸越小，速度越快，功耗越低，因此在集成電路和微處理器中也得到了廣泛應(yīng)用。
二、功率MOSFET等效電路分享
功率MOSFET的正向?qū)ǖ刃щ娐?/b>
（1）：等效電路
（2）：說明：
功率 MOSFET 正向?qū)〞r可用一電阻等效，該電阻與溫度有關(guān)，溫度升高，該電阻變大；它還與門極驅(qū)動電壓的大小有關(guān)，驅(qū)動電壓升高，該電阻變小。詳細的關(guān)系曲線可從制造商的手冊中獲得。
功率MOSFET的反向?qū)ǖ刃щ娐罚?） （1）：等效電路（門極不加控制）
（2）：說明：
即內(nèi)部二極管的等效電路，可用一電壓降等效，此二極管為MOSFET 的體二極管，多數(shù)情況下，因其特性很差，要避免使用。
功率MOSFET的反向?qū)ǖ刃щ娐罚?）
（1）：等效電路（門極加控制）
（2）：說明：
功率 MOSFET 在門級控制下的反向?qū)?，也可用一電阻等效，該電阻與溫度有關(guān)，溫度升高，該電阻變大；它還與門極驅(qū)動電壓的大小有關(guān)，驅(qū)動電壓升高，該電阻變小。詳細的關(guān)系曲線可從制造商的手冊中獲得。此工作狀態(tài)稱為MOSFET 的同步整流工作，是低壓大電流輸出開關(guān)電源中非常重要的一種工作狀態(tài)。
功率MOSFET的正向截止等效電路
（1）：等效電路
（2）：說明：
功率 MOSFET 正向截止時可用一電容等效，其容量與所加的正向電壓、環(huán)境溫度等有關(guān)，大小可從制造商的手冊中獲得。
以上便是小編此次帶來的有關(guān)MOSFET的全部內(nèi)容，十分感謝大家的耐心閱讀，想要了解更多相關(guān)內(nèi)容，或者更多精彩內(nèi)容，請一定關(guān)注我們網(wǎng)站哦。
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