觸控新技術反撲，ITO(IndiumTinOxide；銦錫氧化物)相關產(chǎn)業(yè)鏈挑戰(zhàn)迫在眉梢。供應鏈業(yè)者分析，ITO透明導電膜聲勢不如以往，觸控產(chǎn)業(yè)面臨下一波技術競賽。
供應鏈業(yè)者指出，由于ITO的特性與原料有限，引發(fā)相關產(chǎn)業(yè)鏈憂心未來發(fā)展，推動眾家廠商紛紛轉(zhuǎn)向研發(fā)新材料，有意藉由新材料、新技術來搶回市場主導權。影響所及，近年來ITO替代品逐漸受到市場關愛眼光，包括：奈米碳管、奈米銀線技術、奈米金屬網(wǎng)格(metalmesh)薄膜、奈米金屬蒸鍍(nano-metal)薄膜、有機透明導電膜、奈米碳管以及石墨烯等。
關于ITO材料
ITO是IndiumTinOxides的縮寫。作為納米銦錫金屬氧化物，具有很好的導電性和透明性，可以切斷對人體有害的電子輻射、紫外線及遠紅外線。因此，銦錫氧化物通常噴涂在玻璃、塑料及電子顯示屏上，用作透明導電薄膜，同時減少對人體有害的電子輻射及紫外、紅外。
ITO是一種N型氧化物半導體-氧化銦錫,ITO薄膜即銦錫氧化物半導體透明導電膜，通常有兩個性能指標：電阻率和透光率。在氧化物導電膜中，以摻Sn的In2O3(ITO)膜的透過率最高和導電性能最好，而且容易在酸液中蝕刻出細微的圖形，其中透光率達90%以上。ITO中其透光率和阻值分別由In2O3與SnO2之比例來控制，通常SnO2:In2O3=1:9。
目前ITO膜層之電阻率一般在5*10E-4左右，最好可達5*10E-5，已接近金屬的電阻率，在實際應用時，常以方塊電阻來表征ITO的導電性能，其透過率則可達90%以上，ITO膜之透過率和阻值分別由In2O3與SnO2之比例控制，增加氧化銦比例則可提高ITO之透過率，通常SnO2:In2O3=1:9，因為氧化錫之厚度超過200Å時，通常透明度已不夠好---雖然導電性能很好。
如用是電流平行流經(jīng)ITO脫層的情形，其中d為膜厚，I為電流，L1為在電流方向上膜厚層長度，L2為在垂直于電流方向上的膜層長主，當電流流過方形導電膜時，該層電阻R=PL1/dL2式中P為導電膜之電阻率，對于給定膜層，P和d可視為定值，P/d，當L1=L2時，怒火正方形膜層，無論方塊大小如何，其電阻均為定值P/d，此即方塊電阻定義：R□=P/d，式中R□單位為：歐姆/□（Ω/□），由此可所出方塊電阻與IOT膜層電阻率P和ITO膜厚d有關且ITO膜阻值越低，膜厚越大。
在LCD顯示屏設計當中，不僅要考慮走線布對ITO阻值的影響，還要考慮生產(chǎn)工藝對ITO阻值的影響，以便選擇適當方塊電阻的ITO玻璃，以便設計到制作的全面控制，生產(chǎn)高對比的LCD產(chǎn)品，這時高占空比及COG產(chǎn)品無為重要，如ITO膜厚的均勻性，因為ITO的靶材及工藝的不穩(wěn)定，會使同樣長度與寬度的ITO阻值發(fā)生變化，如目標值為10Ω時，其R□范圍在8-12Ω之間，所以在生產(chǎn)中要使用ITO膜厚均勻的導電玻璃，以減少電阻的變化，其次為ITO玻璃的耐高溫時性，酸堿性，因為通常LCD生產(chǎn)工藝中要使用高溫烘烤及各種酸堿液的浸泡，而一般在300°C*30min的環(huán)境中，會使R□增大2-3倍，而在10wt%NaOH*5min及6wt%HCL*2min（60°C）下也會增到1.1倍左右，由此可知，在生產(chǎn)工藝中不宜采用高溫生產(chǎn)及酸堿的長時清洗，若無法避免，則應盡量在低溫下進行并盡量縮短動作時間。
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