EDA設計
1，雖然每個小組可以優(yōu)化局部功耗，但單個團隊不可能創(chuàng)建出一個低功耗設計。反之，任何一個小組都可能摧毀這種努力。
2，功率估計是一種精確的科學。但是，只有當你擁有了一個完整設計和一組正確的矢量后，這種概念才為真。
3，對任何問題而言，處理器通常是能效最低的方法，但因為它們具備了功能多重性，一般可以用最小面積獲得實現(xiàn)。
4，電源分配網(wǎng)絡應能夠在不損及電壓完整性的情況下，維持負載。
過去十年來，功率已經(jīng)成為一個關鍵的設計考慮，并在工程師設計與驗證系統(tǒng)方面帶來了一些巨大的挑戰(zhàn)。物理學不再提供免費便車。
功率是能量被消耗的速率，這在十年前還不是熱門，但今天已是一個重要的設計考量。系統(tǒng)的能耗會帶來熱量、耗盡電池、增加電能分配網(wǎng)絡的壓力，并且加大成本。移動計算的發(fā)展最先推動了對降低能耗的期望，但能耗的效應現(xiàn)在已遠遠超出這個范圍，可能在業(yè)界帶來一些最大的結(jié)構(gòu)性變化。對于服務器農(nóng)場、云計算、汽車、芯片，以及依賴于能源獲取的泛在式傳感器網(wǎng)絡，這都是一個關鍵性問題
突然改變的原因是，物理學已把工藝技術帶到了90nm以下尺度。但是，隨著結(jié)點尺寸越來越小，電壓降低，從而造成功率的相應下降。通常，即使開發(fā)人員增加了更多功能，功率預算也會保持不變。在更小尺度下，電壓的縮放更加困難，無法維持。當電壓接近于閾值電壓時，開關時間就會增加。為補償這一問題，設計人員會降低閾值電壓，但這樣做顯著增加了泄漏電流和開關電流。
設計流程中的每個階段都對功耗有影響，從軟件架構(gòu)到器件物理。雖然每個小組都可以做局部的功耗優(yōu)化工作，但沒有一個團隊可以單獨創(chuàng)建出一個低功耗設計。反之，任何一個團隊都可能摧毀低功耗的努力。這種狀況就產(chǎn)生了一種對協(xié)同與交叉學科工具的新需求。功率問題不再止于芯片。它們遍及互連結(jié)構(gòu)、電路板與系統(tǒng)設計、電源控制器等諸方面。當前的EDA工具并非按功率概念而建立，這意味著設計人員要采用改進型方法，而不是從頭開始的新方法。
物理原理的角色
一只芯片消耗的功率是開關(或動態(tài))功率和無源(或泄漏)功率之和。功率的動態(tài)成分源于設計的容性負載。當某個線網(wǎng)從0轉(zhuǎn)換到1時，這個成分通過一個PMOS晶體管充電。從電源獲得的能量等于容性負載與電壓平方的乘積。系統(tǒng)將這個能量的一半存儲在電容中;另一半則耗散在晶體管上。對于從1至0的轉(zhuǎn)換，不會從電源獲得更多能量，但電荷要耗散在NMOS晶體管上。假設結(jié)點以頻率F變化，則動態(tài)功率為FCLVDD2，其中，CL是容性負載，VDD是電壓。雖然也存在其它形式的動態(tài)功率，但它們要小得多。
由于電壓是平方項，因此降低電壓有相當顯著的效果。不幸的是，性能也與電壓相關，因為增加電壓會增加柵極的驅(qū)動VGS-VT，其中VGS是柵源電壓，VT是閾值電壓。使用較陳舊的技術時，泄漏功率并不明顯。但隨著器件尺度的減小，很多區(qū)域中的泄漏變得更加顯著，包括柵極氧化物隧穿、亞閾值電壓、反偏結(jié)點、柵極導致的漏極泄漏，以及因熱載流子注入而產(chǎn)生的柵極電流等。
二氧化硅是常用的絕緣材料。在低厚度水平下，電子可以隧穿它。這種關系是指數(shù)型的，意味著厚度減半，泄漏增至四倍，在晶體管尺度降到130nm以下之前，這還不是一個問題。用高k電介質(zhì)代替二氧化硅可以提供相近的器件性能，獲得更厚的柵級絕緣體，從而降低了這個電流。
晶體管有一個柵源閾值電壓，低于這個電壓時，通過器件的亞閾值電流就會呈指數(shù)倍下降。當降低電源電壓以減少動態(tài)功耗時，閾值電壓也減小，從而使柵極電壓擺幅低于器件關斷的閾值。亞閾值傳導會隨柵極電壓呈指數(shù)式變化。
在擴散區(qū)和阱之間，或在阱與基材之間的一個反偏構(gòu)造，會產(chǎn)生小的反偏結(jié)泄漏。在MOS晶體管漏極結(jié)上的高電場效應會產(chǎn)生柵極導致的漏極泄漏，這通常要用制造技術來處理。柵極電流泄漏的原因是短溝道器件的閾值電壓漂移，并與器件中的高電場有關。對這個效應的控制主要也是靠制造技術。
設計人員要在動態(tài)功耗和靜態(tài)功耗之間做一個折中。降低電壓會減小動態(tài)功耗，但增加了靜態(tài)功耗。我們來看一只手機內(nèi)的典型芯片。當器件工作時，泄漏要占所消耗功率的大約10%;其它90%是動態(tài)功耗。但當手機處于待機模式時(可能占到總時間的90%)，芯片中的動態(tài)功耗就很少。因此，盡量減小兩種功耗有著相同的重要性。
各種器件的功耗方面在持續(xù)地改進。例如，在相同頻率下，三星的28nm低功耗工藝比45nm低功耗工藝的動態(tài)功耗與待機功耗都減少了35%，與采用45nm低功耗的系統(tǒng)單芯片設計相比，28nm工藝在相同頻率下的動態(tài)功耗降低了60%.臺積電28nm高性能低功耗工藝的待機功耗要比其40nm低功耗工藝低40%以上。同時GlobalFoundries公司為其28nm結(jié)點提供了三種功率水平(圖1)。
圖1，臺積電的28-HPL工藝待機功耗較40-LP工藝低40%以上。而Global Foundries則為其28nm結(jié)點提供了三種功率水平
摩爾定律繼續(xù)有效，芯片在每個器件中封裝了更多功能。據(jù)Open-Silicon的營銷總監(jiān)Colin Baldwin稱，客戶可以用近似的單位成本和兩倍的性能，設計出下一代器件，雖然總功耗會增加，但單只器件的功耗是下降的。時鐘頻率是另外一個緩慢上漲的變量，但在很多市場上增速都慢于工藝。Open-Silicon發(fā)現(xiàn)，大多數(shù)用戶試圖在略微增加總體功耗的情況下，集成更多的功能。因此，要維持相同的總功耗，就要看設計流程的其它部分中可以節(jié)省的能耗。
優(yōu)化與比較
設計包含了估算與優(yōu)化。估算可以對多個可能的實現(xiàn)選擇做出比較。另外，優(yōu)化可以自動完成，或者可以在各種抽象水平上，用工具輔助完成。Apache/Ansys應用工程總監(jiān)Arvind Shanmugavel認為，只有當擁有了一個完整設計和一組正確的矢量時，功率估算才是一種精確的科學。在未完成設計以前，根據(jù)定義，所有事物都是一種即將在設計中發(fā)生的估計。在設計早期的功率預算階段，應著眼于大的和相對的變化，而不是絕對的值。Atrenta公司的工程總監(jiān)Venki Venkatesh認為，可以預期在RTL(寄存器傳輸級)到硅片之間有20%的偏差，而從門到硅片有10%的偏
如果某個工具表示，一種可能的方案會較另一種方案消耗更少的總能量，則這種概述一定是正確的;否則，工具就可能促使選擇了次級的方案。與面積和性能不同，功率是矢量相關的，因此可能需要運行多次仿真，來獲得有關設計活動的一種典型性樣本。例如，考慮兩種選擇，一種是為音頻處理器加隨機數(shù)據(jù)，一種是用更多的典型語音數(shù)據(jù)。圖2給出了一個有限脈沖響應濾波器中幾個寄存器的轉(zhuǎn)換動作(參考文獻1)。對于一個不會破壞數(shù)據(jù)相關性的架構(gòu)，語音數(shù)據(jù)開關電容的次數(shù)要比隨機輸入數(shù)據(jù)少80%.由于這些臨時的相關性，運行順序可能造成切換動作的巨大差異。
圖2，對于一個不會破壞數(shù)據(jù)相關性的架構(gòu)，語音數(shù)據(jù)開關電容的次數(shù)要比隨機輸入數(shù)據(jù)少80%.由于這些臨時的相關性，運行順序可能造成切換動作的巨大差異。
不過，有些公司認為可以用統(tǒng)計方法獲得近似值，即采用來自計數(shù)器或其它可識別邏輯片的預期活動?，F(xiàn)在，功耗優(yōu)化有很多種方式，大多數(shù)為RTL或以下。Shanmugavel稱，時鐘門控是盡量減少動態(tài)功耗的常見技術。切斷某個電路的時鐘，可阻止一個設計中時鐘或寄存器的切換動作。另一種技術是采用電壓島，它降低了設計的工作電壓，從而使開關元件的動態(tài)功耗前后比值為電壓前后比值的平方。設計者將電壓島用于芯片的某些區(qū)域，這些區(qū)域的性能與速度不是關鍵，這樣可以節(jié)省功耗。
DVFS(動態(tài)電壓/頻率縮放)是迄今最為復雜的動態(tài)功率控制技術。這種方法會根據(jù)負載的需求，改變有效工作電壓和頻率。在高負載情況下，電壓與頻率處于額定狀態(tài)，芯片或設備為滿負荷工作。在低負載情況下，電壓或頻率縮減，以低速工作，從而獲得了較低的動態(tài)功耗。設計者可通過軟硬件方案的組合，實現(xiàn)這種技術。
片芯上的穩(wěn)壓器滿足了對多種動態(tài)與靜態(tài)功率的需求。各IC通常有片外的穩(wěn)壓模塊，可提供動態(tài)狀態(tài)下需要的電壓與電流。但是，設計者越來越多地采用片芯上的穩(wěn)壓器，因為電壓域的數(shù)量在增加，這些電壓域更快響應需求的要求也在增加。
堆疊IC間的相互通信盡量減少了信號互連，它是低功耗設計中一種新興的趨勢。Apache的Shanmugavel認為，制造商一般是將處理器和存儲器堆疊在一個硅插入層上，用TSV(硅通孔)做連接。這些插入層提供了片芯之間的低電容信號互連，從而降低了I/O的動態(tài)功耗。隨著3D IC的成本開始下降，以及設計者對于熱效應有了更多的理解，整個行業(yè)都將出現(xiàn)一個向3D IC的遷移。
要盡量減少靜態(tài)功耗，設計者可以采用電源門控方法，為一個待機狀態(tài)的設備節(jié)省最多的泄漏功。關閉功能單位的時鐘可降低動態(tài)功耗，但單元仍然有泄漏功耗。設計者必須在設計實現(xiàn)以前，了解有關電源門控的幾個折中問題。
減少泄漏功耗的一種最古老技術是用高閾值電壓門代換標稱閾值電壓的門。在CMOS中，亞閾值泄漏與閾值電壓成反比。較高閾值電壓器件的泄漏包絡低于較小閾值電壓的器件，但付出的代價是較大的延遲。設計者必須做一個仔細的權衡分析，才能用此技術獲得最佳的減少泄漏效果。
另外一種降低靜態(tài)功耗的方法是有源反偏，它是增加CMOS門中基材結(jié)點的偏置電壓，從而降低泄漏電流。這種偏置技術根本上是在待機模式期間增加一個單元或整個芯片的閾值電壓，從而減少泄漏功耗。為了感受一下這些技術的采納率，Synopsys通過自己的一個“全球用戶調(diào)查”，收集了用戶數(shù)據(jù)(圖3)。
圖3，為了感受一下這些技術的采納率，Synopsys通過自己的一個“全球用戶調(diào)查”，收集了用戶數(shù)據(jù)。例如，最左上方一欄表示10%的受訪者擁有數(shù)據(jù)中心和網(wǎng)絡，作為采用反偏置或阱極偏置的主要應用。注意百分比大于100，因為調(diào)查會收到多個答案。
除RTL優(yōu)化以外，設計者還在開發(fā)一些能在系統(tǒng)級上做估算和架構(gòu)研究的工具。功率是一個系統(tǒng)級的問題，有些設計者發(fā)現(xiàn)，不能用今天做芯片組裝和驗證的自下而上方法來看待功率問題。過去，設計者設計芯片是為了獲得最大的靈活性，以現(xiàn)在設計芯片的成本，這種靈活性仍是一個重要的考慮方面。但和其它所有方面一樣，靈活性也會帶來成本。對任何問題而言，處理器通常是能效最低的方法，但因為它們具備了功能多重性，一般可以用最小面積獲得實現(xiàn)。
驗證
功率還增加了另一層復雜性，這就是設計者必須做驗證。它需要額外的工具支持，制造商們現(xiàn)在正匆忙地在市場上推出這些工具。功率會在設計中增加一些新的器件，如隔離邏輯、功率開關、電平轉(zhuǎn)換器以及保持單元等。
不過，Synopsys小功率驗證營銷總監(jiān)Krishna Balachandran認為，功率優(yōu)化也可能牽涉到順序RTL轉(zhuǎn)換，必須用源RTL作驗證。缺少這種驗證可能導致芯片上的系統(tǒng)不工作，或泄漏高于預期值。仿真方法可能太慢，沒有性價比，且不徹底，從而不能對功率優(yōu)化做完全的驗證覆蓋。傳統(tǒng)形式等效工具的目標通常是組合式變換的驗證，不適合于功率優(yōu)化所需要的那種改變。大多數(shù)商用的形式驗證工具還受制于容量和性能的限制，必須克服這些限制，才能處理低功耗設計的復雜電源架構(gòu)，以及數(shù)百種電源域。為滿足這些新的要求，必須發(fā)展一類具有大容量和高性能的全新形式等效工具，目標是對順序變換的驗證。
Eve - USA的總經(jīng)理LauroRizzatti表示，功率優(yōu)化也給EDA供應商帶來了挑戰(zhàn)。很多低功耗技術通常都不能取得與RTL仿真或模擬的一致，它抽象了電壓的任何概念。設計者必須改造這些數(shù)字工具，使其支持功率目標以及低功耗優(yōu)化實現(xiàn)技術。
電源分配網(wǎng)絡
Silicon Frontline Technology公司營銷副總裁Dermott Lynch認為，功率器件的典型運行效率在70%~90%，從而有10%~30%的總系統(tǒng)損耗。而Rambus公司半導體業(yè)務部副總裁兼首席技術官Ely Tsern補充說，比較積極的功率模式轉(zhuǎn)換配合精細的電源域，會使局部供電電流有更快的轉(zhuǎn)換，從而給敏感的局部電路帶來更大的di/dt電源噪聲，尤其是那些模擬電路。
但Shanmugavel警告說，在任何情況下，電源分配網(wǎng)絡都應能夠在不損及電壓完整性情況下，維持負載的供電。例如，當一個全局時鐘轉(zhuǎn)換和一個功能單元上電去完成某項工作時，就出現(xiàn)了一個瞬態(tài)電流的需求。這種瞬態(tài)電流可能是額定電流的3倍~5倍，具體要看功能模塊情況，這給電源分配網(wǎng)絡帶來了一個巨大的負荷，必須驗證在這些情況下，網(wǎng)絡上的瞬態(tài)電壓噪聲。
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