（一） 電力二極管
結構
基本特性
靜態(tài)特性 伏安特性
動態(tài)特性 零偏置、正向偏置、反向偏置三種形態(tài)轉換時，伏安特性隨時間變化。
主要參數(shù)與選型參考依據(jù)
正向平均電流 IF，其有效值為1.57IF。選擇二極管時，應按照有效值選取。
正向電壓降 UF，一般選取壓降小的二極管，以降低損耗。
反向重復峰值電壓 URRM 按2×URRM選擇電力二極管，URRM通常是不重復反向峰值電壓HRSM的2∕3。
反向平均漏電流IRR，也稱反向重復平均電流，是URRM下的平均漏電流。
反向恢復時間trr。
主要類型
普通二極管、整流二極管
快速恢復二極管trr<5us 快速外延二極管trr<50ns
肖特基二極管trr<10～40ns 用于200V以下的電路中
晶閘管及派生器件
晶閘管（SCR）又稱可控硅，在高電壓、大電流的應用場合，SCR是無可替代的器件。在大容量、低頻的電力電子裝置中仍占主導地位。性能優(yōu)良的晶閘管派生器件，如快速、雙向、逆導、門極可關斷及光控等晶閘管。
晶閘管的結構和工作原理
只有晶閘管陽極和門極同時承受正向電壓時，晶閘管才能導通，兩者缺一不可。
晶閘管一旦導通后，門極將失去控制作用，門極電壓對管子以后的導通與關斷均不起作用，故門極控制電壓只要是有一定寬度的正向脈沖電壓即可，這個脈沖稱為觸發(fā)脈沖。
要使已導通的晶閘管關斷，必須使陽極電流降低到某一個數(shù)值以下。這可通過增加負載電阻降低陽極電流，使其接近于0。另外，也可以施加反向陽極電壓來實現(xiàn)。
2 晶閘管的基本特性
（1）靜態(tài)特性 伏安特性
①晶閘管的陽極伏安特性
②門極伏安特性 門極伏安特性區(qū)的上限，分別用門極正向峰值電壓UFGM、門極正向峰值電流IFGM、門極峰值功率PGM來表征。門極觸發(fā)也有一個靈敏度問題，正向門極電壓必須大于門極觸發(fā)電壓UGT，正向門極電流必須大于門極觸發(fā)電流IGT。
晶閘管的動態(tài)特性
晶閘管的開通特性 門極開通，即在正向陽極電壓的條件下，門極施加正向觸發(fā)信號使晶閘管導通，這種開通為正常開通。
3.晶閘管的主要參數(shù)
晶閘管的電壓參數(shù)
斷態(tài)不重復峰值電壓UDSM
斷態(tài)重復峰值電壓UDRM 規(guī)定UDRM為UDSM的90%。
反向不重復峰值電壓URSM
反向重復峰值電壓URRM 規(guī)定URRM為URSM的90%。
額定電壓 UR是指斷態(tài)重復峰值電壓UDRM和反向重復峰值電壓URRM兩者中，較小的一個電壓值。選用晶閘管時，應該使其額定電壓為正常工作電壓峰值UM的2～3倍，以作為安全裕量。 UR=（2～3）UM
通態(tài)峰值電壓UTM 是指額定電流時管子導通的管壓降峰值，一般為1.5～2.5V，且隨陽極電流增加而略微增加。額定電流時的通態(tài)平均電壓降一般為1V左右。
晶閘管的電流參數(shù)
通態(tài)平均電流 IT（AV） 晶閘管的通態(tài)平均電流，定義為晶閘管的額定電流。 對于同一個有效值，不同的電流波形，它們的平均值也不同，因此選用一個晶閘管時，要根據(jù)所使用的具體電流波形來計算出允許使用的電流平均值。有效值與平均值的比，稱為波形系數(shù)，即 I=KfId≈1.57IT(AV)
維持電流IH 是指晶閘管維持導通所必須的最小電流。
擎住電流IL 擎住電路比維持電流大2～4倍。
浪涌電流ITSM 是指在規(guī)定條件下，工頻正弦半周期內允許的最大過載峰值電流。
(3)其他參數(shù)
斷態(tài)電壓臨界上升率du∕dt 為了限制du∕dt上升率，一般在晶閘管陽極與陰極之間并聯(lián)一個RC阻容緩沖電路，利用電容兩端電壓不能突跳的特點，來限制電壓的上升率。
斷態(tài)電流臨界上升率di∕dt 為了限制電路電流上升率，可在陽極主電路中串入一個小電路，用于限制di∕dt過大。
門極觸發(fā)電流IGT和門極觸發(fā)電壓UGT 為了保證變流裝置的觸發(fā)電路對同類晶閘管都能正常觸發(fā)，要求觸發(fā)電路提供的觸發(fā)電流、觸發(fā)電壓值，適當大于標準規(guī)定的IGT和UGT上限值，但不能超過門極所規(guī)定的各種參數(shù)的極限峰值。
4 晶閘管的門極驅動電路
晶閘管是可控制的器件，其正向開通完全通過提供足夠大的門極控制信號來實現(xiàn)的。
對晶閘管門極觸發(fā)脈沖的要求 常用的觸發(fā)信號波形，門極脈沖驅動電路應滿足以下要求：
觸發(fā)脈沖的形式 觸發(fā)脈沖的形式可以是交流、直流或脈沖形式，它只能在晶閘管陽極加正向電壓時起作用。
觸發(fā)脈沖應有足夠大的功率
觸發(fā)脈沖的寬度 一般應保證晶閘管陽極電流在觸發(fā)信號消失前能達到擎住電流，使晶閘管維持導通，這一脈寬是最小允許寬度，但不能持續(xù)到器件承受反電壓以后。脈沖寬度和變流裝置及主電路的形式有關。
觸發(fā)脈沖前沿幅值及其上升率 觸發(fā)脈沖前沿有足夠大幅值和上升率
觸發(fā)脈沖的移相范圍 與主電路的形式、負載性質和變流裝置的用途有關。
觸發(fā)脈沖與主電路電源電壓同步 觸發(fā)脈沖與主電路電源保持恒定關系稱為同步。
觸發(fā)脈沖輸出隔離和抗干擾 采用光電耦合器的光隔離或脈沖變壓器的電磁隔離方法，常用的抗干擾措施為脈沖變壓器采用靜電屏蔽，串聯(lián)二極管和并聯(lián)電容等。
門極驅動電路的分類 無論那種類型的晶閘管脈沖觸發(fā)電路，其大致結構形式基本是相同的，都包括同步、脈沖移相、脈沖形式與放大環(huán)節(jié)。有強觸發(fā)和隔離等部分
門極驅動電路舉例
①單結晶體管觸發(fā)電路 單結晶體管觸發(fā)電路采用同步振蕩電路，解決與主電源的同步問題
單晶體管觸發(fā)電路
數(shù)字觸發(fā)電路 數(shù)字觸發(fā)器通常是以單片機為核心構成 數(shù)字觸發(fā)器由脈沖同步、脈沖移相和形成及輸出等部分組成。
晶閘管的保護
過電壓的產生及過電壓保護
過電壓的產生原因 外部過電壓包括操作過電壓和雷擊過電壓；內部過電壓包括換相過電壓和關斷過電壓。
過電壓保護措施 過電壓保護措施一般采用器件限壓和RC阻容吸收等方法。 RC過電壓抑制電路可以接于變壓器兩側，或電力電子電路的直流側。
過電流保護 采用快速熔斷器、直流快速熔斷器和過流繼電器實現(xiàn)。 過流保護選擇整定的動作順序是：電子保護電路首先動作，直流快速斷路器整定在電子保護電路動作之后，過流繼電器整定在過載時動作，快速熔斷器作為最后的短路保護。 采用快速熔斷器過流保護是電力電子裝置中最有效、最廣泛的一種措施，而選用快熔時，應結合晶閘管和快熔的特性來結合考慮。
晶閘管的派生器件
快速晶閘管（FST） 快速晶閘管指那些關斷時間短，開通響應速度快的晶閘管。
逆導晶閘管（RCT） 逆導晶閘管是將晶閘管反并聯(lián)1個二極管集成在1個管芯上的集成器件。
（a）符號
（3）雙向晶閘管（TRIAC）
（4）光控晶閘管（LTT） 光控晶閘管又稱為光觸發(fā)晶閘管，是采用一定波長的光信號觸發(fā)其導通的器件。
門極可關斷晶閘管（GTO） 門極可關斷晶閘管是一種具有自關斷能力和晶閘管特性的晶閘管
（三） 電力場效應晶體管
結構
電力場效應晶體管種類和結構有許多種，按導電溝道分為P溝道和N溝道，同時又有耗盡型很增強型之分。 電力場效應晶體管有3個端子：漏極D、源極S和柵極G。
靜態(tài)特性
輸出特性 是指漏極的伏安特性。
轉移特性 表示漏極電流ID與柵源之間電壓Ugs的轉移特性關系曲線，轉移特性可表示出器件的放大能力。 跨導定義為：gm=△ID∕△Ugs
主要參數(shù)
漏極擊穿電壓Bud
Bud是不使器件擊穿的極限參數(shù)，它大于漏極電壓額定值。Bud隨結溫的升高而升高，這點正好與GTR和GTO相反。
漏極額定電壓Ud 是器件的標稱額定值。
漏極電流Id和Idm Id是漏極直流電流的額定參數(shù)；Idm 是漏極脈沖電流幅值
柵極開啟電壓Ut 又稱閥值電壓，是開通Power MOSFET的柵-源電壓，它為轉移特性的特性曲線與橫軸的交點。施加的柵源電壓不能太大，否則將擊穿器件。
跨導gm 是表征PowerMOSFET柵極控制能力的參數(shù)。
通過降低驅動電路的內阻Rs來加快開關速度
電力場效應晶體管是壓控器件，在靜態(tài)時幾乎不輸入電流。但在開關過程中，需要對輸入電容進行充放電，故仍需要一定的驅動功率。
電力場效應管的驅動和保護
為提高其開關速度，要求驅動電路必須有足夠高的輸出電壓、較高的電壓上升率、較小的輸出電阻。還需要一定的柵極驅動電流。
開通時，柵極電流可由下式計算：
（1）
關斷時，柵極電流由下式計算：
（2）
式（1）是選取開通驅動元件主要依據(jù)，式（2）是選取關斷驅動元件的主要依據(jù)。
電力場效應管的一種驅動電路
IR2130可以驅動電壓不高于600V電路中的MOSFET，內含過電流、過電壓和欠電壓等保護，輸出可以直接驅動6個MOSFET或IGBT。
TLP250內含一個光發(fā)射二極管和一個集成光探測器，具有輸入、輸出隔離，開關時間短，輸入電流小、輸出電流大等特點。適用于驅動MOSFET或IGBT。
（四） 絕緣柵雙極型晶體管
IGBT的結構和基本原理
IGBT也是一種三端器件，它們分別是柵極G、集電極C和發(fā)射極E。
擎住效應
擎住效應 由于IGBT復合器件內有一個寄生晶閘管存在，當IGBT集電極電流Ic大到一定程度，可使寄生晶閘管導通，從而其柵極對器件失去控制作用，這就是所謂的擎住效應。
IGBT的驅動電路
驅動的基本要求
要有較陡的脈沖上升沿和下降沿
要有足夠大的驅動功率
要有合適的正向驅動電壓UGE
要有合適的反偏壓 反偏壓一般取為-2～-10V
驅動電路與控制電路之間最好進行電氣隔離
驅動電路
適用于高頻小功率場合的驅動電路
IGBT驅動電路實例一
適合于中大功率場合的驅動電路
IGBT驅動電路實例二
IGBT專用集成模塊驅動電路
比較典型的有日本三菱公司的M57918L
電力電子器件的緩沖電路和串并聯(lián)
緩沖電路
緩沖電路的主要作用可歸納如下：
抑制過渡過程中器件的電壓和電流，將開關動作軌跡限定在安全區(qū)之內。
防止因過大的di∕dt和du∕dt造成器件的誤觸發(fā)，甚至導致器件的損壞。
抑制開關過渡過程中電壓和電流的重疊現(xiàn)象，以減少器件的開關損耗。
在多個器件串聯(lián)的高壓電路中起一定的均壓作用。
電力電子器件的串并聯(lián)
器件的串聯(lián)與均壓
解決靜態(tài)不均壓問題，首先應選擇特性和參數(shù)比較一致的器件，此外可采用每個器件并聯(lián)電阻來均壓。
如下圖
串聯(lián)均壓電路
器件的并聯(lián)與均流
解決靜態(tài)不均流問題，首先應選擇特性和參數(shù)比較一致的器件，此外可采用每個器件支路串聯(lián)電阻或電感來均流。
串電感均流
下載文檔
