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[導(dǎo)讀]時間區(qū)域上的同樣信息由圖 24 表示。圖的頂部表示源;圖的底部表示負載端信號。注意,經(jīng)過 5個完全的循環(huán),信號的強度才衰減到輸入極限以下。傳輸延遲從 2ns/ft到 5ns/ft。當t PD=3ns/ft 而且線長 6 英寸的時候,線

時間區(qū)域上的同樣信息由圖 24 表示。圖的頂部表示源;圖的底部表示負載端信號。注意,經(jīng)過 5個完全的循環(huán),信號的強度才衰減到輸入極限以下。傳輸延遲從 2ns/ft到 5ns/ft。當t PD=3ns/ft 而且線長 6 英寸的時候,線的延遲就是 1.5ns。信號在從源傳輸后 13.5ns內(nèi)都可以被認為是正確有效的。圖 24 時域上反射信號的表示:a)在源端 b)在負載端圖 25 終端匹配電阻的終接方式上面例子里面講的反射量對于大多數(shù)系統(tǒng)來說可能都太大了。必須采用某種技術(shù)來消除, 至少要減小反射。由于Z l =Z0 的時候反射就被消除,所以使得Z l =Z0非常必要。要理解這些,必須要了解 PAL 設(shè)備的輸入輸出阻抗的特性。如前文提到的,輸入阻抗比較高,當 CMOS 在 10kW 范圍內(nèi)時,雙極(bipolar)就在 10kW 范圍內(nèi)。輸出設(shè)備則一般有比較小的阻抗。有兩種中斷方案:將 L Z 減小到Z0 以消除反射;或者將 Zs 增大到 Z0 以消除二次反射。在負載端并聯(lián)一個電阻可以減小 ZL ——并聯(lián)終端; 將源串聯(lián)一個電阻可以增大Zs ——串聯(lián)終端。 并聯(lián)終端如圖 25a。由于大多數(shù)設(shè)備的輸入阻抗很高,Rl 可以做的與Z0 相等。 這樣的設(shè)計方案有一個缺點:電流損耗(current drain)在高輸出(HIGH-output)狀態(tài)下很高。對一個 50Ω的終端,損耗可能會高達 48mA。大多數(shù)驅(qū)動器的額定電流是I oh =3.2mA。很顯然,這已經(jīng)超出了設(shè)備可以承受并提供足夠的Voh的水平。終端 Vcc 會有所幫助,因為一般來說,I OL 比I OH 高一些。但是,大多數(shù)為板極應(yīng)用設(shè)計的 CMOS設(shè)備 (CMOS devices designed for board-level applications) 的驅(qū)動器額定電流IOL為 24mA或者更小。這仍然不足以提供足夠的電流來支持一條低阻抗傳輸線需要的V OL 。如圖 25b 使用 2 個電阻可以有效減小電流。這兩個電阻分壓,得到的 thevenin 電壓為:得到的 thevenin 電阻為:盡管這是個不錯的解決方案, 由于電阻放在 Vcc和地線之間, 所以電源供電電流比較高。 另外一個降低負載電流的方案是將電阻放在V OH 與V OL 之間的正電壓之間(圖 25c) 。從3v到 5v 流經(jīng)一個 50w的電阻的電流,會比流經(jīng)同一個電阻,但是從 3v 流到地線的電流小得多。這樣不會給信號帶來任何問題,因為 DC 的參考電壓是 AC 地線。但是,找到一個可以飛快從 sinking 電流切換到 sourcing電流, 切換速度快得可以來得及回應(yīng)傳輸 (respond to the transitions)的終端電壓源,是很困難的。

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