Infineon用鍺化硅和碳雙極工藝開發(fā)高頻集成電路

計算機(jī)世界網(wǎng)消息 德國Infineno公司7月4日(美國當(dāng)?shù)貢r間7月3日)宣布，在慕尼黑實(shí)驗(yàn)室其研究人員利用鍺化硅和碳(SiGe：C)的雙極工藝，開發(fā)出了工作頻率超過110GHz的高速動態(tài)分頻集成電路。其比競爭對手的相應(yīng)器件，工作頻率高出10%至30%。


Infineno公司采用先進(jìn)的鍺化硅-碳雙極工藝技術(shù)，設(shè)計出了工作頻率超過200GHz的用于高速通信的Bulding模塊。采用這種技術(shù)制作出的器件，其截止頻率可超過200GHz。由該器件制成的環(huán)形振蕩器的柵延遲時間為3.7p秒。Infineno公司稱，用該器件制作的電路經(jīng)測試，其工作噪聲極低，并以良好的晶體管平衡性，適用于數(shù)字或模擬兩用電路。由上述技術(shù)制作出的集成電路的主要性能如下：這種最大輸入頻率110GHz以上的分頻集成電路，其工作電壓為5伏，工作電流為180微安，分頻比為2。對于最大輸入頻率86GHz的靜態(tài)分頻集成電路，分頻比為32、工作電壓為5V、消耗電流為180mA。用上述器件可制作工作頻率為95G至98GHz頻段的調(diào)壓式振蕩器(VCO)。當(dāng)載波截止頻率為1MHz時，其相位噪音為97dBc/Hz。在5伏工作電壓和消耗功率-6dBm的條件下，其消耗電流為12微安。

Infineno公司的鍺化硅技術(shù)集成電路主要用于每秒10億(1G)次的級的數(shù)據(jù)通信、寬帶無線通信和微波通信等方面，特別適合制作進(jìn)行高速數(shù)字或模擬變換的裝置。Infineno公司稱，利用上述技術(shù)，不遠(yuǎn)的將來還可制造高頻晶體管和二極管等分立型器件。利用這些分立型器件，還可制作低功耗的40Gps級的有線通信系統(tǒng)、高速微波無線系統(tǒng)和最高可達(dá)60GHz的寬頻帶通信系統(tǒng)以及在77GHz頻率下工作的車載雷達(dá)防撞系統(tǒng)等。

Infineno公司除了制作大家熟悉的DRAM外，還涉足車載電子系統(tǒng)、工業(yè)電子系統(tǒng)以及通信系統(tǒng)中使用的芯片。Infineno公司為原西門子公司的半導(dǎo)體子公司。



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