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[導(dǎo)讀]雖然工程師都熟諳MOSFET數(shù)據(jù)手冊(cè)上的品質(zhì)因數(shù),但為了選擇出合適的MOSFET,工程師必需利用自己的專業(yè)知識(shí)對(duì)各個(gè)具體應(yīng)用的不同規(guī)格進(jìn)行全面仔細(xì)的考慮。例如,對(duì)于服務(wù)器電源中的負(fù)載開關(guān)這類應(yīng)用,由于MOSFET基本上

雖然工程師都熟諳MOSFET數(shù)據(jù)手冊(cè)上的品質(zhì)因數(shù),但為了選擇出合適的MOSFET,工程師必需利用自己的專業(yè)知識(shí)對(duì)各個(gè)具體應(yīng)用的不同規(guī)格進(jìn)行全面仔細(xì)的考慮。例如,對(duì)于服務(wù)器電源中的負(fù)載開關(guān)這類應(yīng)用,由于MOSFET基本上一直都是處于導(dǎo)通狀態(tài),故MOSFET的開關(guān)特性無(wú)關(guān)緊要,而導(dǎo)通阻抗(RDS(ON))卻可能是這種應(yīng)用的關(guān)鍵品質(zhì)因數(shù)。然而,仍然有一些應(yīng)用,比如開關(guān)電源,把MOSFET用作有源開關(guān),因此工程師必須評(píng)估其它的MOSFET性能參數(shù)。下面讓我們考慮一些應(yīng)用及其MOSFET規(guī)格參數(shù)的優(yōu)先順序。

  MOSFET最常見的應(yīng)用可能是電源中的開關(guān)元件,此外,它們對(duì)電源輸出也大有裨益。服務(wù)器和通信設(shè)備等應(yīng)用一般都配置有多個(gè)并行電源,以支持N+1 冗余與持續(xù)工作 (圖 1)。各并行電源平均分擔(dān)負(fù)載,確保系統(tǒng)即使在一個(gè)電源出現(xiàn)故障的情況下仍然能夠繼續(xù)工作。不過(guò),這種架構(gòu)還需要一種方法把并行電源的輸出連接在一起,并保證某個(gè)電源的故障不會(huì)影響到其它的電源。在每個(gè)電源的輸出端,有一個(gè)功率MOSFET可以讓眾電源分擔(dān)負(fù)載,同時(shí)各電源又彼此隔離 。起這種作用的MOSFET 被稱為"ORing"FET,因?yàn)樗鼈儽举|(zhì)上是以 "OR" 邏輯來(lái)連接多個(gè)電源的輸出。

  


 

  圖1:用于針對(duì)N+1冗余拓?fù)涞牟⑿须娫纯刂频腗OSFET。

  在ORing FET應(yīng)用中,MOSFET的作用是開關(guān)器件,但是由于服務(wù)器類應(yīng)用中電源不間斷工作,這個(gè)開關(guān)實(shí)際上始終處于導(dǎo)通狀態(tài)。其開關(guān)功能只發(fā)揮在啟動(dòng)和關(guān)斷,以及電源出現(xiàn)故障之時(shí) 。

  相比從事以開關(guān)為核心應(yīng)用的設(shè)計(jì)人員,ORing FET應(yīng)用設(shè)計(jì)人員顯然必需關(guān)注MOSFET的不同特性。以服務(wù)器為例,在正常工作期間,MOSFET只相當(dāng)于一個(gè)導(dǎo)體。因此,ORing FET應(yīng)用設(shè)計(jì)人員最關(guān)心的是最小傳導(dǎo)損耗。

  低RDS(ON) 可把BOM及PCB尺寸降至最小

  一般而言,MOSFET 制造商采用RDS(ON) 參數(shù)來(lái)定義導(dǎo)通阻抗;對(duì)ORing FET應(yīng)用來(lái)說(shuō),RDS(ON) 也是最重要的器件特性。數(shù)據(jù)手冊(cè)定義RDS(ON) 與柵極 (或驅(qū)動(dòng)) 電壓 VGS 以及流經(jīng)開關(guān)的電流有關(guān),但對(duì)于充分的柵極驅(qū)動(dòng),RDS(ON) 是一個(gè)相對(duì)靜態(tài)參數(shù)。例如,飛兆半導(dǎo)體 FDMS7650 的數(shù)據(jù)手冊(cè)規(guī)定,對(duì)于10V 的柵極驅(qū)動(dòng),最大RDS(ON) 為0.99 mΩ。

  若設(shè)計(jì)人員試圖開發(fā)尺寸最小、成本最低的電源,低導(dǎo)通阻抗更是加倍的重要。在電源設(shè)計(jì)中,每個(gè)電源常常需要多個(gè)ORing MOSFET并行工作,需要多個(gè)器件來(lái)把電流傳送給負(fù)載。在許多情況下,設(shè)計(jì)人員必須并聯(lián)MOSFET,以有效降低RDS(ON)。

  需謹(jǐn)記,在 DC 電路中,并聯(lián)電阻性負(fù)載的等效阻抗小于每個(gè)負(fù)載單獨(dú)的阻抗值。比如,兩個(gè)并聯(lián)的2Ω 電阻相當(dāng)于一個(gè)1Ω的電阻 。因此,一般來(lái)說(shuō),一個(gè)低RDS(ON) 值的MOSFET,具備大額定電流,就可以讓設(shè)計(jì)人員把電源中所用MOSFET的數(shù)目減至最少。

  除了RDS(ON)之外,在MOSFET的選擇過(guò)程中還有幾個(gè)MOSFET參數(shù)也對(duì)電源設(shè)計(jì)人員非常重要。許多情況下,設(shè)計(jì)人員應(yīng)該密切關(guān)注數(shù)據(jù)手冊(cè)上的安全工作區(qū)(SOA)曲線,該曲線同時(shí)描述了漏極電流和漏源電壓的關(guān)系。基本上,SOA定義了MOSFET能夠安全工作的電源電壓和電流。在ORing FET應(yīng)用中,首要問題是:在"完全導(dǎo)通狀態(tài)"下FET的電流傳送能力。實(shí)際上無(wú)需SOA曲線也可以獲得漏極電流值。再以FDMS7650為例,該器件的額定電流為36A,故非常適用于服務(wù)器應(yīng)用中所采用的典型DC-DC電源。

  若設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)熱插拔功能,SOA曲線也許更能發(fā)揮作用。在這種情況下,MOSFET需要部分導(dǎo)通工作。SOA曲線定義了不同脈沖期間的電流和電壓限值。

  注意剛剛提到的額定電流,這也是值得考慮的熱參數(shù),因?yàn)槭冀K導(dǎo)通的MOSFET很容易發(fā)熱。另外,日漸升高的結(jié)溫也會(huì)導(dǎo)致RDS(ON)的增加。MOSFET數(shù)據(jù)手冊(cè)規(guī)定了熱阻抗參數(shù),其定義為MOSFET封裝的半導(dǎo)體結(jié)散熱能力。RθJC的最簡(jiǎn)單的定義是結(jié)到管殼的熱阻抗。細(xì)言之,在實(shí)際測(cè)量中其代表從器件結(jié)(對(duì)于一個(gè)垂直MOSFET,即裸片的上表面附近)到封裝外表面的熱阻抗,在數(shù)據(jù)手冊(cè)中有描述。若采用PowerQFN封裝,管殼定義為這個(gè)大漏極片的中心。因此,RθJC 定義了裸片與封裝系統(tǒng)的熱效應(yīng)。RθJA 定義了從裸片表面到周圍環(huán)境的熱阻抗,而且一般通過(guò)一個(gè)腳注來(lái)標(biāo)明與PCB設(shè)計(jì)的關(guān)系,包括鍍銅的層數(shù)和厚度。

  總而言之,RθJC在電源設(shè)計(jì)團(tuán)隊(duì)的控制范圍以外,因?yàn)樗怯伤捎玫钠骷庋b技術(shù)決定。先進(jìn)的熱性能增強(qiáng)型封裝,比如飛兆半導(dǎo)體的Power 56,其RθJC 規(guī)格在1 和 2 oC/W之間,F(xiàn)DMS7650 的規(guī)格為 1.2 oC/W。設(shè)計(jì)團(tuán)隊(duì)可以通過(guò)PCB設(shè)計(jì)來(lái)改變 RθJA 。最終,一個(gè)穩(wěn)健的熱設(shè)計(jì)有助于提高系統(tǒng)可靠性, 延長(zhǎng)系統(tǒng)平均無(wú)故障時(shí)間(MTBF)。

  開關(guān)電源中的MOSFET

  現(xiàn)在讓我們考慮開關(guān)電源應(yīng)用,以及這種應(yīng)用如何需要從一個(gè)不同的角度來(lái)審視數(shù)據(jù)手冊(cè)。從定義上而言,這種應(yīng)用需要MOSFET定期導(dǎo)通和關(guān)斷。同時(shí),有數(shù)十種拓?fù)淇捎糜陂_關(guān)電源,這里考慮一個(gè)簡(jiǎn)單的例子。DC-DC電源中常用的基本降壓轉(zhuǎn)換器依賴兩個(gè)MOSFET來(lái)執(zhí)行開關(guān)功能(圖 2),這些開關(guān)交替在電感里存儲(chǔ)能量,然后把能量釋放給負(fù)載。目前,設(shè)計(jì)人員常常選擇數(shù)百kHz乃至1 MHz以上的頻率,因?yàn)轭l率越高,磁性元件可以更小更輕。

  

 

  圖2:用于開關(guān)電源應(yīng)用的MOSFET對(duì)。(DC-DC控制器)
顯然,電源設(shè)計(jì)相當(dāng)復(fù)雜,而且也沒有一個(gè)簡(jiǎn)單的公式可用于MOSFET的評(píng)估。但我們不妨考慮一些關(guān)鍵的參數(shù),以及這些參數(shù)為什么至關(guān)重要。傳統(tǒng)上,許多電源設(shè)計(jì)人員都采用一個(gè)綜合品質(zhì)因數(shù)(柵極電荷QG ×導(dǎo)通阻抗RDS(ON))來(lái)評(píng)估MOSFET或?qū)χM(jìn)行等級(jí)劃分。

  柵極電荷和導(dǎo)通阻抗之所以重要,是因?yàn)槎叨紝?duì)電源的效率有直接的影響。對(duì)效率有影響的損耗主要分為兩種形式--傳導(dǎo)損耗和開關(guān)損耗。

  柵極電荷是產(chǎn)生開關(guān)損耗的主要原因。柵極電荷單位為納庫(kù)侖(nc),是MOSFET柵極充電放電所需的能量。柵極電荷和導(dǎo)通阻抗RDS(ON) 在半導(dǎo)體設(shè)計(jì)和制造工藝中相互關(guān)聯(lián),一般來(lái)說(shuō),器件的柵極電荷值較低,其導(dǎo)通阻抗參數(shù)就稍高。

  開關(guān)電源中第二重要的MOSFET參數(shù)包括輸出電容、閾值電壓、柵極阻抗和雪崩能量。

  某些特殊的拓?fù)湟矔?huì)改變不同MOSFET參數(shù)的相關(guān)品質(zhì),例如,可以把傳統(tǒng)的同步降壓轉(zhuǎn)換器與諧振轉(zhuǎn)換器做比較。諧振轉(zhuǎn)換器只在VDS (漏源電壓)或ID (漏極電流)過(guò)零時(shí)才進(jìn)行MOSFET開關(guān),從而可把開關(guān)損耗降至最低。這些技術(shù)被成為軟開關(guān)或零電壓開關(guān)(ZVS)或零電流開關(guān)(ZCS)技術(shù)。由于開關(guān)損耗被最小化,RDS(ON) 在這類拓?fù)渲酗@得更加重要。

  低輸出電容(COSS)值對(duì)這兩類轉(zhuǎn)換器都大有好處。諧振轉(zhuǎn)換器中的諧振電路主要由變壓器的漏電感與COSS決定。此外,在兩個(gè)MOSFET關(guān)斷的死區(qū)時(shí)間內(nèi),諧振電路必須讓COSS完全放電。因此,諧振拓?fù)浜芸粗剌^低的COSS??紤]圖3所示的飛兆半導(dǎo)體FDMS7650的COSS與VDS的關(guān)系圖。

  

 

  圖3:FDMS7650的COSS與VDS的關(guān)系圖。

  低輸出電容也有利于傳統(tǒng)的降壓轉(zhuǎn)換器(有時(shí)又稱為硬開關(guān)轉(zhuǎn)換器),不過(guò)原因不同。因?yàn)槊總€(gè)硬開關(guān)周期存儲(chǔ)在輸出電容中的能量會(huì)丟失,反之在諧振轉(zhuǎn)換器中能量反復(fù)循環(huán)。因此,低輸出電容對(duì)于同步降壓調(diào)節(jié)器的低邊開關(guān)尤其重要。

  馬達(dá)控制應(yīng)用的MOSFET

  馬達(dá)控制應(yīng)用是功率MOSFET大有用武之地的另一個(gè)應(yīng)用領(lǐng)域,這時(shí)最重要的選擇基準(zhǔn)可能又與其它大不相同。不同于現(xiàn)代開關(guān)電源,馬達(dá)控制電路不在高頻下開關(guān)。典型的半橋式控制電路采用2個(gè)MOSFET (全橋式則采用4個(gè)),但這兩個(gè)MOSFET的關(guān)斷時(shí)間(死區(qū)時(shí)間)相等。對(duì)于這類應(yīng)用,反向恢復(fù)時(shí)間(trr) 非常重要。在控制電感式負(fù)載(比如馬達(dá)繞組)時(shí),控制電路把橋式電路中的MOSFET切換到關(guān)斷狀態(tài),此時(shí)橋式電路中的另一個(gè)開關(guān)經(jīng)由MOSFET中的體二極管臨時(shí)反向傳導(dǎo)電流。于是,電流重新循環(huán),繼續(xù)為馬達(dá)供電。當(dāng)?shù)谝粋€(gè)MOSFET再次導(dǎo)通時(shí),另一個(gè)MOSFET二極管中存儲(chǔ)的電荷必須被移除,通過(guò)第一個(gè)MOSFET放電,而這是一種能量的損耗,故trr 越短,這種損耗越小。

  所以,若設(shè)計(jì)團(tuán)隊(duì)需要在電源電路采用MOSFET,在評(píng)估過(guò)程開始之前,需對(duì)手中的應(yīng)用進(jìn)行仔細(xì)全面的考慮。應(yīng)根據(jù)自己的需求而非制造商吹噓的特定規(guī)格來(lái)對(duì)各項(xiàng)參數(shù)進(jìn)行優(yōu)先級(jí)劃分。

  補(bǔ)充:利用IC和封裝設(shè)計(jì)獲得最小的 RDS(ON) 規(guī)格

  在MOSFET的選擇過(guò)程中,評(píng)估參數(shù)的設(shè)計(jì)人員一般通過(guò)仔細(xì)分析相關(guān)規(guī)格來(lái)了解自己到底需要什么。但有時(shí)深入了解IC制造商如何提供工作特性是很有必要的。以RDS(ON)為例,你也許通常期望該規(guī)格只與器件的設(shè)計(jì)及半導(dǎo)體制造工藝有關(guān)。但實(shí)際上,封裝設(shè)計(jì)對(duì)導(dǎo)通阻抗RDS(ON) 的最小化有著巨大的影響。

  封裝對(duì)RDS(ON)的作用巨大是因?yàn)樵搮?shù)主要取決于傳導(dǎo)損耗,而封裝無(wú)疑可以影響傳導(dǎo)損耗。考慮本文正文提及的飛兆半導(dǎo)體FDMS7650 和1mΩ導(dǎo)通阻抗。該器件能獲得較低RDS(ON) 值,大約一半原因可歸結(jié)于封裝設(shè)計(jì)。其封裝采用一種堅(jiān)固的銅夾技術(shù)取代常用的鋁或金鍵合引線來(lái)連接源極和引線框架。這種方案把封裝阻抗降至最小,并降低了源極電感,源極電感是開關(guān)器件產(chǎn)生振鈴的主要原因。

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