飛兆半擴展PowerTrench MOSFET系列

提升功率密度和輕載效率是服務器、電信和AC-DC電源設計人員的主要考慮問題。此外，這些開關(guān)電源(SMPS)設計中的同步整流需要具有高性價比的電源解決方案，以便最大限度地減小線路板空間，同時提高效率和降低功耗。有鑒于此，飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor)擴展PowerTrench® MOSFET系列來幫助設計人員應對電源設計挑戰(zhàn)。

這些產(chǎn)品屬于中等電壓MOSFET產(chǎn)品系列成員，是結(jié)合低柵極電荷(QG)、低反向恢復電荷(Qrr)和軟反向恢復體二極管的優(yōu)化功率開關(guān)產(chǎn)品，可以實現(xiàn)快速開關(guān)。這些器件備有40V、60V和80V額定電壓型款，由于采用優(yōu)化的軟反向恢復體二極管，減少了緩沖器電路的功耗，與競爭解決方案相比，可將電壓尖刺減少多達15%。

這些器件采用具有電荷平衡功能的屏蔽柵極結(jié)構(gòu)，從而達到較高的功率密度、較低的振鈴和更好的輕載效率。通過使用這項技術(shù)，新器件獲得了較低的品質(zhì)因數(shù)(QG × RDS(ON))，同時降低驅(qū)動損耗來提高功率效率。

這一系列的首批器件包括采用Power56封裝的40V FDMS015N04B和80V FDMS039N08B器件，以及采用TO-220 3引腳封裝的60V FDP020N06B和80V FDP027N08B器件。

特性和優(yōu)勢

較小的封裝尺寸(Power56和TO-220 3引腳封裝)，具有最大的熱性能/系統(tǒng)尺寸比

較低的QG以降低柵極驅(qū)動損耗

低QGD/QGS比，防止不必要的誤導通，提高系統(tǒng)可靠性

低動態(tài)寄生電容，減少高頻應用的柵極驅(qū)動損耗

100% UIL測試

滿足RoHS要求

新增的PowerTrench® MOSFET器件豐富了飛兆半導體中等電壓范圍MOSFET產(chǎn)品陣容，作為齊全的PowerTrench技術(shù)產(chǎn)品系列的一部分，它能夠滿足現(xiàn)今電子產(chǎn)品的電氣和散熱性能要求，在實現(xiàn)更高能效水平方面發(fā)揮重要的作用。