就小型化和提高性能來說，MEMS器件與集成電路的集成已變得愈來愈重要。但目前近一半MEMS市場仍然采用混合方法。由于是模塊組裝模式，所以混合集成方法的開發(fā)時間比單片方法短得多，而且可以獨立地優(yōu)化IC和MEMS工藝技術(shù)（圖1）。
但是與單片方法相比，其裝配和封裝成本卻較高。因此，當體積足夠大時，單片方法需要的較長開發(fā)時間很有可能被裝配和封裝成本的降低所補償。
當MEMS和CMOS間的互連很多（如顯示器）時，若微型化很重要或要求提高系統(tǒng)性能，即可選擇單片集成方法。使用獨立的MEMS和IC芯片時，MEMS和邏輯芯片間的互連會產(chǎn)生限制性的寄生參數(shù)。這些寄生參數(shù)主要是由鍵合焊盤的大小和長鍵合線產(chǎn)生的，用芯片上集成的方法可以大大降低這些寄生參數(shù)。
當然，成本也是一個重要的考量因素。如果MEMS器件比CMOS電路大得多，單片集成可能非常昂貴。理想情況是它們的大小是匹配的，完全一樣的尺寸將不會增加CMOS芯片大小。
不同的單片集成方法
可以用不同方法在先進的CMOS工藝中集成MEMS器件，得到微型單片系統(tǒng)解決方案。主要方法有三個：先加工微系統(tǒng)器件而后加工IC，通常是在敏感元件或執(zhí)行元件后；二者交錯制作；先加工IC而后加工微系統(tǒng)器件，通常是在電路的頂部。
第三種方法是進行智能微系統(tǒng)加工最有前途的方法，因為它可以用標準的CMOS工藝合理地獨立優(yōu)化CMOS和MEMS。而且新一代電路可以很方便地替換老電路而不影響其上部的MEMS。此外，后加工提供了將MEMS和CMOS置于一起的最緊湊形式，因為CMOS電路可能位于MEMS結(jié)構(gòu)下面。但后加工限制了MEMS加工的溫度范圍。與常規(guī)Poly-Si相比，Poly-SiGe在較低溫度（即淀積溫度≤450℃而不是≥800℃）時仍然能保證MEMS所要求的機械性能和可靠性。這使 Poly-SiGe技術(shù)非常適合MEMS的后-CMOS集成。
CMOS-MEMS集成的Poly-SiGe技術(shù)
已經(jīng)開發(fā)了多種工藝制造poly-SiGe MEMS，主要研究方向是降低溫度或增加同一溫度下的淀積速率。采用等離子增強化學(xué)氣相淀積（PECVD）和CVD結(jié)合的多層工藝，能在低溫(≤450℃)下以很高的淀積速率(～100nm/min) 得到高質(zhì)量薄膜（圖2）。應(yīng)力（壓應(yīng)力到張應(yīng)力）和應(yīng)力梯度可通過改變SiH4流量或增加應(yīng)力補償層調(diào)整。這是在標準CMOS頂部淀積厚SiGe層（例如用于電容敏感元件）的理想工藝。對于用富Si應(yīng)力補償頂層的10μm厚的薄膜來說，已經(jīng)獲得1.45mΩcm的低電阻率、35MPa的殘余張力和3.6×10-6μm-1的極低應(yīng)變梯度。Al和SiGe間的接觸也是CMOS集成需要的歐姆接觸。
poly-SiGe MEMS制造陀螺儀
集成陀螺儀已經(jīng)商品化，但還沒有以后加工的形式出現(xiàn)。而是用交錯的方法在poly-Si中制作陀螺儀，CMOS電路在另一側(cè)。對于同樣的陀螺儀設(shè)計，它使得總面積比后加工大且改變CMOS和MEMS工藝都不易。無法采用標準的CMOS工藝，MEMS結(jié)構(gòu)層厚度也受到限制。采用poly-SiGe實現(xiàn)了全功能CMOS上集成ωz-陀螺儀，適合低噪聲、高分辨率的要求(圖3)。作為功能結(jié)構(gòu)，在標準的高壓(20V)、0.35μm CMOS-ASIC上加工10-μm厚的SiGe層，有5層布線和標準的鈍化。犧牲層是沒有摻雜的厚氧化硅層，用CMP進行平坦化。SiGe結(jié)構(gòu)層由上述的CVD和PECVD工藝淀積，用具有HF和CO2超臨界干燥的濕法加工完成應(yīng)力釋放。平面內(nèi)雙翼陀螺儀的驅(qū)動和感知是全電容性的。
做特性測量時，陀螺儀芯片置于有輔助電路的試驗板上。在3mBar處工作時得到0.01°s-1 sqrt(Hz)-1/2的噪聲，相應(yīng)于50Hz帶寬系統(tǒng)的最小分辨率為0.07°s-1。
poly-SiGe MEMS制造平坦可靠的微鏡
單片集成微鏡陣列已是在視頻投影、自適應(yīng)光學(xué)和掩膜制作系統(tǒng)中應(yīng)用的成熟器件?，F(xiàn)在大多數(shù)集成微鏡采用Al基，常常引起可靠性方面的問題。用Si替換Al可解決此問題，但將Si微鏡與CMOS驅(qū)動電路集成只能用晶圓鍵合技術(shù)實現(xiàn)。與陀螺儀的情況類似，當需要在CMOS上加工MEMS器件時，SiGe可以替代Si。IMEC開發(fā)的用于微鏡的SiGe結(jié)構(gòu)層是微晶SiGe層（μc-SiGe:H）（圖4），它可以在比用于陀螺儀的厚SiGe（450℃）更低的溫度（300-400℃）下淀積。而且SiGe的小晶粒（最大的直徑為100nm）確保了亞微米鉸鏈一致和可重復(fù)的機械性質(zhì)。用μc-SiGe:H制作的微鏡尺寸在7.5×7.5和16×16μm2之間，亞微米鉸鏈從250到400nm。工藝流程的熱溫度范圍保持在CMOS兼容的420℃以下。十分平坦的微鏡（3-4nm 凹凸，表面粗糙度0.3nm）顯示，20天以上沒有鉸鏈蠕變，5×1010次循環(huán)后沒有疲勞損傷。這些器件是現(xiàn)在Al基微鏡非常有希望的替代品，也是能滿足微鏡平坦性、一致性和可靠性等性能的優(yōu)良備選者。
結(jié)論
Poly-SiGe后加工有可能成為一種通用技術(shù)，用它能在標準CMOS頂部加工不同的MEMS器件。此外，類似的加工可用來制作MEMS器件上方的薄膜覆蓋，形成節(jié)省面積的MEMS器件規(guī)模0級封裝。此工藝有可能最終促成高度集成的產(chǎn)生，這種微型系統(tǒng)具有多個在單芯片上后加工的封裝傳感器和執(zhí)行元件。
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