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[導(dǎo)讀]一、 首先先來(lái)看看核心板的原理圖我們發(fā)現(xiàn)數(shù)據(jù)線才有8條,而并沒(méi)有地址信號(hào),所以該8條線一定是可以傳數(shù)據(jù),也可以傳地址。而地址線肯定又不夠,那么,地址肯定又是多次發(fā)出的。從datasheet可以看到它要發(fā)出5個(gè)周期的

一、 首先先來(lái)看看核心板的原理圖

我們發(fā)現(xiàn)數(shù)據(jù)線才有8條,而并沒(méi)有地址信號(hào),所以該8條線一定是可以傳數(shù)據(jù),也可以傳地址。而地址線肯定又不夠,那么,地址肯定又是多次發(fā)出的。從datasheet可以看到它要發(fā)出5個(gè)周期的地址。那怎樣分別是命令還是地址?

CLE——Command Locked Enable 當(dāng)該引腳輸入為高電平,則發(fā)出的是命令

ALE——Address Locked Enable 當(dāng)該引腳輸入為高電平,則發(fā)出的是地址

當(dāng)兩個(gè)引腳輸入為低電平時(shí),8條總線上傳輸?shù)氖菙?shù)據(jù)。

CEn為片選信號(hào),因?yàn)镹andFlash與DDR共用數(shù)據(jù)線,因此需要選中是用DDR還是NandFlash

WE和RE為是讀還是寫(xiě)。

RNB表示燒寫(xiě)狀態(tài),當(dāng)該引腳輸出為高電平時(shí),表示已經(jīng)燒寫(xiě)完成,進(jìn)入ready狀態(tài);當(dāng)為低電平,表忙狀態(tài)。

如何訪問(wèn)NandFlash?

那就需要參照datasheet的參考時(shí)序:

因?yàn)?410內(nèi)部集成NandFlash控制器,因此控制NandFlash就很簡(jiǎn)單,只需控制Nandflash控制器即可。步驟為:

(1)初始化NandFlash控制器

a. 發(fā)出片選信號(hào)——nCE

(2)發(fā)出命令

對(duì)于6410,因?yàn)橛蠳andFlash控制器,只需把命令寫(xiě)到NFCMD寄存器,如果沒(méi)有NandFlash控制器,需要進(jìn)行以下步驟:

a.先把數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)到data0~7數(shù)據(jù)線上

b. 使CLE輸出1

c.使WE從0變?yōu)?

(3)發(fā)出地址

對(duì)于6410,因?yàn)橛蠳andFlash控制器,只需把命令寫(xiě)到NFADDR寄存器,如果沒(méi)有NandFlash控制器,需要進(jìn)行以下步驟:

a.先把地址驅(qū)動(dòng)到data0~7數(shù)據(jù)線上

b. 使ALE輸出1

c.使WE從0變?yōu)?

(4)發(fā)數(shù)據(jù)

對(duì)于6410,因?yàn)橛蠳andFlash控制器,只需把命令寫(xiě)到NFDATA寄存器,如果沒(méi)有NandFlash控制器,需要進(jìn)行以下步驟:

a.先把數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)到data0~7數(shù)據(jù)線上

b. 使CLE輸出0

c. 使ALE輸出0

d.使WE從0變?yōu)?

(5)讀數(shù)據(jù)

對(duì)于6410,因?yàn)橛蠳andFlash控制器,只需把命令寫(xiě)到NFDATA寄存器,如果沒(méi)有NandFlash控制器,需要進(jìn)行以下步驟:

a. 使RE輸出0

b. 等待tRAE

c. NandFlash數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)到data0~7,6410便可以讀數(shù)據(jù)

下面看看NandFlash的訪問(wèn)周期:

其中,行地址表示訪問(wèn)哪一頁(yè),列地址表示訪問(wèn)哪個(gè)地址,上圖中,3、4、5表示訪問(wèn)哪一頁(yè),1、2表示訪問(wèn)這頁(yè)的哪個(gè)地址。

現(xiàn)在知道怎樣操作NandFlash了,從硬件上也知道它的結(jié)構(gòu),后面我們來(lái)寫(xiě)NandFlash驅(qū)動(dòng)就更容易了!


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