STM32單片機(jī)硬件關(guān)鍵基礎(chǔ)精華及注意事項(xiàng)

STM32簡(jiǎn)單介紹

　　一、背景

　　如果你正為項(xiàng)目的處理器而進(jìn)行艱難的選擇：一方面抱怨16位單片機(jī)有限的指令和性能，另一方面又抱怨32位處理器的高成本和高功耗，那么，基于 ARM Cortex-M3內(nèi)核的STM32系列處理器也許能幫你解決這個(gè)問(wèn)題。使你不必在性能、成本、功耗等因素之間做出取舍和折衷。

　　即使你還沒(méi)有看完STM32的產(chǎn)品手冊(cè)，但對(duì)于這樣一款融合ARM和ST技術(shù)的“新生兒”相信你和我一樣不會(huì)擔(dān)心這款針對(duì)16位MCU應(yīng)用領(lǐng)域 的32位處理器的性能，但是從工程的角度來(lái)講，除了芯片本身的性能和成本之外，你或許還會(huì)考慮到開(kāi)發(fā)工具的成本和廣泛度；存儲(chǔ)器的種類、規(guī)模、性能和容 量；以及各種軟件獲得的難易，我相信你看完本專題會(huì)得到一個(gè)滿意的答案。

　　對(duì)于在16位MCU領(lǐng)域用慣專用在線仿真器（ICE）的工程師可能會(huì)擔(dān)心開(kāi)發(fā)工具是否能夠很快的上手？開(kāi)發(fā)復(fù)雜度和整體成本會(huì)不會(huì)增加？產(chǎn)品上 市時(shí)間會(huì)不會(huì)延長(zhǎng)？沒(méi)錯(cuò)，對(duì)于32位嵌入式處理器來(lái)說(shuō)，隨著時(shí)鐘頻率越來(lái)越高，加上復(fù)雜的封裝形式，ICE已越來(lái)越難勝任開(kāi)發(fā)工具的工作，所以在32位嵌 入式系統(tǒng)開(kāi)發(fā)中多是采用JTAG仿真器而不是你熟悉的ICE。但是STM32采用串行單線調(diào)試和JTAG，通過(guò)JTAG調(diào)試器你可以直接從CPU獲取調(diào)試 信息，從而將使你的產(chǎn)品設(shè)計(jì)大大簡(jiǎn)化，而且開(kāi)發(fā)工具的整體價(jià)格要低于ICE，何樂(lè)而不為？

　　有意思的是STM32系列芯片上印有一個(gè)蝴蝶圖像，據(jù)ST微控制器產(chǎn)品部Daniel COLONNA先生說(shuō)，這是代表自由度，意在給工程師一個(gè)充分的創(chuàng)意空間。我則“曲解”為預(yù)示著一種蝴蝶效應(yīng)，這種蝴蝶效應(yīng)不僅會(huì)對(duì)方案提供商以及終端產(chǎn) 品供應(yīng)商帶來(lái)舉足輕重的影響，而且會(huì)引起競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手策略的改變……翅膀已煽動(dòng)，讓我們一起靜觀其變！

　　二、STM32市面上流通的型號(hào)

　　截至2010年7月1日，市面流通的型號(hào)有：

　　基本型：STM32F101R6，STM32F101C8，STM32F101R8，STM32F101V8 ，STM32F101RB，STM32F101VB

　　增強(qiáng)型：STM32F103C8，STM32F103R8，STM32F103V8，STM32F103RB，STM32F103VB，STM32F103VE，STM32F103ZE

　　三、STM32系列的作用

　　ARM公司的高性能”Cortex-M3”內(nèi)核

　　1.25DMips/MHz，而ARM7TDMI只有0.95DMips/MHz

　　一流的外設(shè)

　　1μs的雙12位ADC，4兆位/秒的UART，18兆位/秒的SPI，18MHz的I/O翻轉(zhuǎn)速度

　　低功耗

　　在72MHz時(shí)消耗36mA（所有外設(shè)處于工作狀態(tài)），待機(jī)時(shí)下降到2μA

　　最大的集成度

　　復(fù)位電路、低電壓檢測(cè)、調(diào)壓器、精確的RC振蕩器等

　　簡(jiǎn)單的結(jié)構(gòu)和易用的工具

　　四、STM32F10x重要參數(shù)

　　2V-3.6V供電

　　容忍5V的I/O管腳

　　優(yōu)異的安全時(shí)鐘模式

　　帶喚醒功能的低功耗模式

　　內(nèi)部RC振蕩器

　　內(nèi)嵌復(fù)位電路

　　工作溫度范圍：-40℃至+85℃或105℃

　　五、性能特點(diǎn)

　　基本型STM32F101：36MHz CPU，多達(dá)16K字節(jié)SRAM，1x12位ADC溫度傳感器

　　增強(qiáng)型STM32F103：72MHz CPU，多達(dá)20K字節(jié)SRAM，2x12位ADC 溫度傳感，PWM定時(shí)器，CAN，USB

六、STM32互聯(lián)型系列簡(jiǎn)介：

　　全新STM32互連型（Connectivity）系列微控制器增加一個(gè)全速USB（OTG）接口，使終端產(chǎn)品在連接另一個(gè)USB設(shè)備時(shí)既可以 充當(dāng)USB主機(jī)又可充當(dāng)USB從機(jī)；還增加一個(gè)硬件支持IEEE1588精確時(shí)間協(xié)議（PTP）的以太網(wǎng)接口，用硬件實(shí)現(xiàn)這個(gè)協(xié)議可降低CPU開(kāi)銷(xiāo)，提高 實(shí)時(shí)應(yīng)用和聯(lián)網(wǎng)設(shè)備同步通信的響應(yīng)速度。

　　全新互連型系列還是STM32家族中首款集成兩個(gè)CAN2.0B控制器的產(chǎn)品，讓開(kāi)發(fā)人員能夠研制可連接兩條工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)CAN（控制器區(qū)域網(wǎng)）總 線的網(wǎng)關(guān)設(shè)備。此外，新系列微控制器還支持以太網(wǎng)、USB OTG和CAN2.0B外設(shè)接口同時(shí)工作，因此，開(kāi)發(fā)人員只需一顆芯片就能設(shè)計(jì)整合所有這些外設(shè)接口的網(wǎng)關(guān)設(shè)備。

　　STM32互連型系列產(chǎn)品強(qiáng)化了音頻性能，采用一個(gè)先進(jìn)的鎖相環(huán)機(jī)制，實(shí)現(xiàn)音頻級(jí)別的I2S通信。結(jié)合USB主機(jī)或從機(jī)功能，STM32可以從 外部存儲(chǔ)器（U盤(pán)或MP3播放器）讀取、解碼和輸出音頻信號(hào)。設(shè)計(jì)人員還可以在新系列微控制器上開(kāi)發(fā)人機(jī)界面（HMI）功能，如播放和停止按鍵，以及顯示 器界面。這個(gè)功能使其可用于各種家庭音響設(shè)備，如音響底座系統(tǒng)、鬧鐘/音樂(lè)播放器和家庭影院。

　　新系列產(chǎn)品整合先進(jìn)的面向連接的外設(shè)，標(biāo)準(zhǔn)的STM32外設(shè)（包括一個(gè)PWM定時(shí)器），高性能的32位ARM Cortex-M3 CPU，這些特性使開(kāi)發(fā)人員可以在設(shè)備上（如家電、樓宇或工業(yè)自動(dòng)化）整合多種功能，如馬達(dá)控制、用戶界面控制和設(shè)備互連功能。其它目標(biāo)應(yīng)用包括需要聯(lián) 網(wǎng)、數(shù)據(jù)記錄或USB外設(shè)擴(kuò)展功能的系統(tǒng)，如病患監(jiān)視、銷(xiāo)售終端機(jī)、自動(dòng)售貨機(jī)和保安系統(tǒng)。

　　包括新的互連型系列在內(nèi)的STM32系列微控制器具有多種配套軟件和開(kāi)發(fā)工具，其中包括意法半導(dǎo)體免費(fèi)提供的軟件庫(kù)以及第三方工具廠商的廣泛支持。意法半導(dǎo)體還將推出一個(gè)新的評(píng)估板，目前正在向大客戶提供STM32F105和STM32F107互連型系列的樣片。

　　七、STM32新系列產(chǎn)品的功能：

　　STM32互連型系列產(chǎn)品分為兩個(gè)型號(hào)：STM32F105和STM32F107。STM32F105具有USB OTG 和CAN2.0B接口。STM32F107在USB OTG 和CAN2.0B接口基礎(chǔ)上增加了以太網(wǎng)10/100 MAC模塊 。片上集成的以太網(wǎng)MAC支持MII和RMII，因此，實(shí)現(xiàn)一個(gè)完整的以太網(wǎng)收發(fā)器只需一個(gè)外部PHY芯片。只使用一個(gè)25MHz晶振即可給整個(gè)微控制器 提供時(shí)鐘頻率，包括以太網(wǎng)和USB OTG外設(shè)接口。微控制器還能產(chǎn)生一個(gè)25MHz或50MHz的時(shí)鐘輸出，驅(qū)動(dòng)外部以太網(wǎng)PHY層芯片，從而為客戶節(jié)省了一個(gè)附加晶振。

　　音頻功能方面，新系列微控制器提供兩個(gè)I2S音頻接口，支持主機(jī)和從機(jī)兩種模式，既用作輸入又可用作輸出，分辨率為16位或32位。音頻采樣頻 率從8kHz到96kHz。利用新系列微控制器強(qiáng)大的處理性能，開(kāi)發(fā)人員可以用軟件實(shí)現(xiàn)音頻編解碼器，從而消除了對(duì)外部組件的需求。

　　把U盤(pán)插入微控制器的USB OTG接口，可以現(xiàn)場(chǎng)升級(jí)軟件；也可以通過(guò)以太網(wǎng)下載代碼進(jìn)行軟件升級(jí)。這個(gè)功能可簡(jiǎn)化大型系統(tǒng)網(wǎng)絡(luò)（如遠(yuǎn)程控制器或銷(xiāo)售終端設(shè)備）的管理和維護(hù)工作。

　　八、充分發(fā)揮 STM32架構(gòu)的優(yōu)勢(shì)：

　　除新增的功能強(qiáng)化型外設(shè)接口外，STM32互連系列還提供與其它STM32微控制器相同的標(biāo)準(zhǔn)接口，這種外設(shè)共用性提升了整個(gè)產(chǎn)品家族的應(yīng)用靈 活性，使開(kāi)發(fā)人員可以在多個(gè)設(shè)計(jì)中重復(fù)使用同一個(gè)軟件。新STM32的標(biāo)準(zhǔn)外設(shè)包括10個(gè)定時(shí)器、兩個(gè)12位1-Msample/s 模數(shù)轉(zhuǎn)換器 （交錯(cuò)模式下2-Msample/s）、兩個(gè)12位數(shù)模轉(zhuǎn)換器、兩個(gè)I2C接口、五個(gè)USART接口和三個(gè)SPI端口。新產(chǎn)品外設(shè)共有12條DMA通道， 還有一個(gè)CRC計(jì)算單元，像其它STM32微控制器一樣，支持96位唯一標(biāo)識(shí)碼。

　　新系列微控制器還沿續(xù)了STM32產(chǎn)品家族的低電壓和節(jié)能兩大優(yōu)點(diǎn)。2.0V到3.6V的工作電壓范圍兼容主流的電池技術(shù)，如鋰電池和鎳氫電 池，封裝還設(shè)有一個(gè)電池工作模式專用引腳Vbat。以72MHz頻率從閃存執(zhí)行代碼，僅消耗 27mA電流。低功耗模式共有四種，可將電流消耗降至兩微安。從低功耗模式快速啟動(dòng)也同樣節(jié)省電能；啟動(dòng)電路使用STM32內(nèi)部生成的8MHz信號(hào)，將微 控制器從停止模式喚醒用時(shí)小于6微秒。

　　九、存儲(chǔ)器和封裝選項(xiàng)：

　　在STM32F105和STM32F107互連型系列微控制器之前，意法半導(dǎo)體已經(jīng)推出STM32基本型系列、增強(qiáng)型系列、USB基本型系列和 增強(qiáng)型系列；新系列產(chǎn)品沿用增強(qiáng)型系列的72MHz處理頻率。內(nèi)存包括64KB到256KB閃存和 20KB到64KB嵌入式SRAM。新系列采用LQFP64、LQFP100和LFBGA100三種封裝，不同的封裝保持引腳排列一致性，結(jié)合STM32 平臺(tái)的設(shè)計(jì)理念，開(kāi)發(fā)人員通過(guò)選擇產(chǎn)品可重新優(yōu)化功能、存儲(chǔ)器、性能和引腳數(shù)量，以最小的硬件變化來(lái)滿足個(gè)性化的應(yīng)用需求。

　STM32硬件關(guān)鍵設(shè)計(jì)精華集錦

　　如何保證ADC精度之STM32的ADC

　　共有最多3個(gè)ADC模塊，最多21個(gè)ADC輸入通道

　　特性

　　12位分辨率

　　自校準(zhǔn)

　　轉(zhuǎn)換結(jié)束，注入轉(zhuǎn)換結(jié)束和發(fā)生模擬看門(mén)狗事件時(shí)產(chǎn)生中斷

　　帶內(nèi)嵌數(shù)據(jù)一致的數(shù)據(jù)對(duì)齊

　　非常豐富的操作模式

　　雙重模式（帶2個(gè)或以上ADC的器件）

　　ADC轉(zhuǎn)換時(shí)間：

　　1μs：ADC時(shí)鐘為14MHz時(shí)達(dá)到最快

　　14個(gè)時(shí)鐘周期，轉(zhuǎn)換周期可調(diào)：14、20、26、41、54、68、84、252

　　ADC供電要求：2.4V~3.6V

　　ADC輸入范圍：VREF-≤VIN≤VREF+

　　規(guī)則通道轉(zhuǎn)換期間有DMA請(qǐng)求產(chǎn)生

　　模擬看門(mén)狗

ADC輸入通道映射

　　STM32的雙ADC操作模式

ADC的誤差種類

 

　?。?） 理想ADC轉(zhuǎn)換曲線

　?。?） 實(shí)際ADC轉(zhuǎn)換曲線

　?。?） 實(shí)際ADC兩終點(diǎn)連線

　　ET 總誤差：實(shí)際ADC轉(zhuǎn)換曲線與理想曲線間的最 大偏離

　　EO 偏移誤差：實(shí)際轉(zhuǎn)換曲 線上第一次躍遷與理想 曲線中第一次躍遷之差

　　EG 增益誤差：實(shí)際轉(zhuǎn)換曲 線上最后一次躍遷與理 想曲線中最后一次躍遷 之差

　　ED 微分線性誤差：實(shí)際轉(zhuǎn) 換曲線上步距與理想步 距（1LSB）之差

　　EL 積分線性誤差：實(shí)際轉(zhuǎn) 換曲線與終點(diǎn)曲線間最 大偏離

消除影響ADC精度的因素（1）

　　1、ADC模塊自身的誤差

　　積分線性誤差（ILE）和微分線性誤差（DLE）依賴于ADC模塊的設(shè)計(jì)，校準(zhǔn)它們是困難的。進(jìn)行多次轉(zhuǎn)換再做平均可以減小它們的影響。偏移和增益誤差可以簡(jiǎn)單地使用ADC模塊的自校準(zhǔn)功能補(bǔ)償。

　　2、電源噪聲，尤其是開(kāi)關(guān)電源（SMPS）的高頻噪聲

　　線性穩(wěn)壓器具有較好的輸出。強(qiáng)烈建議在整流輸出端連接濾波電容。如果使用開(kāi)關(guān)型電源，建議使用一個(gè)線性穩(wěn)壓器為模擬部分供電。建議在電源線和地 線之間連接具有良好高頻特性的電容，即在靠近電源一端應(yīng)放置一個(gè)0.1μF和一個(gè)1~10μF的電容。每一對(duì)VDD和VSS管腳都需要使用單獨(dú)的去藕電 容。VDDA管腳必須連接到2個(gè)外部的去藕電容器（10nF瓷介電容+1μF的鉭電容或瓷介電容）對(duì)于100腳和144腳封裝的產(chǎn)品，可以在VREF+上 連接一個(gè)外部的ADC的參考輸入電壓，從而改善對(duì)輸入低電壓的精度。

　　消除影響ADC精度的因素（2）

消除影響ADC精度的因素（3）
 

 

　　1、電源輸出不穩(wěn)，隨負(fù)載變化

　　ADC模塊使用VREF+或VDDA作為模擬參考，數(shù)字?jǐn)?shù)值的輸出是這個(gè)參考電壓與模擬輸入信號(hào)的比值，VREF+必須在各種負(fù)載情況下保持穩(wěn)定?？梢允褂弥T如LM236作為VREF+的參考電壓，這是一個(gè)2.5V的電壓參考二極管

　　2、模擬輸入信號(hào)的噪聲

　　平均值方法：適合處理不頻繁變化的模擬輸入信號(hào)，增加一個(gè)外部濾波器消除高頻噪聲。

　　3、將最大的信號(hào)幅度與ADC動(dòng)態(tài)范圍匹配

　　選擇參考電壓（僅適合于具有VREF+引腳的產(chǎn)品），使用一個(gè)外部的前級(jí)放大器。

　　4、I/O引腳間的串?dāng)_（臨近數(shù)字信號(hào)的翻轉(zhuǎn)）

　　模擬信號(hào)線的周?chē)贾玫鼐€產(chǎn)生屏蔽，能有效地減小串?dāng)_干擾噪聲。

　　消除影響ADC精度的因素（4）

VDD與VDDA的處理

　　供電引腳

　　STM32共有7種封裝規(guī)格，共有多組VDD/VSS引腳，以及一組VDDA/VSSA引腳。

　　盡管所有VDD和所有VSS在內(nèi)部相連，在芯片外部仍然需要連接上所有的VDD和VSS。因?yàn)閷?dǎo)線較細(xì)，內(nèi)部連接負(fù)載能力較差，抗干擾的能力也較差，如果漏接VDD或VSS，容易造成內(nèi)部線路損壞，同時(shí)抗干擾能力下降。

　　VDD與VSS的去藕電容

　　每對(duì)VDD與VSS都必須在盡可能靠近芯片處分別放置一個(gè)10nF~100nF的高頻瓷介電容。在靠近VDD3和VSS3的地方放置一個(gè)4.7μF~10μF的鉭電容或瓷介電容。

VDD與VDDA的關(guān)系

 

　　VDDA為所有的模擬電路部分供電，包括：

　　ADC模塊，復(fù)位電路，PVD（可編程電壓監(jiān)測(cè)器），PLL，上電復(fù)位（POR）和掉電復(fù)位（PDR）模塊，控制VBAT切換的開(kāi)關(guān)等。即使不 使用ADC功能，也需要連接VDDA，強(qiáng)烈建議VDD和VDDA使用同一個(gè)電源供電。VDD與VDDA之間的電壓差不能超過(guò)300mV，VDD與VDDA 應(yīng)該同時(shí)上電或調(diào)電。

　　供電方案

　　如何達(dá)到最優(yōu)功耗水準(zhǔn)

　　低功耗模式

I/O引腳的處理

 

　　1、如果需要減小I/O端口的電流消耗，可以根據(jù)具體情況配置I/O端口的狀態(tài)：

　　輸入端口????配置為浮空輸入，帶外部上拉的輸出端口????配置為推挽輸出并輸出’1’，，帶外部下拉的輸出端口????配置為推挽輸出并輸出’0’。

　　2、未用的內(nèi)部外設(shè)：

　　保持為關(guān)閉和默認(rèn)的復(fù)位狀態(tài)：

　　不要進(jìn)行重映射，復(fù)位寄存器RCC_APB1RSTR和RCC_APB2RSTR。關(guān)閉對(duì)應(yīng)的時(shí)鐘，時(shí)鐘使能寄存器：RCC_AHBENR、RCC_APB2ENR和RCC_APB1ENR。

　　進(jìn)入SLEEP模式的省電操作

　　1、為了降低系統(tǒng)功耗，進(jìn)入SLEEP模式時(shí)，執(zhí)行如下操作流程：

　　關(guān)閉無(wú)需等待中斷或事件的外設(shè)時(shí)鐘；設(shè)置進(jìn)入機(jī)制（Sleep-Now或Sleep-on-Exit）；設(shè)置系統(tǒng)進(jìn)入SLEEP模式。

　　2、退出睡眠模式的方式：

　　WFI（等待中斷），可由任一外設(shè)中斷觸發(fā)，WFE（等待事件），可由任一外設(shè)事件觸發(fā)。

　　進(jìn)入STOP省電模式的操作

　　為了降低系統(tǒng)功耗，進(jìn)入STOP模式的操作流程：

　　關(guān)閉設(shè)置為普通IO功能的GPIO口時(shí)鐘；

　　關(guān)閉已開(kāi)啟時(shí)鐘的外設(shè)的使能位（尤其是ADC、DAC、USB等帶模擬模塊的外設(shè)）；

　　關(guān)閉已開(kāi)啟時(shí)鐘的外設(shè)的時(shí)鐘；

　　關(guān)閉預(yù)取緩沖區(qū)，并將Flash等待周期置為0；

　　設(shè)置PWR_CR中LPDS位選擇電壓調(diào)節(jié)器的模式：

　　正常模式：電壓調(diào)節(jié)器處于正常供電狀態(tài)；

　　低功耗模式：可降低電壓調(diào)節(jié)器自身的功耗，

　　將MCU從STOP模式喚醒的時(shí)間有所增加；

　　設(shè)置系統(tǒng)進(jìn)入STOP模式。

　　退出STOP省電模式的操作

　　1、退出停止模式：

　　以WFI進(jìn)入時(shí)：任意外部中斷線的中斷；

　　以WFE進(jìn)入時(shí)：任意外部中斷線的事件；

　　不包括PVD和USB喚醒事件。

　　2、從STOP模式恢復(fù)后，時(shí)鐘的配置返回到復(fù)位時(shí)的狀態(tài)（系統(tǒng)時(shí)鐘為HSI），用戶程序必須重新配置整個(gè)時(shí)鐘系統(tǒng)，包括PLL。

　如何獲得高精度的RTC

　　STM32使用Pierce振蕩器，原理圖及重要參數(shù)如下：

三個(gè)步驟選擇一個(gè)合適的LSE

 

　　第一步：增益裕量（Gainmargin）計(jì)算

　　選擇一個(gè)晶振（參考MCU的數(shù)據(jù)手冊(cè)確定晶振的頻率）

　　計(jì)算晶振的增益裕量（Gainmargin）并檢查其是否大于5：

　　如果Gainmargin《 5，說(shuō)明這不是一個(gè)合適的晶振，應(yīng)當(dāng)再挑選一個(gè)低ESR值和低CL值的晶振，重新第一步。如果Gainmargin》 5，進(jìn)行第二步。

　　第二步：外部負(fù)載電容的計(jì)算

　　計(jì)算CL1和CL2的值，并檢查標(biāo)定為該計(jì)算值的電容是否能在市場(chǎng)上獲得。如果能找到容值為計(jì)算值的電容，則晶振可以在期望的頻率正常起振。然后轉(zhuǎn)到第三步。

　　如果找不到容值為計(jì)算值的電容：

　　該應(yīng)用對(duì)頻率要求很高，你可使用一個(gè)可變電容并將其調(diào)整到計(jì)算值，然后轉(zhuǎn)到第三步。如果對(duì)頻率的要求不是特別苛刻，選擇市場(chǎng)上能獲得的電容中容值距計(jì)算值最近的電容。

　　第三步：驅(qū)動(dòng)級(jí)別及外部電阻的計(jì)算

　　計(jì)算驅(qū)動(dòng)級(jí)別DL并檢查其是否大于DLcrystal：

　　如果DL《 DLcrystal，沒(méi)必要使用外部電阻，祝賀你，你找到了合適的晶振。如果DL》 DLcrystal，你應(yīng)該計(jì)算RExt 使其確保DL《 DLcrystal 并據(jù)此重新計(jì)算Gainmargin。如果Gainmargin》 5，祝賀你，你找到了合適的晶振。如果Gainmargin《 5，你別無(wú)選擇，再重新挑選另外一個(gè)晶振吧。然后重新回到第一步。

　　ST推薦的LSE型號(hào)

　　對(duì)于STM32™的LSE部分，推薦使用CL《7pF的晶振（過(guò)大的CL會(huì)導(dǎo)致過(guò)大的gmcrit，從而無(wú)法保證足夠的增益裕量）。

RTC是一個(gè)計(jì)數(shù)器，對(duì)輸入時(shí)鐘分頻、計(jì)數(shù)、比較

 

　　RTC的校準(zhǔn)

　　設(shè)置BKP_RTCCR寄存器，每220（1048576）個(gè)時(shí)鐘周期中，減去相應(yīng)周期數(shù)，每個(gè)單位能實(shí)現(xiàn)0.954（1000000/220） ppm的精度校準(zhǔn)，BKP_RTCCR寄存器取值范圍0-127，時(shí)鐘可以調(diào)慢0 -121 ppm。

　　對(duì)于32，768Hz晶振，可補(bǔ)償頻偏范圍為：32，768Hz 《 fLSE《 32，772Hz ????調(diào)慢，設(shè)置RTC預(yù)分頻寄存器RTC_PRLH / RTC_PRLL。

　　例如：由預(yù)設(shè)值32768調(diào)整為32766，再設(shè)置BKP_RTCCR寄存器，此時(shí)，對(duì)于32，768Hz晶振，可補(bǔ)償頻偏范圍：

復(fù)位電路

 

　　外部復(fù)位信號(hào)低脈沖至少保持300ns，系統(tǒng)復(fù)位信號(hào)不影響備份區(qū)域的工作，NRST復(fù)位引腳是CMOS工藝的開(kāi)漏電路。在產(chǎn)生內(nèi)部復(fù)位信號(hào)時(shí)，NRST引腳會(huì)輸出一個(gè)低電平。

　　SWJ調(diào)試電路

　　SWJ電路設(shè)計(jì)及注意事項(xiàng)

調(diào)試燒錄失敗的常見(jiàn)原因

 

　　1、目標(biāo)芯片沒(méi)有正確連接，不能正常工作：

　　解決方法：確保目標(biāo)板的最小系統(tǒng)正確連接，芯片能正常工作：VDD、VDDA及VSS 、VDDS已全部正確連接，復(fù)位電路能夠可靠復(fù)位，各復(fù)位源不互相影響。

　　2、芯片內(nèi)原先燒錄的代碼影響了新的調(diào)試操作：

　　芯片內(nèi)原先燒錄的代碼出錯(cuò)，芯片上電運(yùn)行，進(jìn)入未定義狀態(tài)，不能進(jìn)入調(diào)試模式。芯片內(nèi)原先燒錄的代碼啟動(dòng)了某些外設(shè)，或者將SWJ引腳配置為普通I/O口。

　　解決方法：選擇芯片的BOOT0/BOOT1引腳從RAM啟動(dòng)，或先擦除芯片內(nèi)代碼。

　　3、芯片已被讀/寫(xiě)保護(hù)：

　　調(diào)試工具不能讀寫(xiě)芯片內(nèi)置的Flash。

　　解決方法：先使用調(diào)試工具解除芯片的讀/寫(xiě)保護(hù)。
STM32硬件電路設(shè)計(jì)注意事項(xiàng)

 

　　STM32的基本系統(tǒng)主要涉及下面幾個(gè)部分：

　　1、電源

　　1）、無(wú)論是否使用模擬部分和AD部分，MCU外圍出去VCC和GND，VDDA、VSSA、Vref（如果封裝有該引腳）都必需要連接，不可懸空；

　　2）、對(duì)于每組對(duì)應(yīng)的VDD和GND都應(yīng)至少放置一個(gè)104的陶瓷電容用于濾波，并接該電容應(yīng)放置盡量靠近MCU；

　　2、復(fù)位、啟動(dòng)選擇

　　1）、Boot引腳與JTAG無(wú)關(guān)。其僅是用于MCU啟動(dòng)后，判斷執(zhí)行代碼的起始地址；

　　2）、在電路設(shè)計(jì)上可能Boot引腳不會(huì)使用，但要求一定要外部連接電阻到地或電源，切不可懸空；

　　3、調(diào)試接口

　　4、ADC

　　1）、ADC是有工作電壓的，且與MCU的工作電壓不完全相同。MCU工作電壓可以到2.0V～3.6V，但ADC模塊工作的電壓在2.4V～3.6V。設(shè)計(jì)電路時(shí)需要注意。

　　5、時(shí)鐘

　　1）、STM32上電默認(rèn)是使用內(nèi)部高速RC時(shí)鐘（HSI）啟動(dòng)運(yùn)行，如果做外部時(shí)鐘（HSE）切換，外部時(shí)鐘是不會(huì)運(yùn)行的。因此，判斷最小系統(tǒng)是否工作用示波器檢查OSC是否有時(shí)鐘信號(hào)，是錯(cuò)誤的方法；

　　2）、RTC時(shí)鐘要求使用的32.768振蕩器的寄生電容是6pF，這個(gè)電容區(qū)別于振蕩器外部接的負(fù)載電容；

　　5、GPIO

　　1）、IO推動(dòng)LED時(shí)，建議盡量考慮使用灌電流的方式。

　　2）、在Stop等低功耗模式下，為了更省電，通常情況下建議GPIO配置為帶上拉的輸出模式，輸出電平由外部電路決定；

　　6、FSMC

　　1）、對(duì)應(yīng)100pin或144pin，F(xiàn)SMC的功能與I2C是存在沖突的，如果FSMC時(shí)鐘打開(kāi)，I2C 1的硬件模式無(wú)法工作。這在STM32F10xxx的勘誤表中是有描述的。

　　ST官方推薦的幾大主流開(kāi)發(fā)板的原理圖，在畫(huà)電路的時(shí)候可以做為參考依據(jù)：

　　1、IAR

　　1）、STM32F103RBT6

　　2）、STM32F103ZET6

　　2、MDK

　　1）、STM32F103RBT6

　　2）、STM32F103ZET6

　　3、Raisonance

　　1）、STM32F103RBT6

　　2）、STM32F103VET6

　　4、ST官方的板

　　1）、STM3210E-LK

　　2）、STM3210B-EVAL

　　3）、STM3210E-EVAL

　　4）、STM3210C-EVAL