MSP430F5438A 內(nèi)存Flash 讀寫操作
[導(dǎo)讀]
1、msp430的存儲結(jié)構(gòu)采用馮.依曼結(jié)構(gòu)，即RAM和Flash在同一個尋址空間內(nèi)統(tǒng)一編址，沒有代碼空間和數(shù)據(jù)空間之分。2、Flash是以段為為基本結(jié)構(gòu)進(jìn)行存儲的?？傮w上分三部分：Flash主存儲區(qū)：用于存儲程序代
1、msp430的存儲結(jié)構(gòu)采用馮.依曼結(jié)構(gòu)，即RAM和Flash在同一個尋址空間內(nèi)統(tǒng)一編址，沒有代碼空間和數(shù)據(jù)空間之分。
2、Flash是以段為為基本結(jié)構(gòu)進(jìn)行存儲的?？傮w上分三部分：
Flash主存儲區(qū)：用于存儲程序代碼，被分成4個扇區(qū)，每個扇區(qū)分128seg, 每個seg段 大小為64 * 1024 / 128 = 512B。 Flash控制器可以以位、字節(jié)、或者字的格式寫入Flash控制器。但是控制器最小的擦除單位是段。
BSL存儲區(qū)：是存儲器的引導(dǎo)加載存儲器，可以用于存儲引導(dǎo)加載程序，分4段，每段512B，每段可以單獨擦除、
信息存儲區(qū)：主要用于存儲需要掉電后永久保存的數(shù)據(jù)，分4段，每段128B。 每段可以單獨擦寫。
3、Flash內(nèi)存模型
4、內(nèi)存組織
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