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[導(dǎo)讀]本文介紹了一個(gè)用于2并5串(5S2P)組合的AR111 LED燈的驅(qū)動(dòng)器參考設(shè)計(jì)?! 「攀觥 ”緟⒖荚O(shè)計(jì)以MAX16819為主控制器,為5S2P AR111 LED燈提供buck-boost驅(qū)動(dòng)方案。圖1為電路原理圖,圖2給出了設(shè)計(jì)布局圖?! ∪缦聻殡?

本文介紹了一個(gè)用于2并5串(5S2P)組合的AR111 LED燈驅(qū)動(dòng)器參考設(shè)計(jì)。

  概述

  本參考設(shè)計(jì)以MAX16819為主控制器,為5S2P AR111 LED燈提供buck-boost驅(qū)動(dòng)方案。圖1為電路原理圖,圖2給出了設(shè)計(jì)布局圖。

  如下為電氣輸入要求、輸出特性:

  VIN:12VAC ±10%

  PWM輸入:不適用

  VLED配置:5S2P,每只LED電壓為3VDC至3.8VDC (每串19VDC,最大值),每串電流500mA

  以下詳細(xì)討論了該參考設(shè)計(jì),分析其主電路模塊和設(shè)計(jì)規(guī)范。

  圖1. LED驅(qū)動(dòng)器原理圖

  圖2. LED驅(qū)動(dòng)器布局

  設(shè)計(jì)分析

  AR111 LED燈參考設(shè)計(jì)可驅(qū)動(dòng)總共10只LED—2串并聯(lián)、每串5只LED。輸入電壓為12VAC、容差±10%。肖特基二極管D1至D4構(gòu)成全波整流電路,電容C1至C8用于電壓濾波。根據(jù)對(duì)LED閃爍的要求,可以去掉一些濾波電容以降低成本。這些電容中包含一個(gè)鉭電容,具有較好的溫度特性。

  因?yàn)長(zhǎng)ED按照5S2P排列,不可能達(dá)到完全匹配的電流。假設(shè)LED燈具有良好的匹配度,使電流差異降至最小??刂泼看甃ED的數(shù)量及混合架構(gòu)的燈管數(shù)量,有助于減輕電流匹配度的影響。

  MAX16819設(shè)計(jì)用作buck調(diào)節(jié)器,也可以設(shè)置成buck-boost模式。但是,這種配置下會(huì)犧牲一定的電流精度。

  電感選擇

  按照下式計(jì)算LED電流:

  其中,IL是電感電流。上式表明LED電流等于輸入、輸出電壓修正后的電感電流。VIN的波動(dòng)(120Hz紋波)將導(dǎo)致LED電流隨之波動(dòng)。

  利用下式計(jì)算電感電流:

  本設(shè)計(jì)中,平均LED電流為1A,平均VIN為13V,平均VLED為19V。因此,所要求的電感電流為:

  可利用80mΩ檢流電阻調(diào)整電感電流。輸入電壓較低(假設(shè)10V左右)時(shí),LED電流跌落到大約850mA;輸入電壓達(dá)到16V時(shí),LED電流可以達(dá)到1.12A左右。

  電感L1工作在250kHz開(kāi)關(guān)頻率,平均電流為2.46A,峰值電流為2.83A??蛇x擇Coilcraft®的電感MSS1260-393ML,電感值為39µH,額定連續(xù)電流為2.6A (40°C溫升),飽和電流為3.08A (電感值下降10%)。

  過(guò)壓保護(hù)

  負(fù)載開(kāi)路時(shí),R7、R8和Q2可提供過(guò)壓(OV)保護(hù)。如果沒(méi)有過(guò)壓保護(hù)電路,處于開(kāi)路狀態(tài)的LED將導(dǎo)致輸出電壓失控,損壞器件。過(guò)壓保護(hù)門(mén)限約為30V。

  熱管理

  R2、R4、R5、R6和U2提供折返式熱管理。R4為100kΩ負(fù)溫度系數(shù)熱敏電阻(常數(shù)B = 4250)。當(dāng)溫度達(dá)到50攝氏度時(shí),電阻R4的阻值降低,使U2控制引腳的電壓提高,導(dǎo)致部分電流流過(guò)R6和R2。這些電流可降低輸入檢流電阻R1的電壓,從而降低電感和LED的電流。隨著溫度的升高,R2電壓進(jìn)一步增大,使LED電流進(jìn)一步降低。最后,隨著LED電流的降低,使溫度恢復(fù)到正常范圍,達(dá)到系統(tǒng)平衡。折返式熱管理架構(gòu)允許LED燈用于空氣流通條件有限的場(chǎng)合,無(wú)需考慮過(guò)熱問(wèn)題。熱管理可能使燈管亮度受到輕微影響,但仍可保持能夠接受的照明亮度。

  Q1 (STN3NF06L)為60V、0.07Ω、邏輯電平控制的MOSFET,采用SOT223封裝。這款MOSFET具有很小的柵極總電荷(Qg = 9nC,最大值),能夠使開(kāi)關(guān)損耗保持在最小。器件損耗近似為:400mW (傳導(dǎo)損耗)和500mW (開(kāi)關(guān)損耗),共計(jì)900mW。封裝熱阻為38°C/W,將導(dǎo)致管芯溫度比PCB溫度高出34°C。還需考慮可能的誤差因素,以保留更多裕量。

  PCB布局

  PCB設(shè)計(jì)中,所有器件都放置在電路板頂層,底層保留用作地。實(shí)際應(yīng)用中,電路安裝在鋁結(jié)構(gòu)上,能夠提供較好的接地和散熱性能。頂層設(shè)計(jì)采用較大的覆銅面積,以改善與鋁結(jié)構(gòu)之間的導(dǎo)熱能力。

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