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[導讀]摘要:分析了一種射頻COMS共源-共柵低噪聲放大器的設計電路,采用TSMC 90nm低功耗工藝實現(xiàn)。仿真結果表明:在5.6GHz工作頻率,電壓增益約為18.5dB;噪聲系數(shù)為1.78dB;增益1dB壓縮點為-21.72dBm;輸入參考三階交

摘要:分析了一種射頻COMS共源-共柵低噪聲放大器的設計電路,采用TSMC 90nm低功耗工藝實現(xiàn)。仿真結果表明:在5.6GHz工作頻率,電壓增益約為18.5dB;噪聲系數(shù)為1.78dB;增益1dB壓縮點為-21.72dBm;輸入參考三階交調點為-11.75dBm。在l.2V直流電壓下測得的功耗約為25mW。
關鍵詞;互補金屬氧化物半導體;低噪聲放大器;噪聲系數(shù);線性度;

0 引言
    低噪聲放大器(LNA)是射頻接收機前端的主要部分。它主要有四個特點:首先,它位于接收機的最前端,這就要求它的噪聲越小越好。為了抑制后面各級噪聲對系統(tǒng)的影響,還要求有一定的增益,但為了不使后面的混頻器過載,產生非線性失真,它的增益又不宜過大。放大器在工作頻段內應該是穩(wěn)定的。其次,它接受的信號是很微弱的,所以低噪聲放大器必定是一個小信號線性放大器。第三,低噪聲放大器一般通過傳輸線直接和天線相連,放大器的輸入端必須與其有很好的匹配,以達到最大傳輸功率或最小的噪聲系數(shù)。第四,應具有一定的選頻功能,抑制帶外和鏡像頻率干擾。
    在GHz頻率范圍內,CMOS工藝相比其他工藝有價格低、集成度高、功耗低等優(yōu)點,利用CMOS工藝來設計射頻集成電路已經得到越來越廣泛的應用,本文即采用CMOS工藝來實現(xiàn)對一種5.6GHz低噪聲放大器的設計。

1 LNA結構及性能分析
    由于帶源端負反饋電感的共源放大器具有噪聲系數(shù)低、增益高、線性度好,以及可實現(xiàn)輸入阻抗匹配等優(yōu)點,因此在無線收發(fā)機系統(tǒng)中得到廣泛應用。為了減小晶體管的Miller效應和有限輸出阻抗對放大器性能的影響,并提供良好的方向隔離性能,低噪聲放大器通常采用Cascode結構。具體電路如圖1所示。


    共柵方式連接的晶體管M2用來減少調諧輸出與調諧輸入之間的相互作用,并同時減少Ml的Cgd的影響。晶體管;M3基本上是與M1形成一個電流鏡,通過M3的電流是由電源電壓和Rref以及M3的Vgs決定的。電阻RBIAS選擇得足夠大,所以它的等效噪聲電流小到足以被忽略。為了完成偏置,必須用一個隔斷DC的電容CB來防止影響M1的柵源偏置。
    M1源級接Ls,形成源級負反饋結構,柵極接Lg,做輸入匹配使用。若忽略柵漏電容Cgd,則其輸入阻抗可以表示為:

    其中Lg、Ls為片上平面螺旋電感。為了實現(xiàn)50Ω阻抗匹配,通過調諧感抗,使其在諧振頻率ωo處諧振,上式的虛部為零,實部等于50Ω。這種匹配設計的好處在于使用等效電阻實現(xiàn)與輸入端的匹配,而無需引入實際電阻,因而減少了額外的熱噪聲。即如下式:
   
    這就是源極負反饋結構在LNA設計中普遍采用的一個原因。在設計過程中,由式(3)根據M1的參數(shù)和50Ω匹配條件設計出Ls,再由式(2)根據工作頻率點和濾波要求確定柵極電感Lg。
    文獻中給出源極電感負反饋的噪聲模型和計算噪聲的公式:
   
式中:RL、Rg分別代表柵極電感Lg的寄生電阻和M1的柵極電阻;ωT為截止頻率;γ是與工藝有關的一個噪聲參數(shù)。工藝參數(shù)X,α和反饋電感Ls的品質因數(shù)QL的表達式為
   
   
式中:c為柵-漏極噪聲的相關系數(shù);σ是另一個與工藝相關的噪聲參數(shù),且σ=2λ;gdO為M1零偏置時的跨導。
    分析式(4)可知,QL存在一個最佳值,使LNA的噪聲為最小
   

2 LNA電路設計
    設計過程中,首先根據功耗約束條件下獲得最優(yōu)噪聲的柵寬公式,計算主放大管的柵寬
   
式中,ω為角頻率,L為柵長,Cox為柵氧化層電容,源電阻Rs=50Ω,QSP為噪聲最優(yōu)匹配時輸入端的品質因數(shù),取其值為4.5,可得柵寬大約為160 μm。所設計電路工作在5.6GHz,由式(1)(2)經計算和仿真,取Ls為0.439nH,Lg為2.873nH和Ld為2.546nH。

3 仿真結果及其分析
    本文設計的LNA采用TSMC 90nm RFCMOS低功耗工藝實現(xiàn),使用MentorGraphics的Eldo仿真器對該LNA進行模擬分析。根據前面的分析和實際調試,得到優(yōu)化后放大管和共柵管的柵寬均為160 μm;
    圖2~7給出了電路的仿真結果。整個放大器電路的噪聲系數(shù)達到1.78dB;IIP3達到-11.76dB。在整個工作頻段,電路的穩(wěn)定性因子K>1,其中K為:
   
電路是穩(wěn)定的。
    各項仿真結果指標如表1所示:

4 結論
    由于存在很多折衷考慮,射頻LNA的設計很復雜。本文設計了一個應用于無線接收機射頻前端的LNA,通過對共源共柵結構的分析,從阻抗匹配、噪聲系數(shù)和線性度的角度對電路的性能進行優(yōu)化,設計出了一種5.6GHz的LNA。在90nm CMOS工藝下,利用MentorGralahics的Eldo工具軟件對電路進行了仿真,結果顯示,LNA的阻抗匹配、噪聲系數(shù)和線性度等參數(shù)都達到了良好的性能。
    本文作者的創(chuàng)新點:在分析共源共柵結構的基礎上利用先進的90nm制程工藝,計算調試出5.6GHz的LNA的電路結構,對LNA的設計具有一定的參考價值。

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