STM32——FLASH(掉電保存)
[導(dǎo)讀]今天使用STM32的FLASH進(jìn)行保存數(shù)據(jù)，實(shí)現(xiàn)掉電保存的功能。掉電保存：使用FLASH存儲(chǔ)時(shí)，在每一次數(shù)據(jù)刷新后，進(jìn)行一次存儲(chǔ)即可。PS：重新下載時(shí)，會(huì)刷新保存的數(shù)據(jù)。FLASH編程思路：寫入：先執(zhí)行擦除數(shù)據(jù)（頁擦除||全
今天使用STM32的FLASH進(jìn)行保存數(shù)據(jù)，實(shí)現(xiàn)掉電保存的功能。
掉電保存：使用FLASH存儲(chǔ)時(shí)，在每一次數(shù)據(jù)刷新后，進(jìn)行一次存儲(chǔ)即可。
PS：重新下載時(shí)，會(huì)刷新保存的數(shù)據(jù)。
FLASH編程思路：
寫入：先執(zhí)行擦除數(shù)據(jù)（頁擦除||全片擦除），再進(jìn)行寫入操作
寫入范圍：0x08000000 +程序大小 < 寫入地址 + 寫入字節(jié) <= flash大小（根據(jù)芯片的數(shù)據(jù)手冊(cè)可以查看）
flash寫入過程：
1，讀FLASH_CR的LOCK
2，F(xiàn)LASH_SR的BSY位，是否有其他編程正在操作
3，設(shè)置FLASH_CR的PG位為1
4，指定的地址寫入要編程的半字
5，等待BSY位變?yōu)?
6，讀出寫入的地址并驗(yàn)證數(shù)據(jù)
flash頁擦除過程
1，讀FLASH_CR的LOCK
2，檢查FLASH_SR的BSY位，是否有其他編程正在操作
3，置FLASH_CR的PER = 1;
4，用FLASH_AR選擇要擦除的頁
5，置FLASH_CR的STRT = 1
5, 等待BSY位變?yōu)?
6，讀出驗(yàn)證擦除頁的數(shù)據(jù)
附上程序源碼：
鏈接：http://pan.baidu.com/s/1eSDu7Fs 密碼：ksf0
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