今天我們來講的是SDRAM的架構(gòu)以及設(shè)計，這也是小墨第一次接觸架構(gòu)，也談不上給大家講，就是把我理解的當(dāng)做一個筆記分享給大家，我也試著做了一個SDRAM 的架構(gòu)word文檔，在文章的后面，喜歡的朋友可以下載下來看一下，有什么錯誤也請積極指正，畢竟我也是沒有老師教，也是自己摸索的，難免有些不合理的地方。
一、SDRAM 工作部分
1、上電初始化
我們先來看第一部分，上電初始化。上電初始化我們知道，上電之后我們需要等待200us的穩(wěn)定期，這段時間我們可以用一個定時器來計數(shù)，這沒什么問題，然后進入的是預(yù)充電部分，這個時候，預(yù)充電的時候，sdram_cmd模塊會檢測此時的初始化狀態(tài)機的狀態(tài)，若處于預(yù)充電狀態(tài)，那么sdram_cmd模塊向SDRAM發(fā)命令，具體命令sdram的datasheet里面有，發(fā)的是一個precharge，即預(yù)充電，發(fā)完命令之后，需要等待一段時間，來確保這個命令被SDRAM捕獲，這等待的時間，特權(quán)老師用的方式我覺得很好
用一個宏定義，當(dāng)計數(shù)器計數(shù)到相應(yīng)的時間后，預(yù)充電完成參數(shù)置位 即end_trp 置位，下面的用法也是一樣，即當(dāng)初始化狀態(tài)機進入預(yù)充電狀態(tài)i_pre時，計數(shù)器開啟，開始計數(shù)，計數(shù)完成，也就是預(yù)充電結(jié)束的時候，計數(shù)器復(fù)位，這個復(fù)位的控制，可以用case語句來檢測初始化狀態(tài)機的狀態(tài)，在相應(yīng)的狀態(tài)給予相應(yīng)的復(fù)位與置位
接下來是8個自刷新，操作和預(yù)充電一樣
到了模式寄存器的配置階段，我們需要選定L_bank，以及SDRAM工作模式的配置，當(dāng)sdram_cmd模塊檢測到初始化狀態(tài)機到達模式寄存器配置階段時，我們的給SDRAM的sdram_bank端口賦相應(yīng)的值，并且設(shè)置地址總線
當(dāng)初始化結(jié)束的時候，標(biāo)志位init_done置位，告訴工作狀態(tài)機，初始化狀態(tài)機已經(jīng)結(jié)束，進入工作狀態(tài)。下面是我用word做的上電初始化的狀態(tài)轉(zhuǎn)移圖
2、自刷新
初始化結(jié)束之后，SDRAM為了防止數(shù)據(jù)丟失，要進行自刷新，上一篇文章已經(jīng)講過了，刷新2^12行需要64ms，也就是每15us刷新一行，也就是我們需要每15us發(fā)送一次自刷新請求給SDRAM工作狀態(tài)機，狀態(tài)機一旦檢測到自刷新請求信號，就告訴sdram工作模塊，然后工作模塊就向SDRAM發(fā)送自刷新命令，即CMD_A_PEF
下面是自刷新的狀態(tài)轉(zhuǎn)移圖
3、讀寫狀態(tài)
初始化結(jié)束以后，SDRAM就處于工作狀態(tài)，每15us進行一次自刷新，這個時候，如果想要讀或?qū)憯?shù)據(jù)的話，即向工作狀態(tài)機sdram_work_FSM發(fā)送讀寫請求，如果是讀請求，那么工作狀態(tài)機進入行有效狀態(tài)，也即激活狀態(tài)w_active，此時，sdram_cmd模塊會發(fā)送行有效命令，即CMD_ACTIVEA
同時，我們需要將我們的12位行地址送給我們的sdram地址總線sdram_addr，然后便是一個等待時間段，TRCD，這個時間段里我們是不需要做什么工作的，只需等待TRCD結(jié)束
TRCD結(jié)束的時候，工作狀態(tài)機進入讀狀態(tài)，此時，我們需要發(fā)送列地址選中我們的存儲單元，并告訴sdram_cmd模塊發(fā)送讀命令，這個過程是讀命令和列地址同時發(fā)送的。我們知道，讀命令發(fā)出之后，會進入潛伏期TCL。
這個狀態(tài)我們也不需要做什么，因為我們在模式寄存器配置階段已經(jīng)將各種參數(shù)配置好了，包括什么潛伏期長，突發(fā)讀寫長度之類的，等到潛伏期結(jié)束之后，SDRAM會自動進行讀數(shù)據(jù)，而且讀的數(shù)據(jù)長度會跟我們之前設(shè)置的一樣長，這個讀數(shù)據(jù)的狀態(tài)需要時間，即我們的工作狀態(tài)機工作在w_rd狀態(tài)，等待8個時鐘周期之后，所有的數(shù)據(jù)都已經(jīng)被送到數(shù)據(jù)總線。
這個時候我們需要等一會，因為我們在發(fā)送讀命令的時候，A10是置1的，也就是說，每次讀寫完之后要自動進行預(yù)充電，從而才可以打開新的工作行，這時，我們的工作狀態(tài)機即進入了w_rwait狀態(tài)，等到預(yù)充電結(jié)束，才完成一次讀操作，返回初始狀態(tài)，等待下一個請求的到來
下面是讀寫狀態(tài)轉(zhuǎn)移圖，由于寫狀態(tài)只是沒有潛伏期，寫完之后有一個寫回延時，其他地方與讀狀態(tài)相同，我就不再介紹了
二、模擬信號產(chǎn)生部分
我們先來想一下我們的要想測試我們的SDRAM控制器是否正確，都需要什么測試參數(shù)吧
1、 首先我們需要發(fā)送讀寫地址對吧，但是我們需要有一個間隔，即每隔一段時間發(fā)送一次寫地址，為什么呢?因為我們之前在模式寄存器配置的時候，定義了突發(fā)讀寫的長度為8，也就是我們發(fā)送一個地址，那么sdram會在連續(xù)的8個地址中連續(xù)寫8次數(shù)，我們?nèi)绻侔l(fā)送地址，需要等到這8次地址寫完之后再發(fā)送下一個地址這個延時大概為640ns，也就是計數(shù)器為什么要計到3f的原因，下一個地址的發(fā)送就需要比之前的地址大8了，比如第一次我發(fā)送的是0地址，那,隔一段時間之后，我就需要發(fā)送8地址了。
讀地址也一樣，當(dāng)寫地址寫滿了之后，讓地址清零，從零地址讀起即可
還有再解釋一下，特權(quán)老師為什么定義22位的模擬地址，22位的模擬地址包括2位的L_BANK的地址，12位行地址和8位列地址。有人會問，為什么是行地址和列地址分開呢，不是行列地址共用嗎?注意這里只是模擬地址，到時候我們給地址總線賦值的時候是分開賦值的
2、然后我們需要產(chǎn)生遞增數(shù)據(jù)，每640ns產(chǎn)生8個數(shù)即可
3、在發(fā)送遞增數(shù)據(jù)之前，我們需要發(fā)送寫請求信號，這個寫請求信號是要發(fā)送到我們接下來要講的FIFO里面，發(fā)送寫請求之后，數(shù)據(jù)進入FIFO，注意，這里的寫請求是發(fā)送給FIFO的，不是發(fā)送到SDRAM的，SDRAM的寫請求是由FIFO發(fā)出去的
有人會問，寫請求有了，是不是還該有讀請求，要知道，我們的數(shù)據(jù)是先寫到FIFO里面，再有SDRAM對FIFO進行讀操作，將寫進FIFO的數(shù)據(jù)再送到SDRAM，而我們從SDRAM中讀回的數(shù)據(jù)，同樣要寫到FIFO里面，然后我們再從FIFO里面讀。是不是有人會問，這不是多此一舉嗎?其實不然，要知道我們的SDRAM是工作在100M的時鐘頻率下，而且是有相位偏移的，對我們FPGA來說是一個異步時鐘，如果我們不采用FIFO的形式，那很容易發(fā)生亞穩(wěn)態(tài)問題，導(dǎo)致系統(tǒng)不穩(wěn)定
三、數(shù)據(jù)緩存部分
1、寫FIFO
我來解釋一下，寫入時鐘，也就是我們FPGA的時鐘，50MHZ，在這個時鐘頻率下，我們需要給FIFO發(fā)送寫請求和遞增數(shù)據(jù)，wrusedw反映了我寫入FIFO的占用量，當(dāng)sdram工作狀態(tài)機檢測到寫請求之后(FIFO發(fā)出的寫請求)，會產(chǎn)生一個響應(yīng)，告訴FIFO要讀數(shù)據(jù)了，這個響應(yīng)作為FIFO的讀信號，在100MHZ的時鐘頻率下，將我們寫入的數(shù)據(jù)讀走，送到SDRAM數(shù)據(jù)總線上
2、讀FIFO
讀FIFO跟寫FIFO相反，寫FIFO時鐘為100MHZ，在這個時鐘頻率下，我們將從SDRAM中讀回的數(shù)據(jù)寫到FIFO里面，注意這里我們還用了wrusedw，來反應(yīng)寫FIFO的占用量，也就是我們從SDRAM里讀了多少數(shù)據(jù)，然后在50MHZ的時鐘下，將從SDRAM讀回的數(shù)據(jù)采集下來，送到顯示模塊來驗證是否是遞增數(shù)據(jù)，這個顯示模塊我們用數(shù)碼管來顯示，比較方便，為了觀察清楚，我們可以在數(shù)碼管顯示模塊，每隔1S種發(fā)送一次讀FIFO請求，這樣在數(shù)碼管上，會每隔1秒鐘顯示一個遞增的數(shù)據(jù)了
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