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[導(dǎo)讀]摘要:鎖相電路在多路LED驅(qū)動(dòng)芯片中得到了普遍地應(yīng)用,壓控振蕩器是鎖相電路的關(guān)鍵組成部分。文中采用弛張振蕩器的原理提出了一種電壓調(diào)節(jié)范圍寬、增益線性度高和具有極低功琵的壓控振蕩器(VCO)電路結(jié)構(gòu),并基于0.5

摘要:鎖相電路在多路LED驅(qū)動(dòng)芯片中得到了普遍地應(yīng)用,壓控振蕩器是鎖相電路的關(guān)鍵組成部分。文中采用弛張振蕩器的原理提出了一種電壓調(diào)節(jié)范圍寬、增益線性度高和具有極低功琵的壓控振蕩器(VCO)電路結(jié)構(gòu),并基于0.5μm的CMOS工藝對(duì)該VCO進(jìn)行了設(shè)計(jì)。仿真結(jié)果表明在引入60Hz擺幅為0.5V的電源噪聲的情況下,其頻率抖動(dòng)在2%以?xún)?nèi),電路平均功耗在1mW左右,滿足LED驅(qū)動(dòng)的應(yīng)用。
關(guān)鍵詞:鎖相電路;壓控振蕩器;調(diào)節(jié)線性度;頻率抖動(dòng)

    近年來(lái),LED憑借著節(jié)能、環(huán)保和長(zhǎng)壽耐用等方向的優(yōu)勢(shì)成為繼白熾燈、熒光燈和高強(qiáng)度氣體燈之后的第四代光源由LED具有發(fā)射光特性隨著平均驅(qū)動(dòng)電流而轉(zhuǎn)移的性質(zhì),大多數(shù)LED驅(qū)動(dòng)芯片設(shè)計(jì)采用PWM調(diào)光。PWM調(diào)光信號(hào)必須存滿足回應(yīng)時(shí)間要求的前提下,在調(diào)光頻率與對(duì)比度方面進(jìn)行折中 一般來(lái)說(shuō)調(diào)光頻率越低對(duì)比度越高。鎖相電路因自身特點(diǎn)在多路LED驅(qū)動(dòng)芯片中得到了普遍地應(yīng)用,由鎖相環(huán)時(shí)鐘器提供LED芯片所需的調(diào)光頻率,而VCO為鎖相電路的重要組成部分,所以一個(gè)線性度好、功耗低的VCO對(duì)低功耗LED驅(qū)動(dòng)芯片的性能具有重要影響。本文設(shè)計(jì)了一款用于LED驅(qū)動(dòng)芯片的低頻VCO電路,具有較低的功率耗散,增益線性度好且增益可調(diào)的特點(diǎn)。
    本文首先介紹了VCO的基本原理,然后對(duì)本文所提出的壓控振蕩的原理和微調(diào)增益線性度進(jìn)行了分析,并通過(guò)HISPICE軟件對(duì)電路進(jìn)行仿真。

1 VCO的設(shè)計(jì)
1.1 基本原理
    鎖相技術(shù)是一種利用反饋技術(shù)實(shí)現(xiàn)頻率和相位同步的技術(shù),其主要作用是將電路輸出的時(shí)鐘與系統(tǒng)的參考輸入時(shí)鐘保持同步。當(dāng)參考輸入時(shí)鐘的頻率或相位發(fā)生改變時(shí),鎖相環(huán)會(huì)檢測(cè)到這種變化,并且通過(guò)其內(nèi)部的反饋系統(tǒng)來(lái)調(diào)節(jié)輸出頻率和相位,直到兩者重新同步。


    其中壓控振蕩器是鎖相電路的關(guān)鍵組成部分,在大多數(shù)應(yīng)用要求振蕩頻率是“可調(diào)的”,也就是說(shuō),其輸出頻率足一個(gè)輸入的函數(shù)。這個(gè)輸入經(jīng)常為電壓。一個(gè)理想的壓控振蕩器其輸出頻率是其輸入電壓的線性函數(shù),如圖2所示:
    ωout=ω0+K0Vc             (1)


    這里,ω0表示對(duì)應(yīng)于Vc=0時(shí)的截距,而K0表示電路的增益(單位為rad/V·s。頻率可以達(dá)到的范圍,ω2-ω1,被稱(chēng)為“調(diào)節(jié)范圍”。
1.2 電路結(jié)構(gòu)
    通常從振蕩電路的分類(lèi)來(lái)看,一般分為諧波式振蕩器和弛張振蕩器兩種。前者由于需要集成晶體與電感,在集成電路中實(shí)現(xiàn)有一定的難度,同時(shí)其輸出頻率不能夠通過(guò)外部調(diào)節(jié)在大范圍內(nèi)變動(dòng),因此在現(xiàn)代集成電路設(shè)計(jì)中,更多的壓控振蕩器屬于弛張振蕩器。本文所設(shè)計(jì)的壓控振蕩器采用的就是弛張振蕩器的原理,電路結(jié)構(gòu)如圖3所示:


    M1和M2管工作時(shí)分別產(chǎn)生電流IM1和IM2,兩電流之和IA為電流鏡的輸入電流。
   
    式中μn為溝道載流子的遷移率,Cox為單位長(zhǎng)度柵氧化層電容,VBIAS心為一基準(zhǔn)電壓。
    電容C1的充電電流為IC,對(duì)于一恒定的充電電流,由于電容電壓不會(huì)產(chǎn)生突變,所以C1上的電壓會(huì)隨時(shí)間線性上升。當(dāng)C1上的電壓高于VH時(shí),D觸發(fā)器的R端置1,則Qn為1,因此VOUT也為1,而M3管開(kāi)啟,電容C1上的電荷開(kāi)始通過(guò)R2、M3到地放電,則C1上的電壓開(kāi)始下降,當(dāng)C1上的電壓低于VL時(shí),D觸發(fā)器的S端置1,VOUT為0,M3管截止。IC繼續(xù)給電容C1充電,C1上的電荷增多,繼而電壓上升。如此反復(fù),VOUT端為高電平為1,低電平為0的方波。
    IC·ton=C1·(VH-VL)      (5)
    ton為電容充電時(shí)間,即M3管導(dǎo)通時(shí)間。
    由于IC相對(duì)于電阻R2和M3組成的通路的放電電流要小的多,所以放電時(shí)忽略IC對(duì)電容的充電作用。
    根據(jù)零輸入響應(yīng)電容電壓的公式

    當(dāng)VIN為0時(shí),VCO依然有頻率輸出因?yàn)閂BIAS會(huì)使M2常開(kāi),所以電流IA始終不會(huì)為0。IM6,IM7,IM8分別為IA的鏡像電流,而IC=IM6+IM7 +IM8,所以IC也應(yīng)為電流IA的鏡像,數(shù)字信號(hào)VA與VB控制著M4和M5的開(kāi)啟和關(guān)斷,從而控制電容充電電流IC的大小,繼而改變VCO的輸出頻率。
    調(diào)節(jié)線性度是描述壓控振蕩器的增益的穩(wěn)定性。因?yàn)?strong>壓控振蕩器的增益直接與鎖相環(huán)系統(tǒng)的穩(wěn)定性相關(guān),所以必須保證在整個(gè)調(diào)節(jié)范圍內(nèi)有高的線性度、若是KVCO變化大則會(huì)導(dǎo)致鎖相環(huán)的失鎖,VCO的輸出只為高電平或是低電平。
    在M1加上R1是為了引入負(fù)反饋,使IM1隨VIN的變化更線性。一般R1越大線性度越好。由于版圖面積和系統(tǒng)要求,R1一般選擇在幾百千歐左右。因?yàn)镮M是uA級(jí),所以公式(2)可簡(jiǎn)化為
    IM1≈(VIN-VTH)/R1      (8)
    在電路設(shè)計(jì)中,使時(shí)間常數(shù)τ盡量小,則相對(duì)于充電時(shí)間,放電時(shí)間可忽略、所以
    f≈l/ton (9)
    因此頻率f與VIN成線性關(guān)系
1.3 仿真結(jié)果
    利用上華0.5μm CMOS工藝和HSPICE軟件對(duì)這種設(shè)計(jì)方法進(jìn)行了仿真驗(yàn)證。


    如圖4所示,曲線依次從上至下為VA=0,VB=0;VA=1,VB=0;VA=0,VB=1;VA=1,VB=1四種情況下VOUT的頻率隨輸入電壓VIN變化的仿真圖??煽闯鲈谛酒ぷ鞯妮斎腚妷?~4V間,該VCO的工作穩(wěn)定。具有良好的線性度。


    在相位鎖定的狀態(tài)下,如圖5所示, (b)、(d)VA=0,VB=0;VA=1,VB=1兩種情況下在鎖相電路穩(wěn)定的時(shí),VCO在電源電壓引入噪聲時(shí)的頻率抖動(dòng)情況。兩種情況下的頻率抖動(dòng)分別為:
    4672.4×3.6957×10-6≈1.7%
    102590×135.38×10-9≈1.4%
    經(jīng)仿真得出VA=0,VB=0;VA=1,VB=1兩種情況下在鎖相電路穩(wěn)定的時(shí),VCO的平均功耗分別為550.24μW,1.1352mW。

2 結(jié)束語(yǔ)
    本文所設(shè)計(jì)的VCO具有結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,調(diào)節(jié)線性度高,功耗低等優(yōu)點(diǎn)。由于引入負(fù)反饋電阻R1使增益更穩(wěn)定,當(dāng)給電源電壓加上擺幅為0.5 V,頻率為60Hz的正弦信號(hào)噪聲時(shí),輸出頻率的抖動(dòng)在2%以?xún)?nèi),這個(gè)電路的功耗在1mW左右。此款VCO可廣泛應(yīng)用于低功耗,低頻LED驅(qū)動(dòng)電路中。

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