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[導(dǎo)讀]隨著大規(guī)模集成電路技術(shù)的發(fā)展與成熟,CMOS工藝以其低成本、低功耗、高集成度的優(yōu)點(diǎn)使得采用CMOS工藝實現(xiàn)高性能集成鎖相環(huán)具有十分重要的意義和廣闊的前景。

鎖相環(huán)路(PLL)是一種能夠跟蹤輸入信號的閉環(huán)自動相位控制系統(tǒng),其理論基礎(chǔ)為自動控制理論。鎖相環(huán)具有載波跟蹤特性,可提取淹沒在噪聲之中的信號,制成高性能的調(diào)制器和解調(diào)器;用高穩(wěn)定度的振蕩器做參考頻率,可提供一系列頻率高穩(wěn)定的頻率源,可進(jìn)行高精度的相位與頻率測量等。在模擬與數(shù)字通信系統(tǒng)中,鎖相環(huán)已成為不可缺少的基本部件。隨著大規(guī)模集成電路技術(shù)的發(fā)展與成熟,CMOS工藝以其低成本、低功耗、高集成度的優(yōu)點(diǎn)使得采用CMOS工藝實現(xiàn)高性能集成鎖相環(huán)具有十分重要的意義和廣闊的前景。采用電荷泵結(jié)構(gòu)的鎖相環(huán)以其易于集成、低功耗、低抖動、無相差鎖定等優(yōu)點(diǎn),得到了廣泛的應(yīng)用。

  2 電路設(shè)計

  鎖相環(huán)能夠?qū)崿F(xiàn)兩個電信號的相位同步、頻率相同或倍頻。如圖1所示,鎖相環(huán)由4個基本部件即鑒相器、電荷泵、低通濾波器和壓控振蕩器組成。鑒相器作用是對兩個輸入信號進(jìn)行比較,輸出一個正比于這兩個輸入信號相位差的直流電壓,即一個上升或下降的脈沖信號,這個直流電壓又作用于下一級電路即開關(guān)電荷泵,然后,電荷泵將鑒相器的輸出信號放大,給低通濾波器的電容充放電。而環(huán)路低通濾波器是用來濾除鑒相器輸出誤差電壓中的高頻分量,起到濾波平滑作用,以保證環(huán)路穩(wěn)定以及改善環(huán)路跟蹤性能和噪聲特性。最后,壓控振蕩器依據(jù)傳輸過來的控制電壓來改變輸出信號的頻率和相位,因此整個系統(tǒng)就形成了一個反饋系統(tǒng),最終壓控振蕩器的輸出信號鎖定在參考信號的頻率和相位上。

  2.1 鑒頻鑒相器

  鑒頻鑒相器是一個相位比較裝置,用來檢測輸入信號相位與反饋信號相位之間的相位差,其結(jié)構(gòu)如圖2所示。PFD比較輸入信號FINA和FINB的上升沿。當(dāng)信號FINA的上升沿超前于信號FINB的上升沿時,PFD的輸出信號UP被置為1,而輸出信號DN為0,當(dāng)FINB的上升沿到來時,UP變?yōu)?lsquo;0’,DN 是窄的脈沖;反之,當(dāng)信號FINB的上升沿超前于信號FINA的上升沿,PFD的輸出信號DN被置為‘1’,而輸出信號UP保持‘0’,當(dāng)FINA的上升沿到來時,DN變?yōu)?lsquo;0’,UP是一很窄的脈沖。信號UP或DN被置為高電平的時間長度等于信號FINA與FINB的相位差。當(dāng)環(huán)路鎖定時,PFD的輸出信號都保持在低電平。

  2.2 龜荷泵(CP)

  在傳統(tǒng)的電荷泵模型中,將PMOS和NMOS看作開關(guān)S1,S2,則鑒頻鑒相器(PFD)的數(shù)字信號輸出UP和DN可能為三種情況:

  (1)狀態(tài)-1:UP=0,DN=1。這時開關(guān)S1斷開,S2閉合,電容進(jìn)行放電,電壓OUT值降低;

  (2)狀態(tài)0:UP=0,DN=0。這時開關(guān)S1和S2都斷開,電壓OUT保持為一個常量;

  (3)狀態(tài)1;UP=1,DN=0。這時開關(guān)S1閉合,S2斷開,電容進(jìn)行充電,電壓OUT值提高。

  2.3 壓控振蕩器(VCO)

  壓控振蕩器是鎖相環(huán)的重要組成部分,很大程度上決定著鎖相環(huán)的性能。它實現(xiàn)電壓一頻率的變換作用,其振蕩頻率受低通濾波器輸出電壓控制。本文研究的壓控振蕩器是利用電阻和電容,采用正反饋的方式來實現(xiàn)一種差分環(huán)形壓控振蕩器。此差分環(huán)形壓控振蕩器由五級差分電路構(gòu)成,每一級的輸出V1,V2接到后一級的輸入 A,B,最后一級的輸出與第一級的輸入相連,其中兩個公共端子分別為E,C。前級偏置電路受CP輸出電壓的控制,產(chǎn)生兩路控制信號E,C,連接到壓控振蕩器的每個差分部分的控制端。這種VCO具有良好的線性調(diào)諧特性和高的輸出頻率穩(wěn)定度的特點(diǎn)。

  振蕩器的核心部分由圖3所示差分電路構(gòu)成,PM1管為下端對稱部分提供偏置電流,PM2,PM3起反向作用,將NM1,NM2等效為電阻,則它與相應(yīng)的MOS電容連接的NM3,NM4構(gòu)成了RC延遲因子,且延遲時間直接受E,C電壓的控制。

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