一、Flash簡(jiǎn)介
通過(guò)對(duì)stm32內(nèi)部的flash的讀寫可以實(shí)現(xiàn)對(duì)stm32的編程操作。
stm32的內(nèi)置可編程Flash在許多場(chǎng)合具有十分重要的意義。如其支持ICP(In Circuit Programming，在電路編程；在線編程)特性使得開發(fā)人員對(duì)stm32可以警醒調(diào)試開發(fā)，可以通過(guò)JTAG和SWD接口對(duì)stm32進(jìn)行程序燒寫；支持IAP(In Application Programming，在應(yīng)用中編程)使得開發(fā)人員可以在stm32運(yùn)行程序的時(shí)候?qū)ζ鋬?nèi)部程序進(jìn)行更新操作。對(duì)一些對(duì)數(shù)據(jù)安全有要求的場(chǎng)合，可編程FLASH可以結(jié)合stm32內(nèi)部唯一的身份標(biāo)識(shí)實(shí)現(xiàn)各種各樣的防破解方案。并且stm32的FLASH在一些輕量級(jí)的防掉電存儲(chǔ)方案中也有立足之地。
stm32的FLASH分為主存儲(chǔ)塊和信息塊。主存儲(chǔ)塊用于保存具體的程序代碼和用戶數(shù)據(jù)，信息塊用于負(fù)責(zé)由stm32出廠時(shí)放置2KB的啟動(dòng)程序(BootLoader)和512B的用戶配置信息區(qū)。
主存儲(chǔ)器是以頁(yè)為單位劃分的。stm32根據(jù)FLASH主存儲(chǔ)塊容量、頁(yè)面的不同，系統(tǒng)存儲(chǔ)器的不同，分為小容量、中容量、大容量、互聯(lián)型，共四類產(chǎn)品。
小容量產(chǎn)品：主存儲(chǔ)塊1-32KB， 每頁(yè)1KB。系統(tǒng)存儲(chǔ)器2KB
中容量產(chǎn)品：主存儲(chǔ)塊64-128KB， 每頁(yè)1KB。系統(tǒng)存儲(chǔ)器2KB
大容量產(chǎn)品：主存儲(chǔ)塊256KB以上， 每頁(yè)2KB。系統(tǒng)存儲(chǔ)器2KB
互聯(lián)型產(chǎn)品：主存儲(chǔ)塊256KB以上， 每頁(yè)2KB。系統(tǒng)存儲(chǔ)器18KB
對(duì)于具體一個(gè)產(chǎn)品屬于哪類，可以查數(shù)據(jù)手冊(cè)，或根據(jù)以下簡(jiǎn)單的規(guī)則進(jìn)行區(qū)分：
STM32F101xx、STM32F102xx 、STM32F103xx產(chǎn)品，根據(jù)其主存儲(chǔ)塊容量，一定是小容量、中容量、大容量產(chǎn)品中的一種，STM32F105xx、STM32F107xx是互聯(lián)型產(chǎn)品。
對(duì)Flash的寫入操作要遵循“先擦除后寫入”的原則。
stm32的內(nèi)置Flash編程操作都是以頁(yè)為單位寫入的，而寫入的操作必須要以32位字或16位半字寬度數(shù)據(jù)為單位，允許跨頁(yè)寫；寫入非字或半字長(zhǎng)數(shù)據(jù)時(shí)將導(dǎo)致stm32內(nèi)部總線錯(cuò)誤。
代碼實(shí)現(xiàn)
二 程序代碼
flash.h
#ifndef __FLASH_H
#define __FLASH_H
#include "stm32f10x.h"
u8 Write_Flash(char *buff, u8 len);
void Read_Flash(char *buff, u8 len);
#endif
flash.c
#include "flash.h"
#include "stm32f10x_it.h"
#define WriteFlashAddress ((u32)0x08020000)//讀寫起始地址（內(nèi)部flash的主存儲(chǔ)塊地址從0x08000000開始）
/*******************************************************************************
* 函數(shù)名：Write_Flash
*描述 ：寫STM32指定地址的Flash
*輸入 ：buff:寫入數(shù)據(jù)緩沖區(qū)，len:寫入數(shù)據(jù)長(zhǎng)度
*輸出 ：無(wú)
*返回值 ：u8：寫成功返回1，失敗返回0
*說(shuō)明 ：無(wú)
*******************************************************************************/
u8 Write_Flash(char *buff, u8 len)
{
volatile FLASH_Status FLASHStatus;
u8 k=0;
u32 Address;
Address = WriteFlashAddress;
FLASHStatus = FLASH_COMPLETE;
FLASH_Unlock();//解鎖
FLASH_ClearFlag(FLASH_FLAG_BSY | FLASH_FLAG_EOP | FLASH_FLAG_PGERR | FLASH_FLAG_WRPRTERR);//清除所有標(biāo)志
FLASHStatus = FLASH_ErasePage(WriteFlashAddress);//扇區(qū)擦除
if(FLASHStatus == FLASH_COMPLETE)
{
for(k=0;(k { FLASHStatus = FLASH_ProgramWord(Address, buff[k]);//寫入一個(gè)字（32位）的數(shù)據(jù)入指定地址 Address = Address + 4;//地址偏移4個(gè)字節(jié) } FLASH_Lock();//重新上鎖，防止誤寫入 } else { return 0; } if(FLASHStatus == FLASH_COMPLETE) { return 1; } return 0; } /******************************************************************************* * 函數(shù)名：Read_Flash *描述 ：讀STM32指定地址的Flash *輸入 ：buff:讀出數(shù)據(jù)緩沖區(qū)，len:讀出數(shù)據(jù)長(zhǎng)度 *輸出 ：無(wú) *返回值 ：無(wú) *說(shuō)明 ：無(wú) *******************************************************************************/ void Read_Flash(char *buff, u8 len) { u8 k; u32 Address; Address = WriteFlashAddress; for(k=0;k { buff[k] = (*(vu32*) Address);//讀指定地址的一個(gè)字的數(shù)據(jù) Address += 4;//地址偏移4個(gè)字節(jié) } } main.c int main(void) { u32 in_data[5]={11,22,33,44,55};//要寫入的數(shù)據(jù) u32 out_data[5];//讀存放 int i; u8 STATUS=0; USART1_Config();//串口1配置 GPIO_Configuration();//GPIO配置，用于點(diǎn)亮led STATUS=Write_Flash(in_data,5); Delay(0x02FFFF); if(STATUS) { GPIO_SetBits(GPIOD, GPIO_Pin_13);//點(diǎn)亮led1 Read_Flash(out_data,5); //printf("rn The Five Data Is : rn"); //for(i=0;i<5;i++) //{ // printf("r %d r",out_data[i]); //} } while(1); }
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