圓片級(jí)封裝技術(shù)及其應(yīng)用

云振新(國(guó)營(yíng)970廠，四川成都610051)

摘 要：本文介紹了圓片級(jí)封裝的設(shè)計(jì)考慮、基礎(chǔ)技術(shù)、可靠性、應(yīng)用情況及發(fā)展趨勢(shì)。

關(guān)鍵詞：圓片級(jí)封裝；薄膜再分布技術(shù)；焊料凸點(diǎn)技術(shù)

中圖分類號(hào)：TN305．94 文獻(xiàn)標(biāo)識(shí)碼：A

1引言

現(xiàn)代電子裝置對(duì)小型化、輕量化、高性能化、多功能化、低功耗化和低成本化方面的要求不斷提高且日益迫切。移動(dòng)通信手機(jī)、因特網(wǎng)電子商務(wù)無(wú)線接人系統(tǒng)及藍(lán)牙系統(tǒng)與全球定位系統(tǒng)(GPS)的無(wú)線數(shù)據(jù)傳輸鏈路就是提出這些要求的典型例子?，F(xiàn)代電子裝置的需求促進(jìn)了微電子技術(shù)的發(fā)展。IC芯片的特征尺寸不斷縮小，現(xiàn)已達(dá)到深亞微米水平；IC芯片的集成規(guī)模迅速擴(kuò)大，目前已可在單芯片上實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)的集成。隨著IC芯片技術(shù)的發(fā)展，芯片封裝技術(shù)也不斷達(dá)到新的水平。特別值得注意的是1995年以來(lái)出現(xiàn)的焊球陣列封裝(BGA)和芯片尺寸封裝(CSP)。BGA的外引線為焊料球，焊球以陣列方式排列在封裝的底面，焊球節(jié)距為1.5-1.0mm，封裝基板可以為陶瓷或PCB。CSP的硅芯片面積和封裝所占印制板面積之比大于80％，外引線可以是引線框架的引線、焊料球或焊料凸點(diǎn)。目前，已可將CSP的焊料凸點(diǎn)直接做在硅圓片的各個(gè)芯片上，然后再切割成獨(dú)立的可以直接倒裝焊的IC芯片，這就是最新一代的圓片級(jí)封裝(WLP)。

WLP以BGA技術(shù)的基礎(chǔ)。是一種經(jīng)過(guò)改進(jìn)和提高的CSP。有人又將WLP稱為圓片級(jí)芯片尺寸封裝(WLP-CSP)它不僅充分體現(xiàn)了BGA、CSP的技術(shù)優(yōu)勢(shì)，而且是封裝技術(shù)取得革命性突破的標(biāo)志。圓片級(jí)封裝技術(shù)采用批量生產(chǎn)工藝制造技術(shù)，可以將封裝尺寸減小至IC芯片的尺寸，生產(chǎn)成本大幅度下降，并且把封裝與芯片的制造融為一體，將徹底改變芯片制造業(yè)與芯片封裝業(yè)分離的局面。正因?yàn)閳A片級(jí)封裝技術(shù)有如此重要的意義，所以，它一出現(xiàn)就受到極大的關(guān)注并迅速獲得巨大的發(fā)展和廣泛的應(yīng)用。據(jù)報(bào)道，圓片級(jí)封裝產(chǎn)品，2000年約為20億只，2005年預(yù)計(jì)將增長(zhǎng)為120億只。[1]可見(jiàn)，增長(zhǎng)速度十分驚人。我們對(duì)圓片級(jí)封裝技術(shù)應(yīng)給以足夠的重視和研究。

2概述

2.1術(shù)語(yǔ)

在討論圓片級(jí)封裝技術(shù)時(shí)要用到一些術(shù)語(yǔ)。為避免混淆，我們對(duì)這些術(shù)語(yǔ)作一簡(jiǎn)要說(shuō)明。

(1)凸點(diǎn)芯片

凸點(diǎn)芯片是指采用焊料凸點(diǎn)實(shí)現(xiàn)電氣互連的芯片，而且芯片從圓片上切割下來(lái)投入使用時(shí)需要進(jìn)行額外的封裝加工。

(2)芯片尺寸封裝

芯片尺寸封裝是由凸點(diǎn)芯片封裝而成，封裝尺寸比芯片尺寸稍微大一些。

(3)圓片級(jí)封裝

圓片級(jí)封裝具有與芯片相同的尺寸，而且它的封裝加工是在圓片上進(jìn)行的，圓片切割后的單個(gè)封裝可直接用于最終的安裝。

(4)圓片級(jí)封裝技術(shù)用來(lái)加工可直接在最終基板或最終系統(tǒng)平臺(tái)上安裝的芯片或器件。

2.2圓片級(jí)封裝簡(jiǎn)介

一般來(lái)說(shuō)，IC芯片與外部的電氣連接是用金屬引線以鍵合的方式把芯片上的IlO(輸人端口／輸出端口)連至封裝載體并經(jīng)封裝引腳來(lái)實(shí)現(xiàn)的。IC芯片上的IlO(鋁焊區(qū))通常分布在周邊上。隨著IC芯片特征尺寸的減小和集成規(guī)模的擴(kuò)大，I／O的間距不斷減小、數(shù)量不斷增大。當(dāng)IlO間距減小至70μm以下時(shí)，引線鍵合技術(shù)就不再適用，必須尋求新的技術(shù)途徑。圓片級(jí)封裝技術(shù)利用薄膜再分布工藝，使I/O可以分布在IC芯片的整個(gè)表面上而不再僅僅局限于窄小的IC芯片的周邊區(qū)域，從而成功解決了上述高密度、細(xì)間距I/O芯片的電氣連接問(wèn)題。傳統(tǒng)封裝技術(shù)是以圓片劃片后的單個(gè)芯片為加工目標(biāo)，封裝過(guò)程在芯片生產(chǎn)線以外的封裝廠或封裝生產(chǎn)線內(nèi)進(jìn)行。圓片級(jí)封裝技術(shù)截然不同，它是以圓片為加工對(duì)象，直接在圓片上同時(shí)對(duì)眾多芯片進(jìn)行封裝、老化、測(cè)試，其封裝的全過(guò)程都在圓片生產(chǎn)廠內(nèi)運(yùn)用芯片的制造設(shè)備完成，使芯片的封裝、老化、測(cè)試完全融合在圓片生產(chǎn)流程之中。封裝好的圓片經(jīng)切割所得到的單個(gè)IC芯片，可直接貼裝到基板或印制電路板上。由此可見(jiàn)，圓片級(jí)封裝技術(shù)是真正意義上的批量生產(chǎn)芯片封裝技術(shù)。

圓片級(jí)封裝是尺寸最小的低成本封裝。它像其它封裝一樣，為IC芯片提供電氣連接、散熱通路、機(jī)械支撐和環(huán)境保護(hù)，并能滿足表面貼裝的要求。圓片級(jí)封裝成本低與多種因素有關(guān)。第一，它是以批量生產(chǎn)工藝進(jìn)行制造的；第二，圓片級(jí)封裝生產(chǎn)設(shè)施的費(fèi)用低，因?yàn)樗浞掷昧藞A片的制造設(shè)備，無(wú)須投資另建封裝生產(chǎn)線；第三，圓片級(jí)封裝的芯片設(shè)計(jì)和封裝設(shè)計(jì)可以統(tǒng)一考慮、同時(shí)進(jìn)行，這將提高設(shè)計(jì)效率，減少設(shè)計(jì)費(fèi)用；第四，圓片級(jí)封裝從芯片制造、封裝到產(chǎn)品發(fā)往用戶的整個(gè)過(guò)程中，中間環(huán)節(jié)大大減少，周期縮短很多，這必將導(dǎo)致成本的降低。此外，應(yīng)注意圓片級(jí)封裝的成本與每個(gè)圓片上的芯片數(shù)量密切相關(guān)。圓片上的芯片數(shù)越多，圓片級(jí)封裝的成本也越低。

圓片級(jí)封裝主要采用薄膜再分布技術(shù)、凸點(diǎn)技術(shù)等兩大基礎(chǔ)技術(shù)。前者用來(lái)把沿芯片周邊分布的鋁焊區(qū)轉(zhuǎn)換為在芯片表面上按平面陣列形式分布的凸點(diǎn)焊區(qū)。后者用于在凸點(diǎn)焊區(qū)上制作凸點(diǎn)，形成焊球陣列。

3 I／O數(shù)與芯片尺寸

當(dāng)沿芯片周邊分布的I／O轉(zhuǎn)換為在芯片整個(gè)表面上呈陣列分布的IlO時(shí)，能設(shè)置的I／O數(shù)將大大增加，設(shè)置IlO的方式也很靈活、多樣。對(duì)于高IlO數(shù)芯片，可在整個(gè)芯片表面設(shè)置焊球陣列。對(duì)于I／O數(shù)較低的芯片，可選擇芯片表面的部分區(qū)域設(shè)置焊球。

對(duì)于復(fù)雜的高IlO數(shù)IC芯片而言，芯片的尺寸取決于IlO的密度，而不取決于電路的規(guī)模。芯片的尺寸與I／O數(shù)有著極為密切的關(guān)系。當(dāng)我們要確定一種IC芯片能否采用圓片級(jí)封裝時(shí)，必須對(duì)芯片上鋁焊區(qū)的數(shù)目和要求的焊球(凸點(diǎn))的節(jié)距進(jìn)行分析，要弄清楚芯片表面是否有足夠面積容納所需的I／O數(shù)。圖1給出了周邊分布I／O(節(jié)距為100μm)和陣列分布I/O(節(jié)距為250μm)兩種情況下，方形芯片邊長(zhǎng)與I/O數(shù)的關(guān)系曲線。[2]從圖中可以看出，周邊分布時(shí)，芯片的邊長(zhǎng)隨I／O數(shù)的上升而急劇變大；陣列分布時(shí)，芯片的邊長(zhǎng)隨I／O數(shù)的增長(zhǎng)僅僅是緩慢地變大。圖中的比較充分說(shuō)明了I／O陣列分布的優(yōu)越性。像CSP一樣，圓片級(jí)封裝也是按SMT(表面貼裝)所要求的0．8mm、0．75mm、0．65mm、0．5mm等節(jié)距來(lái)制造陣列分布I／O的。圖2給出了這四種節(jié)距情況下，方形芯片邊長(zhǎng)與陣列分布I／O數(shù)的關(guān)系曲線。[3]圖中的曲線表明，節(jié)距為0.8mm-0.5mm時(shí)，芯片尺寸可容納的陣列分布I／0數(shù)。同樣的芯片尺寸，節(jié)距越小，可設(shè)置的陣列分布I／O數(shù)也越多。當(dāng)SMT采用0．5mm、0．4mm這類較小的節(jié)距時(shí)，采用同樣節(jié)距的圓片級(jí)封裝的I／O數(shù)也將大幅度增加，從而使種類更多的IC芯片適合使用圓片級(jí)封裝。根據(jù)匯芯片的尺寸、I／O數(shù)和陣列分布I／0的節(jié)距要求，可以用圖2的曲線來(lái)初步評(píng)估該IC芯片采用圓片級(jí)封裝是否可行。

4 圓片級(jí)封裝的基礎(chǔ)技術(shù)

4.1薄膜再分布技術(shù)

薄膜再分布技術(shù)是指在IC圓片上，將各個(gè)芯片按周邊分布的I／O鋁焊區(qū)，通過(guò)薄膜工藝的再布線，變換成整個(gè)芯片上的陣列分布焊區(qū)并形成焊料凸點(diǎn)的技術(shù)。它不僅生產(chǎn)成本低，而且能完全滿足批量生產(chǎn)便攜式電子裝置板級(jí)可靠性標(biāo)準(zhǔn)的要求，是目前應(yīng)用最廣泛的一種技術(shù)。K&S公司、Apack公司、UnitiveElectronics公司、Fraunhoferlnstitute公司和Amkor公司是應(yīng)用薄膜再分布技術(shù)的代表性公司。

常規(guī)工藝制成的IC圓片經(jīng)探針測(cè)試分類并給出相應(yīng)的標(biāo)記后就可用于圓片級(jí)封裝。在封裝之前，首先要對(duì)IC芯片的設(shè)計(jì)布局進(jìn)行分析與評(píng)價(jià)，以保證滿足陣列焊料凸點(diǎn)的各項(xiàng)要求。其次，要進(jìn)行再分布布線設(shè)計(jì)。再分布布線設(shè)計(jì)分為初步設(shè)計(jì)和改進(jìn)設(shè)計(jì)兩個(gè)階段進(jìn)行。初步設(shè)計(jì)是將芯片上的I／O鋁焊區(qū)通過(guò)布線再分布為陣列焊區(qū)，目的在于證實(shí)圓片級(jí)封裝的可行性。按初步設(shè)計(jì)制造的圓片級(jí)封裝，在設(shè)計(jì)、結(jié)構(gòu)、成本等方面不一定是最佳的。圓片級(jí)封裝的可行性將到驗(yàn)證之后，就可將初步設(shè)計(jì)階段轉(zhuǎn)入改進(jìn)設(shè)計(jì)階段。在這一階段，要對(duì)初步設(shè)計(jì)進(jìn)行改進(jìn)，重新設(shè)計(jì)信號(hào)線、電源線和接地線，簡(jiǎn)化工藝過(guò)程及相關(guān)設(shè)備，以求獲得生產(chǎn)成本最低的再分布布線設(shè)計(jì)。

薄膜再分布技術(shù)的具體工藝過(guò)程比較復(fù)雜，而且隨著IC芯片的不同而有所變化，但一般都包含以下幾個(gè)基本的工藝步驟：

①在IC圓片上涂復(fù)金屬布線層間介質(zhì)材料；

②沉積金屬薄膜并用光刻方法制備金屬導(dǎo)線和所連接的凸點(diǎn)焊區(qū)。這時(shí)，IC芯片周邊分布、小至幾十微米的鋁焊區(qū)就轉(zhuǎn)成陣列分布的幾百微米大的凸點(diǎn)焊區(qū)，而且鋁焊區(qū)和凸點(diǎn)焊區(qū)之間有金屬導(dǎo)線相連接；

③在凸點(diǎn)焊區(qū)沉積UBM(凸點(diǎn)下金屬層)；

④在UBM上制作焊料凸點(diǎn)。

4.2凸點(diǎn)技術(shù)

焊料凸點(diǎn)通常為球形。制備焊球陣列的方法有三種：

①應(yīng)用預(yù)制焊球；
②絲網(wǎng)印刷；
③電化學(xué)沉積(電鍍)。

當(dāng)焊球節(jié)距大于7001μm時(shí)，一般采用預(yù)制焊球的方法。絲網(wǎng)印刷法常用于焊球節(jié)距約為200μm的場(chǎng)合。電化學(xué)沉積法可以在光刻技術(shù)能分辨的任何焊球節(jié)距下沉積凸點(diǎn)。因此，電化學(xué)沉積法比其它方法能獲得更小的凸點(diǎn)和更高的凸點(diǎn)密度。采用上述三種方法制備的焊料凸點(diǎn)，往往都須經(jīng)回流焊形成要求的焊球。

圓片級(jí)封裝是一種表面貼裝器件，對(duì)焊球陣列有嚴(yán)格的工藝要求。首先，在芯片和圓片范圍內(nèi)，焊球的高度都要有很好的一致性，以獲得良好的焊球"共面性"。共面性是表面貼裝的重要要求。只有共面性好，才能使圓片級(jí)封裝的各個(gè)焊球與印制板間同時(shí)形成可靠的焊點(diǎn)連接。其次，焊球的合金成分要均勻，不僅要求單個(gè)焊球的成分要均勻，而且要求各個(gè)焊球的成分也要均勻一致。焊球材料成分均勻性好，回流焊特性的一致性也會(huì)好。 焊點(diǎn)連接的可靠性同焊料量的多少有密切的關(guān)系。焊點(diǎn)的高度和直徑增加時(shí)，將使熱疲勞壽命提高。焊點(diǎn)連接的可靠性對(duì)焊球的直徑有一定的要求。對(duì)于節(jié)距為0．75-0．8mm的IC器件來(lái)說(shuō)，焊球的直徑通常為0．5mm。當(dāng)節(jié)距減至0．5mm時(shí)，焊球直徑將減小到0．30-0．35mm。

目前，用得最多的焊球合金材料是Sn／Pb共晶焊料。還使用一些其它焊球合金材料，例如，用于大功率鍵合的高Pb(95Pb／Sn)合金，用于環(huán)保"綠色"產(chǎn)品的無(wú)Pb合金等。

5圓片級(jí)封裝的可靠性

當(dāng)需要對(duì)一種新型圓片級(jí)封裝技術(shù)進(jìn)行評(píng)價(jià)時(shí)，封裝制造廠應(yīng)向用戶提供必要的可靠性資料。如果未提供，用戶應(yīng)向封裝制造廠索取。焊點(diǎn)的典型失效機(jī)理、可靠性試驗(yàn)的條件等都應(yīng)包括在所提供的可靠性資料之中。封裝制造廠要開(kāi)展試驗(yàn)與研究來(lái)確定焊點(diǎn)最常見(jiàn)的失效機(jī)理。焊料疲勞、銹蝕和電遷移就是這類失效機(jī)理的典型代表。應(yīng)注意可靠性試驗(yàn)條件詳細(xì)資料的提供。OEM(原設(shè)備制造)廠商的要求可能因終端應(yīng)用的不同而有很大的變化，甚至同類應(yīng)用也會(huì)有不完全相同的要求。以蜂窩電話的熱循環(huán)要求為例，一種用戶可能要求-40℃~125℃、500次循環(huán)，而另一種用戶就可能要求0~100℃、800次循環(huán)。與此相似，DRAM-SRAM的要求為-40℃~100℃、600~1000次循環(huán)，具體循環(huán)次數(shù)由用戶確定。

進(jìn)行可靠性試驗(yàn)時(shí)，有幾個(gè)問(wèn)題需要特別注意。擬定的失效判據(jù)必須合理，試驗(yàn)樣本的大小應(yīng)恰當(dāng)。具有統(tǒng)計(jì)意義的樣本量，是每個(gè)試驗(yàn)組選取22、45或77個(gè)樣品。這樣的樣本量可以提高試驗(yàn)結(jié)果的置信度。較小的樣本所得到的試驗(yàn)數(shù)據(jù)可以用于可靠性的初步評(píng)估，但不能用來(lái)評(píng)價(jià)項(xiàng)目總的可靠性特性。另外，要正確區(qū)分熱循環(huán)試驗(yàn)與熱沖擊試驗(yàn)的差別，不要將二者相混淆。熱循環(huán)試驗(yàn)采用單工作室系統(tǒng)，以不超過(guò)10~15℃／分的溫度變化率在兩個(gè)溫度極值之間往復(fù)進(jìn)行。通過(guò)熱循環(huán)試驗(yàn)可以獲得焊點(diǎn)的蠕變失效隨時(shí)間變化的關(guān)系。這一試驗(yàn)結(jié)果與現(xiàn)場(chǎng)觀察到的失效模型完全一致。熱循環(huán)試驗(yàn)的溫度變化率比較接近實(shí)際情況，可以用來(lái)模擬應(yīng)用現(xiàn)場(chǎng)。熱沖擊試驗(yàn)是專門(mén)為具有不同結(jié)構(gòu)和不同失效模式的各種封裝而設(shè)置的，其溫度變化率為0~25℃/分。利用熱沖擊試驗(yàn)可以了解焊點(diǎn)的彈性形變和塑性形變隨時(shí)間變化的關(guān)系。這些形變可引發(fā)早期失效。鑒于上述情況，圓片級(jí)封裝、芯片尺寸封裝和焊球陣列封裝都不宜采用熱沖擊試驗(yàn)而應(yīng)選用溫度循環(huán)試驗(yàn)。溫度循環(huán)試驗(yàn)數(shù)據(jù)必須用 可靠性工程分析方法進(jìn)行恰當(dāng)?shù)奶幚?，才能獲取有用的可靠性數(shù)據(jù)和信息。應(yīng)當(dāng)指出，為了揭示失效機(jī)理，封裝級(jí)試驗(yàn)和板級(jí)試驗(yàn)都必須進(jìn)行，單獨(dú)作封裝試驗(yàn)是不行的。表1列出了一種美國(guó)圓片級(jí)封裝產(chǎn)品封裝級(jí)與板級(jí)的可靠性試驗(yàn)結(jié)果。[3]

表1 UCSP75型圓片級(jí)封裝（節(jié)距0.75mm,6×8I/O)規(guī)范類別失效機(jī)理試驗(yàn)方法試驗(yàn)條件試驗(yàn)結(jié)果（失效芯片數(shù)/總芯片數(shù)）封裝級(jí)焊料疲勞熱循環(huán)-65℃/150℃,1000次0/77腐蝕高壓蒸煮121℃,2個(gè)大氣壓，100%RH，168小時(shí)0/77板級(jí)焊料疲勞在FR4板上進(jìn)行熱循環(huán)-40℃/125℃,1000次0/154電遷移，熱遷移高溫工作壽命15mA,1000小時(shí)，Tj=150℃,Ta=125℃0/239金屬間化合物生成過(guò)多高溫貯存150℃,1000小時(shí)0/228腐蝕85℃,85%RH85℃，85%RH，5V偏壓，1000小時(shí)0/221

6 圓片級(jí)封裝技術(shù)的應(yīng)用

圓片級(jí)封裝技術(shù)已廣泛用于集成電路和集成無(wú)源元件。當(dāng)器件的鍵合引線和封裝載體所占的空間成為應(yīng)用上考慮的重點(diǎn)或鍵合弓I線的微小電感影響射頻應(yīng)用和調(diào)整應(yīng)用時(shí)，選用圓片級(jí)封裝技術(shù)是十分適宜的。采用圓片級(jí)封裝技術(shù)的Ic器件相當(dāng)廣泛，包括閃速存儲(chǔ)器、EEPROM、高速DRAM、SRAM、LCD驅(qū)動(dòng)器、射頻器件、邏輯器件、電源／電池管理器件和模擬器件(穩(wěn)壓器、溫度傳感器、控制器、運(yùn)算放大器、功率放大器等)。此外，集成無(wú)源元件也在采用圓片級(jí)封裝技術(shù)。據(jù)報(bào)道，[3]Ericsson公司的藍(lán)牙耳機(jī)中使用了多個(gè)圓片級(jí)封裝的集成無(wú)源元件。目前，大多數(shù)圓片級(jí)封裝器件的I／O數(shù)還較少。不過(guò)，圓片級(jí)封裝技術(shù)正在迅速發(fā)展，將很快就能滿足高I／O數(shù)器件封裝的需要。

7圓片級(jí)封裝技術(shù)的發(fā)展趨勢(shì)

圓片級(jí)封裝技術(shù)要努力降低成本，不斷提高可靠性水平，擴(kuò)大在大型IC方面的應(yīng)用。在焊球技術(shù)方面，將開(kāi)發(fā)無(wú)Pb焊球技術(shù)和高Pb焊球技術(shù)。隨著IC圓片尺寸的不斷擴(kuò)大和工藝技術(shù)的進(jìn)步，IC廠商將研究與開(kāi)發(fā)新一代圓片級(jí)封裝技術(shù)，這一代技術(shù)既能滿足300mm圓片的需要，又能適應(yīng)近期出現(xiàn)的銅布線技術(shù)和低介電常數(shù)層間介質(zhì)技術(shù)的要求。此外，還要求提高圓片級(jí)封裝處理電流的能力和承受溫度的能力。WLBI(圓片級(jí)測(cè)試和老化)技術(shù)也是需要研究的重要課題。WLBI技術(shù)是要在IC圓片上直接進(jìn)行電氣測(cè)試和老化，這對(duì)圓片級(jí)封裝簡(jiǎn)化工藝流程和降低生產(chǎn)成本都具有重要的意義。

8 結(jié)束語(yǔ)

圓片級(jí)封裝技術(shù)是低成本的批量生產(chǎn)芯片封裝技術(shù)。圓片級(jí)封裝與芯片的尺寸相同，是最小的微型表面貼裝器件。由于圓片級(jí)封裝的一系列優(yōu)點(diǎn)，它在移動(dòng)電話、筆記本電腦、電信網(wǎng)絡(luò)設(shè)備、PDA等現(xiàn)代電子裝置中獲得了日益廣泛的應(yīng)用?，F(xiàn)代電子裝置的發(fā)展正推動(dòng)著圓片級(jí)封裝技術(shù)迅速進(jìn)步。世界著名的半導(dǎo)體公司都十分重視圓片級(jí)封裝技術(shù)的研究與開(kāi)發(fā)。Atmel、Bourns、California MicroDevices、Dallas Semiconductor、Fairchild、富士通、日立；International Rectifier、Maxim、Micron、三菱、National Semiconductor、NEC、OKI、Philips、STMicroelectronics、Texaslnstruments、Xicor等眾多半導(dǎo)體廠商都向市場(chǎng)供應(yīng)圓片級(jí)封裝產(chǎn)品。這充分反映了圓片級(jí)封裝技術(shù)在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中的重要地位。我們必須抓住機(jī)遇，高度重視圓片級(jí)封裝技術(shù)的研究和開(kāi)發(fā)。

本文摘自《電子與封裝》

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