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[導讀]摘要:文章介紹了一種LED恒流驅動電路,由于恢復二極管的選用不當,造成了回路瞬時電流大,器件發(fā)熱,效率低下的問題,通過仔細分析電路,找到了原因并加以解決。 關鍵詞:LED;恒流驅動;恢復二極管;反向恢復時間

摘要:文章介紹了一種LED恒流驅動電路,由于恢復二極管的選用不當,造成了回路瞬時電流大,器件發(fā)熱,效率低下的問題,通過仔細分析電路,找到了原因并加以解決。
關鍵詞:LED;恒流驅動;恢復二極管;反向恢復時間

0 引言
   
在全球能源短缺的背景下,節(jié)能己成為全球熱議的話題。2011年我國耗電總量46928億kWh,其中照明用電占12%,約5631億度,可見在照明領域的節(jié)能有著重要的效益。照明節(jié)能的重點在于提高光源的光效和降低燈具本身損耗,LED作為新一代綠色照明光源,具有環(huán)保、節(jié)能、壽命長、體積小等特點,必將是21世紀代表性的新型光源。
    LED的亮度與通過它的正向電流成正比。從LED的伏安特性可知,當采用恒壓供電時,電源電壓的波動會引起LED電流較大的變化;另外LED伏安特性有具有負溫度系數(shù)的特點,工作過程中隨溫度的升高,亮度會減小。實際應用時,一般采用多只LED串聯(lián)方式,不同廠家或同一廠家的LED離散性較大,為了保證串聯(lián)LED有相同的亮度,延長LED壽命,恒流驅動是理想的選擇。
    文章針對實際應用中的一種3W白色LED恒流驅動電路,由于續(xù)流回路恢復二極管的選用問題,造成器件發(fā)熱,無法滿足設計要求,通過器件工作原理的仔細分析,找到了問題并得到了解決。

1 問題引出
   
LED恒流驅動電路一般由PWM芯片、MOSFET管、電感及續(xù)流恢復二極管構成。圖1為一種實際應用中的電路原理圖,恒流驅動由PWM芯片U1(HV9910B)、MOSFET管Q1、3W白色LED D3、恢復二極管D2、電感L3、工作頻率選擇電阻R1、電流采樣電阻R2、R3、R4及濾波電容C6~C9組成。
設計要求恒流電流為630mA,D2設計初期選用了快速恢復二極管FR207,通電工作時,發(fā)現(xiàn)LED回路電流約200mA,LED亮但亮度不夠,此時D2、R2、R3、R4、Q1管發(fā)熱嚴重。



2 工作原理
2.1 HV9910B特點及應用領域
   
HV9910B是Supertex公司在2007年推出的一種高效的PWM控制的LED驅動器,其供電電壓范圍為DC8V~DC450V,開關頻率高達300kHz,可以外接電阻設置。LED由恒流驅動,輸出電流由數(shù)mA至1A。特點如下:
    ●輸入電壓范圍為DC8V~DC450V;
    ●輸出電流由幾mA到1A以上,既能驅動小功率LED,也能驅動大功率LED;
    ●可以方便地組成降壓式、升/降壓式架構,以滿足不同供電電壓的需求;
    ●它可以驅動1個LED到上百個LED;
    ●轉換效率高,可達90%;
    ●組成的驅動器電路簡單,外圍元器件少,不僅占PCB板面積小,并且生產(chǎn)成本低;
    ●內(nèi)部有能輸入DC450V高壓、輸出7.5V的線性穩(wěn)壓器,無須外接降壓電阻,使電路更簡單,并可輸出作模擬調(diào)光電路的電流;
    ●有兩種工作模式:恒定頻率模式及恒定關斷時間模式;
    ●有兩種調(diào)光方式:模擬調(diào)光方式和PWM調(diào)光方式;
    ●輸出驅動電流大小用一個外設電阻RCS設定。
    8引腳的HV9910B的管腳定義和功能如表1所示。


2.2 工作原理
   
圖2是HV9910B的內(nèi)部框圖及典型應用電路。直流電壓直接加于VIN腳,當VDD腳超過開啟閾值后,柵極驅動器工作,GATE腳輸出電壓使MOSFET管導通并運行在開關狀態(tài),MOSFET管的源極接電流檢測電阻RCS,其電壓加于CS腳,當該電壓超過峰值電流檢測閾值時,柵極驅動信號終止,MOSFET管截止。由于閾值電壓內(nèi)部設定為250mV,所以,MOSFET管峰值電流由檢測電阻RCS決定。


    外接電路說明:Q代表MOSFET管;D代表續(xù)流回路恢復二極管;L代表回路電感;ROSC代表頻率設定電阻;LED代表發(fā)光二極管。
    由于MOSFET管工作在開關狀態(tài),導通時,電感充電電流上升;截止時,電感放電電流減小。顯然,電流到達峰值的時間與電感選用有關系。嚴格地說,經(jīng)過LED電流是脈動起伏的,不是直流,其平均值與電感值有關。根據(jù)電感電流是否連續(xù)可以分成如下三種模式,見圖3。這三種工作模式各有優(yōu)缺點,按實際情況進行選用。a模式電流變化范圍小,具有較小的磁滯損耗,一般工作頻率較高,功率管的開關損耗大,電源電壓變化對應的電流精度高;c模式電流變化大,具有較大的磁滯損耗,一般工作頻率較低,功率管的開關損耗小,電源電壓變化對應的電流精度低;b模式介于這兩種模式之間,同時具有這兩種模式的優(yōu)缺點。對應市電應用的場合,負載功率高時,建議選用a模式,負載功率適中可選用b模式,負載功率低則可選用c模式。文章中實際電路選用了a模式。



3 問題分析
   
圖1中采用恒定頻率的工作模式,電流采樣電阻RCS(由R2、R3、R4并聯(lián)組成),R1電阻阻值為100k Ω,工作頻率為200kHz。
    通電后,U1的GATE管腳輸出高電平,Q1導通,+24V電源電流經(jīng)濾波器件后到U1管腳1,再經(jīng)D3、L3、Q1、RCS流回24V地,此時是電感L3儲能過程;U1通過電流采樣電阻RCS檢測其兩端的電壓,當電壓達到250mV時,U1的GATE管腳輸出低電平,關斷Q1?;芈分杏捎陔姼蠰3存儲了電能,當Q1關斷后,L3將釋放其儲能,釋放回路為:電流從L3的一端流出,經(jīng)D2、D3,最后回到L3的+端,維持D3繼續(xù)發(fā)光。
3.1 恢復二極管恢復特性
   
二極管和一般開關的不同在于“開”與“關”由所加電壓的極性決定,而且“開”態(tài)有微小的壓降,“關”態(tài)有微小的電流。當電壓由正向變?yōu)榉聪驎r,電流并不立刻成為-I0,而是在一段時間ts內(nèi)反向電流始終很大,二極管并不關斷;經(jīng)過ts后,反向電流才逐漸變小,再經(jīng)過tf時間,二極管的電流才成為-I0,二極管關斷,如圖4所示。ts稱為儲存時間,tf稱為下降時間,trr稱為反向恢復時間,以上過程稱為反向恢復過程,這實際上是由電荷存儲效應引起的。反向恢復時間就是存儲電荷耗盡所需要的時間。


    圖5是引用超快速恢復二極管ES1D的使用手冊中的關斷特性曲線和測試電路。從圖中可以看出,ES1D反向恢復時間35ns,比普通二極管的恢復時間要短得多,同時ts也要小。


    從圖4、5可知,由于反向恢復過程存在,當二極管的兩端電壓由正向變?yōu)榉聪驎r,二極管并不馬上關斷,經(jīng)過trr后才真正關斷。
3.2 MOSFET管導通特性
   
圖6是MOSFET管的開關時間測試電路與波形。
3.2.1 開啟時間ton
   
當VGS由低電平變?yōu)楦唠娖綍r,MOSFET管導通,VDS由高電平變?yōu)榈碗娖健OSFET管從截止到飽和所需的時間就是開啟時間,包括VGS導通延遲時間td(on)和VDS的導通時間tr。即
    ton=td(on)+tr
3.2.2 關閉時間toff
   
當VGS由高電平變?yōu)榈碗娖綍r,MOSFETF管截止,VDS由高電平變?yōu)榈碗娖?。MOSFET管從截止到飽和所需的時間就是關斷時間。包括VGS關斷延遲時間td(off)和VDS的關斷時間tf。即
    toff=td(off)+tf
    通常情況下,toff>ton,開關時間一般在納ns數(shù)量級,高頻應用時需考慮。
3.3 問題原因
   
由于恢復二極管trr的客觀存在,圖1中電路的實際工作過程如下:
    工作階段:U1中GATA輸出高電平,經(jīng)過ton時間后,Q1導通,D2關斷,24V電源從正流出,經(jīng)濾波電路后到U1管腳1,再經(jīng)D3、L3、Q1、RCS流回電源負端。此時L3充電儲能。
    續(xù)流階段:U1中GATA輸出低電平,經(jīng)過toff時間后,Q1關斷,D2正向導通,電流從L3的+端流出,經(jīng)D2、D3,最后回到L3的一端,電感釋放儲能。
    純消耗階段:Q1導通,D2處于trr階段;24V電源從正流出,經(jīng)D2(D2反向導通),Q1、RCS回到電源負。RCS阻值為0.4 Ω,此時回路電流很大(24/0.4=60A),且能量全部轉換為熱能,消耗在D2、R2、R3、R4、Q1管上,引起器件的發(fā)熱。
    文章中電路工作是工作階段、續(xù)流階段、純消耗階段三種階段周而復始的循環(huán)過程。純消耗階段越短,電流流經(jīng)D3回路的時間越長,裝置效率越高。
    文章中電路初期設計中,選用了快速恢復二極管FR207,trr為150ns,當MOSFET管工作頻率為200kHz時,即周期為5 μs,根據(jù)圖3中的描述,電感電流工作在連續(xù)的模式,此時在一個周期中,占空比略大于0.5,也就是說trr為工作階段的的6%(0.1 5/2.5=0.06),另外純消耗階段回路電流(60/0.63≈10)約為其他階段的10倍,正是FR207的trr太大造成了器件發(fā)熱,效率低,達不到設計要求。
3.4 問題的解決
   
將FR207更換為ES1D后,純消耗階段縮短了4倍,問題解決。實際上將ES1D更換為肖特基二極管SS1100效果更好,用測試設備測試FR20、ES1D、SS1100的恢復時間,結果SS1100最短(約為10 ns),同時驗證了本章的分析。

4 結論
   
在由PWM芯片實現(xiàn)的LED恒流驅動電路中,續(xù)流回路二極管應該選用trr短的超快速恢復二極管,當電壓低時,盡量選用肖特基二極管。通常情況,我們常常會忽略掉純消耗階段的存在,真正理解了二極管的反向恢復特性,才能設計出合理的電路。另外當二極管在較高頻率當作“開關”使用時,如果反向脈沖的持續(xù)時間比trr短,則二極管在正、反向都可導通,起不到開關作用,即二極管的單向導電性在一定的頻率范圍內(nèi)是正確的。

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