朱老師ARM裸機(jī)學(xué)習(xí)筆記（三）：CPU和與外部存儲器的接口

內(nèi)存和外存的概念內(nèi)存

內(nèi)存指 內(nèi)部存儲器，運行程序的地方 RAM

外存指 外部存儲器， 保存數(shù)據(jù)或者文件的地方 ROM

內(nèi)存通過數(shù)據(jù)總線和地址總線直接和CPU 相連接。
好處 ： 訪問速度快，操作方式方便
壞處 ： 占用CPU地址空間

外存通過CPU的外存控制器接口和CPU 相連接。
好處 ： 不占用CPU I/O資源
壞處 ： 讀取速度較慢，訪問外存控制器的時序較為復(fù)雜。

NOR Flash
最早出現(xiàn)的Flash存儲器，支持總線式訪問，代碼可以直接在Nor中運行，CPU可以像訪問內(nèi)存一樣訪問Nor Flash，在嵌入式發(fā)展到額初期階段常用于存儲啟動代碼，例如s3c2440開發(fā)板的Nor Flash啟動。

Nand Flash
集成密度高，存儲空間較大，相對于Nor來說很便宜，讀取速度比Nor慢，寫入速度比Nor快，需要專門的讀寫電路。但是穩(wěn)定性不如Nor，會出現(xiàn)壞塊，讀寫數(shù)據(jù)需要校驗。此外Nand Flash 還分為 SLC顆粒和MLC顆粒，詳細(xì)情況見后文。

SATA硬盤

SD卡/TF卡/MMC卡
eMMC/iNand/moviNand
(Embedded Multi Media Card) MMC協(xié)會所訂立的、主要是針對手機(jī)或平板電腦等產(chǎn)品的內(nèi)嵌式存儲器標(biāo)準(zhǔn)規(guī)格。eMMC的一個明顯優(yōu)勢是在封裝中集成了一個控制器，它提供標(biāo)準(zhǔn)接口并管理閃存。
iNAND是SanDisk公司研發(fā)的存儲芯片，可以簡單的看成SD卡或MMC卡芯片化。用戶完全可以默認(rèn)他是SD卡或者M(jìn)MC卡。
moviNand是三星公司研發(fā)的存儲芯片，功能類似于iNand。
OneNand
三星公司研發(fā)的結(jié)合Nor優(yōu)點和Nand Flash 高容量存儲特點的Flash
eSSD
Embeded SSD 采用 MLC Nand Flash技術(shù)
此幾類Flash都是基于Nand Flash 的 都是在Nand Flash的基礎(chǔ)上加入讀寫控制電路以及檢驗和壞塊檢測電路等制成的。

SLC（Single-Level Cell ）單層單元閃存，每個單元存儲一位數(shù)據(jù)，一般而言，SLC雖然生產(chǎn)成本較高，但在效能上大幅勝于MLC。

MLC（Multi-Level Cell) 多層單元閃存，通過使用大量的電壓等級，每一個單元儲存兩位數(shù)據(jù)，數(shù)據(jù)密度比較大。

A.讀寫速度較慢。相對主流SLC芯片，MLC芯片目前技術(shù)條件下，理論速度只能達(dá)到2MB左右，因此對于速度要求較高的應(yīng)用會有一些問題。
B.MLC能耗比SLC高，在相同使用條件下比SLC要多15%左右的電流消耗。
C.MLC理論寫入次數(shù)上限相對較少，因此在相同使用情況下，使用壽命比較SLC短。
D.MLC的價格比SLC低30％~40%，有些甚至更低。