MSP430F149內(nèi)部Flash操作
硬件介紹：
要對(duì)Flash讀寫，首先要了解MSP430的存儲(chǔ)器組織。430單片機(jī)的存儲(chǔ)器組織結(jié)構(gòu)采用馮諾依曼結(jié)構(gòu)，RAM和ROM統(tǒng)一編址在同一尋址空間中，沒有代碼空間和數(shù)據(jù)空間之分。
一般430的單片機(jī)都統(tǒng)一編址在0-64k地址范圍中，只有少數(shù)高端的型號(hào)才能突破64k（如：FG461x系列）。絕大多數(shù)的msp430單片機(jī)都編址在64kB范圍內(nèi)。地址的大概編碼方式如下：
這是msp430f425的存儲(chǔ)器分配圖，其他在64k范圍內(nèi)的存儲(chǔ)器的單片機(jī)編址方式與此類似：低256B是寄存器區(qū)，然后是RAM；空白；1000H到10FFH是信息Flash區(qū)；大于1100H-0FFFFH是主存儲(chǔ)器區(qū)(從0FFFFH開始往低地址有單片機(jī)的主Flash，多余的部分空白)。
MSP430F14x的Flash分布：
MSP430F16x的Flash分布：
主Flash部分和信息Flash部分如下(60kB Flash對(duì)應(yīng)的單片機(jī)，如msp430f149、msp430f149)：
主Flash分為以512B為段的單位，0段是單片機(jī)中斷向量等程序入口地址，使用時(shí)不要擦除此段或改寫此段，若要擦除或是改寫，請(qǐng)先保存內(nèi)容到RAM或其他段；主Flash各段內(nèi)容均要避免寫入或擦除，以免造成不可預(yù)料的后果。
信息Flash分為兩段：段A和段B，每段128B；可以保存用戶自己的內(nèi)容(主Flash也可以但是要避免與程序代碼區(qū)沖突)；這里就把信息Flash的兩段稱為InfoA(1080H-10FFh)和InfoB(1000H-10FFH)。
Flash的操作包括：字或字節(jié)寫入；塊寫入；段擦除；主Flash擦除；全部擦除。任何的Flash操作都可以從Flash或從RAM中運(yùn)行。
Flash操作時(shí)需要時(shí)序發(fā)生器，F(xiàn)lash控制器內(nèi)部含有時(shí)序發(fā)生器用以產(chǎn)生所需的Flash時(shí)鐘，F(xiàn)lash時(shí)鐘的范圍必須在257kHz到476kHz之間。時(shí)序發(fā)生器的框圖如下：
時(shí)序發(fā)生器可以選擇ACLK、MCLK、SMCLK作為時(shí)鐘源，通過分頻獲得所需的257kHz到476kHz之間的Flash操作時(shí)鐘。如果時(shí)鐘頻率不再這個(gè)范圍內(nèi)，將會(huì)產(chǎn)生不可預(yù)料的結(jié)果。
擦除：擦除之后，存儲(chǔ)器中的bit都變?yōu)?；Flash中的每一位都可以通過編程寫入有1到0，但是要想由0變?yōu)?，必須通過擦除周期。擦除的最小單位是段。有三種擦除模式：
MERASERASEEraseMode 01Segmenterase 10Masserase(allmainmemorysegments) 11Eraseallflashmemory(mainandinformation.segments)
可以通過MERAS、ERASE位來設(shè)置擦除的模式：段擦除，主Flash擦除，全部擦除。
對(duì)要擦除段內(nèi)的一個(gè)地址空寫入啟動(dòng)擦出周期：空寫入可以啟動(dòng)時(shí)序發(fā)生器和擦除操作?？諏懭牒驜USY位立即變高直到擦除周期結(jié)束，這一位變?yōu)榈?0)。BUSY, MERAS和 ERASE位在擦除周期結(jié)束后會(huì)自動(dòng)復(fù)位。擦除周期的時(shí)間和要擦出的Flash大小無(wú)關(guān)，每次擦除的時(shí)間對(duì)于MSP430F1xx系系列單片機(jī)來說，所需時(shí)間是一樣的。擦除的時(shí)序如下：
當(dāng)空寫入到的地址不在要擦除的段地址范圍內(nèi)的時(shí)候，空寫入無(wú)效，直接被忽略。在擦除周期內(nèi)，應(yīng)該關(guān)中斷，直到擦除完成，重新開中斷，擦除期間的中斷已經(jīng)置標(biāo)志位，開中斷后立即響應(yīng)。
從Flash中啟動(dòng)的擦除操作：擦除操作可以從Flash中啟動(dòng)或是從RAM中啟動(dòng)。當(dāng)操作是從Flash中啟動(dòng)的時(shí)候，F(xiàn)lash控制器控制了操作時(shí)序，CPU運(yùn)行被暫停直到擦除結(jié)束。擦除周期結(jié)束后，CPU繼續(xù)執(zhí)行，從空寫入之后的指令開始運(yùn)行。當(dāng)從Flash中啟動(dòng)擦除操作時(shí)，可以擦除即將運(yùn)行的程序所在的段，如果擦除了即將運(yùn)行的程序所在的Flash段時(shí)，擦除結(jié)束后，CPU的運(yùn)行不可預(yù)料。
從Flash啟動(dòng)時(shí)擦除周期如下：
用戶指南里面的示例匯編程序如下：
;SegmentErasefromflash.514kHz
從RAM中啟動(dòng)擦除操作：任意擦除周期都可以從RAM啟動(dòng)，這時(shí)CPU不再暫停而是繼續(xù)從RAM中運(yùn)行接下來的程序。CPU可以訪問任何Flash地址之前，必須檢查BUSY位以確定擦除周期結(jié)束。如果BUSY = 1訪問Flash，這是一個(gè)訪問沖突，這時(shí)ACCVIFG將被設(shè)置，而擦除的結(jié)果將是不可預(yù)測(cè)的的。
從RAM中啟動(dòng)擦除操作時(shí)，過程如下：
要在擦除之前確認(rèn)沒有訪問Flash，然后擦除完成之前不允許訪問Flash。
;SegmentErasefromRAM.514kHz
寫Flash操作：寫入的模式由WRT和BLKWRT位來確定：
BLKWRTWRTWriteMode 01Byte/wordwrite 11Blockwrite
這兩種模式中塊寫入大約是字或字節(jié)寫操作時(shí)的兩倍快，因?yàn)樵趬K寫入完成之前，變成電壓一直維持直到塊寫入完成。同一個(gè)位置不能在擦除周期之前寫入兩次或以上，否則將發(fā)生數(shù)據(jù)損壞。寫操作時(shí)，BUSY位被置1，寫入完成后，BUSY被自動(dòng)清零。如果寫操作是從RAM發(fā)起的，在BUSY=1時(shí)，程序不能訪問Flash，否則會(huì)發(fā)生訪問沖突，置位ACCVIFG，F(xiàn)lash寫入操作不可以預(yù)料。
字或字節(jié)寫入：字或字節(jié)寫入可以從Flash內(nèi)部發(fā)起，也可以從RAM中發(fā)起。如果是從Flash中啟動(dòng)的寫操作，時(shí)序?qū)⒂蒄lash控制，在寫入完成之前CPU運(yùn)行將被暫停。寫入完成后CPU將繼續(xù)運(yùn)行。
操作時(shí)序如下：
若是從RAM中啟動(dòng)寫Flash，程序?qū)⒗^續(xù)從RAM中運(yùn)行。CPU再次訪問Flash之前必須確認(rèn)BUSY位已經(jīng)清零，否則會(huì)發(fā)生訪問沖突，置位ACCVIFG，寫入的結(jié)果將不可預(yù)料。
字或字節(jié)寫入模式下，內(nèi)部產(chǎn)生的編程電壓時(shí)適用于完整的64個(gè)字節(jié)塊的寫入 Inbyte/wordmode,theinternally-generatedprogrammingvoltageisapplied tothecomplete64-byteblock,eachtimeabyteorwordiswritten,for32ofthe 35fFTGcycles.Witheachbyteorwordwrite,theamountoftimetheblockis subjectedtotheprogrammingvoltageaccumulates.Thecumulative programmingtime,tCPT,mustnotbeexceededforanyblock.Ifthecumulative programmingtimeismet,theblockmustbeerasedbeforeperformingany furtherwritestoanyaddresswithintheblock.
從Flash發(fā)起寫字節(jié)或字時(shí)：
;Byte/wordwritefromflash.514kHz
下載文檔
