當(dāng)前位置:首頁 > 單片機(jī) > 單片機(jī)
[導(dǎo)讀]1 問題的提出  在以單片機(jī)為核心的智能儀表及過程控制系統(tǒng)中常常需要長時間保存實(shí)時參數(shù)。通??刹捎肊2PROM、FLASH MEMORY以及以隨機(jī)存貯器為基礎(chǔ)內(nèi)置電池的非易失芯片來實(shí)現(xiàn)。E2PROM、 FLASHMEMORY屬于可在線修改

1 問題的提出

  在以單片機(jī)為核心的智能儀表及過程控制系統(tǒng)中常常需要長時間保存實(shí)時參數(shù)。通??刹捎肊2PROM、FLASH MEMORY以及以隨機(jī)存貯器為基礎(chǔ)內(nèi)置電池的非易失芯片來實(shí)現(xiàn)。E2PROM、 FLASHMEMORY屬于可在線修改的ROM器件,它解決了應(yīng)用系統(tǒng)中實(shí)時參數(shù)掉電保存的難題,但這類芯片寫入速度慢(ms級),擦寫次數(shù)有限(萬次級),有些器件擦寫次數(shù)雖達(dá)百萬次,對某些應(yīng)用系統(tǒng)而言,其寫入次數(shù)仍然是有限的。因此這類芯片只能用在需要保護(hù)的數(shù)據(jù)量小且寫入不頻繁的系統(tǒng)中。對那些需要大容量高速反復(fù)存取實(shí)時參數(shù)的系統(tǒng),只能用隨機(jī)存貯器RAM加掉電保護(hù)電路實(shí)現(xiàn)。實(shí)現(xiàn)上述原理的掉電保護(hù)方法很多,某些廠商甚至以RAM為基礎(chǔ)內(nèi)置電池開發(fā)出自掉電保護(hù)芯片,用這類獨(dú)立的掉電保護(hù)芯片或電路構(gòu)成的單片機(jī)系統(tǒng),實(shí)際應(yīng)用中有時會出現(xiàn)工作不穩(wěn)定現(xiàn)象。經(jīng)分析發(fā)現(xiàn):若系統(tǒng)電源的變化使RAM先處于保護(hù)狀態(tài),而系統(tǒng)尚未復(fù)位,單片機(jī)仍正常工作,這時就出現(xiàn)寫不進(jìn),讀不出的現(xiàn)象,引發(fā)系統(tǒng)故障。對于這種單片機(jī)復(fù)位電平與掉電保護(hù)電平不一致而影響系統(tǒng)可靠性的問題,本文提出用微處理器監(jiān)控電路使單片機(jī)復(fù)位與掉電保護(hù)聯(lián)動的解決方案。RAM在單片機(jī)復(fù)位時處于保護(hù)狀態(tài),工作時正常存取,從而有效地解決前述問題。

    單片機(jī)自動完成賦予它的任務(wù)的過程,也就是單片機(jī)執(zhí)行程序的過程,即一條條執(zhí)行的指令的過程,所謂指令就是把要求單片機(jī)執(zhí)行的各種操作用的命令的形式寫下來,這是在設(shè)計(jì)人員賦予它的指令系統(tǒng)所決定的,一條指令對應(yīng)著一種基本操作;單片機(jī)所能執(zhí)行的全部指令,就是該單片機(jī)的指令系統(tǒng),不同種類的單片機(jī),其指令系統(tǒng)亦不同。為使單片機(jī)能自動完成某一特定任務(wù),必須把要解決的問題編成一系列指令(這些指令必須是選定單片機(jī)能識別和執(zhí)行的指令),這一系列指令的集合就成為程序,程序需要預(yù)先存放在具有存儲功能的部件——存儲器中。存儲器由許多存儲單元(最小的存儲單位)組成,就像大樓房有許多房間組成一樣,指令就存放在這些單元里,單元里的指令取出并執(zhí)行就像大樓房的每個房間的被分配到了唯一一個房間號一樣,每一個存儲單元也必須被分配到唯一的地址號,該地址號稱為存儲單元的地址,這樣只要知道了存儲單元的地址,就可以找到這個存儲單元,其中存儲的指令就可以被取出,然后再被執(zhí)行。

  2 MAX791[1]芯片介紹

  MAX791是MAXIM公司生產(chǎn)的高性能微處理器電源監(jiān)視電路,它與AMDA公司的AMD791性能相同可以互換。功能包括微處理器復(fù)位、備用電池切換、看門狗電路、CMOS-RAM寫入保護(hù)及電源故障告警等,邏輯框圖如圖2—1[1]。圖中VCC、VOUT分別為電源輸入、輸出,VBATT為電池輸入,為電源低輸出,為RAM芯片使能輸入與輸出,復(fù)位輸出,為人工復(fù)位輸入,為低將強(qiáng)制RESET有效,SWT、WDI、、分別為看門狗定時設(shè)置、觸發(fā)輸入、超時輸出和超時脈沖。PFI和分別為電源故障輸入和輸出,PFI低于1.25 V時變低。MAX791的復(fù)位時序如圖2—2[1]所示。

 

  

    3 掉電保護(hù)電路設(shè)計(jì)

    3.1 硬件設(shè)計(jì)

    圖3—1給出了一種帶掉電保護(hù)的MCS-51[2]、[3]單片機(jī)應(yīng)用系統(tǒng)的原理圖。76C88是CMOS型的RAM芯片,其容量為8K×8,它有兩個片選端和CS2,只有為低電平同時CS2為高電平時芯片才被選中。因此將CS2接MAX791的輸出端,同時寫允許信號通過MAX791的使能控制輸入端和輸出端,間接從MCS-51的引入,保證在系統(tǒng)復(fù)位期間不能讀寫,有效地保護(hù)了76C88中的數(shù)據(jù)。結(jié)合圖2—2 MAX791的復(fù)位時序,圖3—1的電路工作原理分析如下?! ?/p>

    上電過程:當(dāng)VCC從OV上升到復(fù)位門限1.65V,  輸出仍將維持有效電平200ms的時間,保證電源電壓正常后系統(tǒng)的有效復(fù)位。 

    有效期間76C88的CS2處于低電平,即片選信號無效,保證上電過程中片內(nèi)數(shù)據(jù)不被改寫。當(dāng)VCC大于VBATT時,VOUT自動切換到與VCC相接,76C88轉(zhuǎn)由VCC供電。

    RAM(隨機(jī)存取存儲器)RAM -random access memory 隨機(jī)存儲器。存儲單元的內(nèi)容可按需隨意取出或存入,且存取的速度與存儲單元的位置無關(guān)的存儲器。這種存儲器在斷電時將丟失其存儲內(nèi)容,故主要用于存儲短時間使用的程序。 按照存儲信息的不同,隨機(jī)存儲器又分為靜態(tài)隨機(jī)存儲器(Static RAM,SRAM)和動態(tài)隨機(jī)存儲器(Dynamic RAM,DRAM)。

    正常工作:在此狀態(tài)下,CS2為高電平,通過MAX791的使能電路復(fù)制,單片機(jī)可對76C88進(jìn)行讀寫操作。為防止程序跑飛,提高系統(tǒng)的可靠性,在程序中插入看門狗觸發(fā)指令,當(dāng)程序跑飛超過1.6 s不能觸發(fā)看門狗時,輸出低電平,通過MR使系統(tǒng)復(fù)位。

    掉電過程:當(dāng)VCC從正常電壓下降到復(fù)位門限4.65V時,立即有效,CS2變成低電平,76C88進(jìn)入保護(hù)狀態(tài),保證掉電過程中片內(nèi)數(shù)據(jù)不被改寫。當(dāng)VCC小于VBATT時,VOUT自動切換到與VBATT相接,76C88轉(zhuǎn)由后備電池供電。 對多數(shù)應(yīng)用系統(tǒng),上電復(fù)位后程序從頭開始即能滿足要求, 利用MAX791的電源報(bào)警功能,能方便地達(dá)到這一目的:分析圖2-2,當(dāng)VCC下降到4.65V+150mV時,產(chǎn)生負(fù)跳變,向單片機(jī)發(fā)中斷請求,因貯能效應(yīng),VCC從4.8 V降到4.65 V有幾個ms的時間,足夠單片機(jī)執(zhí)行幾百條甚至上千條指令,利用這段時間在中斷服務(wù)程序中保護(hù)斷點(diǎn)及實(shí)時參數(shù)。重新來電后轉(zhuǎn)入斷點(diǎn)繼續(xù)執(zhí)行。

    3.2 軟件設(shè)計(jì) 

  圖3—1所示單片機(jī)系統(tǒng)的軟件可分成主程序和電源報(bào)警中斷服務(wù)程序兩部分。主程序中必須插入指令經(jīng)常觸發(fā)WDI,且間隔時間不能超過1.6s,報(bào)警中斷必須設(shè)置為非屏蔽中斷沒有可以將設(shè)置成唯一的一個高級中斷以替代。程序流程圖如圖3—2。

  4 結(jié)束語

  將復(fù)位與掉電保護(hù)聯(lián)動,能有效解決掉電保護(hù)與復(fù)位不協(xié)調(diào)引起的系統(tǒng)工作不穩(wěn)定現(xiàn)象,提高掉電保護(hù)電路及單片機(jī)應(yīng)用系統(tǒng)的可靠性。以MAX791微處理器監(jiān)控電路構(gòu)成的單片機(jī)掉電保護(hù)系統(tǒng),在電力、石化等工業(yè)現(xiàn)場應(yīng)用效果十分理想。


 

本站聲明: 本文章由作者或相關(guān)機(jī)構(gòu)授權(quán)發(fā)布,目的在于傳遞更多信息,并不代表本站贊同其觀點(diǎn),本站亦不保證或承諾內(nèi)容真實(shí)性等。需要轉(zhuǎn)載請聯(lián)系該專欄作者,如若文章內(nèi)容侵犯您的權(quán)益,請及時聯(lián)系本站刪除。
換一批
延伸閱讀

9月2日消息,不造車的華為或?qū)⒋呱龈蟮莫?dú)角獸公司,隨著阿維塔和賽力斯的入局,華為引望愈發(fā)顯得引人矚目。

關(guān)鍵字: 阿維塔 塞力斯 華為

加利福尼亞州圣克拉拉縣2024年8月30日 /美通社/ -- 數(shù)字化轉(zhuǎn)型技術(shù)解決方案公司Trianz今天宣布,該公司與Amazon Web Services (AWS)簽訂了...

關(guān)鍵字: AWS AN BSP 數(shù)字化

倫敦2024年8月29日 /美通社/ -- 英國汽車技術(shù)公司SODA.Auto推出其旗艦產(chǎn)品SODA V,這是全球首款涵蓋汽車工程師從創(chuàng)意到認(rèn)證的所有需求的工具,可用于創(chuàng)建軟件定義汽車。 SODA V工具的開發(fā)耗時1.5...

關(guān)鍵字: 汽車 人工智能 智能驅(qū)動 BSP

北京2024年8月28日 /美通社/ -- 越來越多用戶希望企業(yè)業(yè)務(wù)能7×24不間斷運(yùn)行,同時企業(yè)卻面臨越來越多業(yè)務(wù)中斷的風(fēng)險,如企業(yè)系統(tǒng)復(fù)雜性的增加,頻繁的功能更新和發(fā)布等。如何確保業(yè)務(wù)連續(xù)性,提升韌性,成...

關(guān)鍵字: 亞馬遜 解密 控制平面 BSP

8月30日消息,據(jù)媒體報(bào)道,騰訊和網(wǎng)易近期正在縮減他們對日本游戲市場的投資。

關(guān)鍵字: 騰訊 編碼器 CPU

8月28日消息,今天上午,2024中國國際大數(shù)據(jù)產(chǎn)業(yè)博覽會開幕式在貴陽舉行,華為董事、質(zhì)量流程IT總裁陶景文發(fā)表了演講。

關(guān)鍵字: 華為 12nm EDA 半導(dǎo)體

8月28日消息,在2024中國國際大數(shù)據(jù)產(chǎn)業(yè)博覽會上,華為常務(wù)董事、華為云CEO張平安發(fā)表演講稱,數(shù)字世界的話語權(quán)最終是由生態(tài)的繁榮決定的。

關(guān)鍵字: 華為 12nm 手機(jī) 衛(wèi)星通信

要點(diǎn): 有效應(yīng)對環(huán)境變化,經(jīng)營業(yè)績穩(wěn)中有升 落實(shí)提質(zhì)增效舉措,毛利潤率延續(xù)升勢 戰(zhàn)略布局成效顯著,戰(zhàn)新業(yè)務(wù)引領(lǐng)增長 以科技創(chuàng)新為引領(lǐng),提升企業(yè)核心競爭力 堅(jiān)持高質(zhì)量發(fā)展策略,塑強(qiáng)核心競爭優(yōu)勢...

關(guān)鍵字: 通信 BSP 電信運(yùn)營商 數(shù)字經(jīng)濟(jì)

北京2024年8月27日 /美通社/ -- 8月21日,由中央廣播電視總臺與中國電影電視技術(shù)學(xué)會聯(lián)合牽頭組建的NVI技術(shù)創(chuàng)新聯(lián)盟在BIRTV2024超高清全產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)展研討會上宣布正式成立。 活動現(xiàn)場 NVI技術(shù)創(chuàng)新聯(lián)...

關(guān)鍵字: VI 傳輸協(xié)議 音頻 BSP

北京2024年8月27日 /美通社/ -- 在8月23日舉辦的2024年長三角生態(tài)綠色一體化發(fā)展示范區(qū)聯(lián)合招商會上,軟通動力信息技術(shù)(集團(tuán))股份有限公司(以下簡稱"軟通動力")與長三角投資(上海)有限...

關(guān)鍵字: BSP 信息技術(shù)
關(guān)閉
關(guān)閉