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[導(dǎo)讀]孟志國,吳春亞,熊紹珍南開大學(xué) 光電子所暨天津市光電子薄膜器件與技術(shù)重點實驗室(天津市南開區(qū)衛(wèi)津路94號,300071) 摘要:有源選址平板顯示已成為信息產(chǎn)業(yè)的重要支柱。目前,我國的技術(shù)根源多取自于外,何時、如

孟志國,吳春亞,熊紹珍

南開大學(xué) 光電子所暨天津市光電子薄膜器件與技術(shù)重點實驗室


(天津市南開區(qū)衛(wèi)津路94號,300071)

摘要:有源選址平板顯示已成為信息產(chǎn)業(yè)的重要支柱。目前,我國的技術(shù)根源多取自于外,何時、如何能達(dá)到自主創(chuàng)新?

1、引言

平板顯示已經(jīng)成為人們?nèi)粘I钆c生產(chǎn)中不可或缺的必需品之一。其產(chǎn)業(yè)地位、技術(shù)含量以及對國民經(jīng)濟發(fā)展的帶動作用,已經(jīng)可與集成微電子學(xué)的地位相比擬,成為新興的產(chǎn)業(yè)和學(xué)科。它的技術(shù)或?qū)W科基礎(chǔ),是以薄膜晶體管(TFT)為單元的大面積薄膜微電子學(xué)。圖1示出[1]以晶體管為基本器件單元的微電子技術(shù)的發(fā)展歷程與以薄膜晶體管為基本概念的技術(shù)發(fā)展歷程的比較。該圖清晰看出兩者起步的時間相隔并不遙遠(yuǎn)。然而薄膜材料與器件技術(shù)的難度,使得它進(jìn)入產(chǎn)業(yè)化的時間,卻比晶體硅集成電路的產(chǎn)業(yè)化發(fā)展歷程要艱難得多。

是非晶硅材料的研究及其特性的日益改善,催生了非晶硅薄膜晶體管(a-Si TFT)的發(fā)展[2]。自1979年非晶硅薄膜晶體管(a-Si TFT)誕生待走向產(chǎn)業(yè)化,在非晶硅太陽電池技術(shù)發(fā)展的帶動下,TFT-LCD產(chǎn)業(yè)得到迅速發(fā)展,從1992年第一代線的建立到2007年夏普宣稱擬建十代線,用了不到15年的時間。圖2示出超大規(guī)模集成電路技術(shù)[3](以摩爾定律為代表)和以有源選址液晶顯示(AMLCD)的母板尺寸為代表的大面積薄膜微電子學(xué)技術(shù)[4]發(fā)展歷程(Roadmap)的比較。兩者的發(fā)展趨勢非常相近。只不過薄膜微電子學(xué)發(fā)展之路,起步晚于大規(guī)模集成電路幾乎20多年而已。因此可以說,在薄膜微電子領(lǐng)域似乎也存在著一個“摩爾”定律,它們的發(fā)展方向雖然完全相反,但是卻都是向極限挑戰(zhàn):一個是向著“超微型——納米級”極限挑戰(zhàn),一個是向“大規(guī)?!椒矫准墶钡奶魬?zhàn)。面對兩者如此的相似性,如何思考與借鑒,是本文擬討論問題的出發(fā)點。

2、有源選址平板顯示的技術(shù)特色


有源選址平板顯示(AMFPD)技術(shù)的基礎(chǔ),是以TFT為器件單位構(gòu)建的大面積薄膜集成電路,它包括選址電路和周邊驅(qū)動集成電路[5],正如圖3所顯示的那樣。該結(jié)果采用的是多晶硅薄膜晶體管(poly-Si TFT)的技術(shù)。多晶硅材料是由日本夏普和半導(dǎo)體能源實驗室聯(lián)合開發(fā)成功的連續(xù)晶粒技術(shù)。鑒于poly-Si的高遷移率能力,故可將周邊驅(qū)動電路與圖象選址電路集成于一體、構(gòu)建全集成型SOP-LCD,甚至將CPU亦集成于其中。因此我們說有源選址平板顯示的技術(shù)特色,是屬于薄膜微電子學(xué)的范疇。綜合分析先進(jìn)的有源選址的顯示屏(無論是LCD還是OLED)都離不開起開關(guān)(或驅(qū)動)作用的TFT。而TFT的結(jié)構(gòu)和工作原理與單晶硅MOS管基本相似。這就使得可以借鑒MOS器件的某些技術(shù),然而它們有源材料的不同,又帶給TFT自身獨有的特點:


它的優(yōu)點是:非晶硅材料,易于大面積、均勻、低溫制備;可選用連續(xù)沉積,自動化程度高;進(jìn)而成本低。這正是AM-LCD的發(fā)展,能夠遵從第二個“摩爾”定律那樣,使產(chǎn)業(yè)化的母板尺寸,幾乎也是每兩年就能翻一番。


然而它的缺點也是很明顯的:


⑴ TFT-LCD制備在一種外來的非硅襯底之上,如玻璃,塑料等,這些襯底與硅結(jié)構(gòu)的差異,導(dǎo)致生長的材料是一種原子排列為無序網(wǎng)絡(luò)式的非晶態(tài)或者微晶態(tài)的結(jié)構(gòu),因此它的性能顯然會比單晶硅差的很多,就遷移率來說,可差到兩至三個量級。如此低劣的性能,在工藝技術(shù)以及器件設(shè)計上,需要賦予足夠的智力。


⑵ 硅基薄膜材料的結(jié)構(gòu)無序化,使得描述器件的物理模型,與單晶硅器件的模型相差甚遠(yuǎn),可以借鑒一些概念,但是不能照搬,必須建立薄膜器件自己的模型以及制備規(guī)則。


⑶ 隨母板尺寸的不斷升級,出現(xiàn)了大尺寸帶來的新的問題,如相應(yīng)大小加工設(shè)備的制造問題;襯底加工過程中受溫的形變、大面積自身重力導(dǎo)致的形變等不均勻問題,大面積系統(tǒng)沉積的均勻問題(如薄膜沉積過程中引入的應(yīng)力導(dǎo)致襯底最大6mm的形變[6],參見圖4);搬運過程中的其他問題,都將隨尺寸的增大問題越多,越來越顯現(xiàn),圖4僅是一個非常簡單的示例(未計入重力問題)。


母板尺寸的增大,會不會像超大規(guī)模集成電路中因尺寸效應(yīng)而引入一個極限問題那樣,十代線之后,還是什么?大面積也會有極限嗎?它的極限在哪里?我們認(rèn)為,物理極限總是會存在的,也相信隨科技的進(jìn)步,能不斷地克服或抑制限制因素、并開創(chuàng)新的途徑解決極限問題。但是對于極限,還面臨另一個因素,那就是資金的投入,會不斷減少競爭者的參與。就像現(xiàn)在微電子產(chǎn)業(yè)上仍大規(guī)模投資的代表人物越來越少,只有在技術(shù)上掌握絕對實力公司,如Intel,意法半導(dǎo)體,才不斷為新技術(shù)的需要在大量投資。繼日本夏普、韓國三星與LG,以及臺灣的友達(dá)光電,相繼宣布建十代線的計劃;也見到韓國三星正與日本索尼討論籌建十一代線的報道。相信隨十代線之后,參與母板繼續(xù)擴大的公司會屈指可數(shù)。大量擴產(chǎn)帶來的結(jié)果會是什么?由清華大學(xué)主辦的平板顯示文摘上近期給出的消息,隨面板價格的下降、或供過于求的可能,一些公司正在縮小每月的產(chǎn)能(~10%)。讓我們看一下現(xiàn)在微電子線的“代工”的工作模式,可能得到些許啟發(fā)。隨世界產(chǎn)能大到某個程度,“代工”可能是一個較好的出路。這或許是一個信號:AMFPD也有一天會走上“代工”之路!

3、對發(fā)展我國AMFPD產(chǎn)業(yè)的點滴思考


IT產(chǎn)業(yè)的特點是全球化。我國已經(jīng)引進(jìn)了3條5代或5.5代的TFT線。各有各自的引進(jìn)技術(shù)或歸屬的合資公司。在信息產(chǎn)業(yè)部大力推動下的沸沸揚揚的全國大整合,歷經(jīng)約兩年時間最終告吹。其原因是什么?那些源自各自的技術(shù)屬性、屬于不同國家的技術(shù)(或合資)公司利益,在其中起著多大的、某些微妙的作用?這正鮮明地顯示出某些應(yīng)該可供思考的問題。在全球TFT事業(yè)發(fā)展日益趨于成熟的今天,即使國外的公司,站在各自國家利益上,也在興起技術(shù)互補合作的浪潮。例如,一向是你追我趕的韓國三星和LG,2006年LG剛報道82英寸TFT-LCD,同年底,三星就報出100英寸的。這種技術(shù)的精彩常在每年5-6月間于美國召開的SID國際會議上飽人眼福。而去年卻有消息顯示,為了應(yīng)付與日本的競爭,兩家正探討技術(shù)合作。另外,有跡象表明,低端的TFT平板顯示產(chǎn)業(yè)正逐漸擴散至發(fā)展中國家。如何改變我國上世紀(jì)末在無源LCD顯示時期所遇到的景象——產(chǎn)品個數(shù)占全球的80%以上,而產(chǎn)值僅占不到1%。還有CRT方面曾經(jīng)的經(jīng)驗教訓(xùn)……。面對當(dāng)前平板顯示興旺發(fā)達(dá)的斑斕景象,聰慧的產(chǎn)業(yè)領(lǐng)導(dǎo),我們應(yīng)該思考些什么?[!--empirenews.page--]


面對國外在中小尺寸上已經(jīng)解禁,陸續(xù)往外推銷、以收回前期研究成本的新形勢,從國家和企業(yè)兩個層面上,我們瞅準(zhǔn)的方向應(yīng)該在哪里?如何針對源于國外的技術(shù),何時、如何能達(dá)到自主創(chuàng)新?如何有目的、分層次、抓重點地研發(fā)突破?十一五期間,國家投入了很多資金,下大力氣安排了“863”重大計劃,真心想壯大有源選址平板顯示產(chǎn)業(yè),改變現(xiàn)在的技術(shù)仍依賴國外的狀況,用心非常良苦。此時如何避免各有關(guān)公司切塊瓜分之嫌,真正能夠在推進(jìn)TFT-FPD產(chǎn)業(yè)化關(guān)鍵技術(shù)上下功夫,用國家的錢,達(dá)到863項目任務(wù)的初衷,在我國自主開發(fā)的帶前瞻性的項目研究突破限制方面則顯得更為重要,以使我國TFT產(chǎn)業(yè)的整體實力攀登上新臺階。


深入分析TFT-FPD的特點以及各國各地區(qū)產(chǎn)業(yè)發(fā)展的歷程,對于后起的產(chǎn)業(yè),最關(guān)鍵的在于設(shè)備的科學(xué)配置以及再開發(fā)的能力。也就是說前者是前提,后者是后勁,兩者缺一不可。臺灣平板顯示產(chǎn)業(yè)的高速發(fā)展,從“學(xué)生”到“領(lǐng)軍”不到10年,關(guān)鍵在于最先由臺灣省政府所屬工研院組織的計劃與采購團隊,對政府級研究線的正確配置;再加上大批從美國歸國的優(yōu)秀科技人才發(fā)揮的再創(chuàng)能力。技術(shù)、資金、人才,三者相得益彰!其中臺灣省政府對此項產(chǎn)業(yè)從一而終的強有力的掌控作用更顯首位,這種實質(zhì)性的政府的領(lǐng)導(dǎo)作用,對重大計劃,請多方科技專家討論,充分討論再做決定,拿人民的錢辦實事,產(chǎn)業(yè)界也就容易依從安排,這一點非常值得我們的領(lǐng)導(dǎo)借鑒和學(xué)習(xí)。


引進(jìn)是一門藝術(shù)。如何在引進(jìn)中獲得最大效益,確實需要巧妙的策略以及專業(yè)人才遠(yuǎn)見卓識的分辨真?zhèn)蔚哪芰?。在我國下一?代線的引進(jìn)浪潮中,但愿能上一高臺階,不僅引進(jìn)了技術(shù)而且在知識產(chǎn)權(quán)上,也要想辦法維護(hù)自身更多的利益,就像909工程建設(shè)時,與比利時IMEC談判中所獲得的效益那樣,不僅引進(jìn)了設(shè)備,更獲得再創(chuàng)能力。


考慮到在薄膜微電子發(fā)展歷程中“代工”的必然趨勢,我們認(rèn)為,盡快為“代工”做好準(zhǔn)備,已經(jīng)是時候了。所謂“代工”,是按照用戶的設(shè)計,請代工的工廠代為實施之意。它的前提是,要有一個標(biāo)準(zhǔn)的、代工廠能夠共識的規(guī)則。然而這個規(guī)則又是建立在對薄膜TFT器件及其電路具有公認(rèn)的模型基礎(chǔ)上的。單晶硅集成電路的設(shè)計業(yè),當(dāng)前已經(jīng)是一非常興旺的產(chǎn)業(yè),正是由代工的需求所帶動的。單晶硅從上世紀(jì)60年代產(chǎn)業(yè)化逐漸成熟以來,已有近半個世紀(jì)的歷史,加上單晶硅自身的規(guī)則化、標(biāo)準(zhǔn)化,集成電路設(shè)計學(xué)以及相應(yīng)的代工規(guī)則,早已經(jīng)成熟,近20來年的代工實踐,使其更趨完整、極盡達(dá)到了完美。如何將一個自身結(jié)構(gòu)不規(guī)則性、器件模型尚未嚴(yán)格建立的薄膜微電子集成電子學(xué)的設(shè)計學(xué)建立起來,是一個任重而道遠(yuǎn)的任務(wù)?,F(xiàn)在還不做,到時候就會措手不及了。因此我們說,現(xiàn)在是要創(chuàng)建我國AM-FPD設(shè)計平臺的時候了。AM-FPD設(shè)計平臺的建立,并與863計劃建立的TFT技術(shù)研制平臺的緊密結(jié)合,就可把從器件設(shè)計、工藝設(shè)計到驅(qū)動電路設(shè)計(甚至可包含顯示屏所需的驅(qū)動電路IC和周邊集成電路的設(shè)計、模塊的設(shè)計一體化)全面建立起來,與工藝平臺的實施相結(jié)合,進(jìn)行驗證、補充與完善。逐步建立我國自己的IP核設(shè)計以及相關(guān)數(shù)據(jù)庫,盡早為代工的到來做好準(zhǔn)備。其作用,同時還可為現(xiàn)有TFT-FPD公司,在引進(jìn)的基礎(chǔ)上,提供多方位的技術(shù)服務(wù),促進(jìn)產(chǎn)品更新與升級換代。


我們說“是時候了”,還有另一層含義,那就是在我國已經(jīng)有了一定的技術(shù)基礎(chǔ)。早在90年代初期、TFT-LCD產(chǎn)業(yè)剛剛興起的時候,發(fā)改委的前身——國家計委,就遠(yuǎn)見卓識地經(jīng)過近兩年的醞釀,于1992年正式組建了以南開大學(xué)為牽頭單位的攻關(guān)隊伍,實施“八五”科技攻關(guān)。國家科委也安排了以55所為牽頭單位的科技攻關(guān)。在計委的支持下,南開大學(xué)聯(lián)合清華大學(xué)、北京大學(xué)組成新時期的“西南聯(lián)大”似的攻關(guān)隊伍,不到兩年,TFT的特性參數(shù)可與當(dāng)時的國際水平相當(dāng),并于1995年研制出2英尺無線缺陷的單色a-Si TFT-LCD模塊以及投影樣機。圖5(a,b)示出南開大學(xué)1995年前后取得成績一覽。55所亦獲得良好成績,圓滿完成科委攻關(guān)任務(wù)。可惜當(dāng)時國力不足,企業(yè)也沒有能力涉足如此高投入的產(chǎn)業(yè)。已有的研究沒有后援支持,處于自生自滅狀態(tài),錯失了繼續(xù)發(fā)展的良機,把好不容易縮小的與國外的差距喪失殆盡。南開大學(xué)并沒有懈怠,加強了與香港科技大學(xué)的合作、繼續(xù)著相關(guān)研究。由非晶硅TFT研究發(fā)展至微晶硅、多晶硅TFT及其顯示驅(qū)動電路的全面研究。圖5(c,d,e) 分別示出,于2003年和2005年與香港科技大學(xué)、清華大學(xué)、華中科技大學(xué)以及信利半導(dǎo)體公司合作、為完成國家863任務(wù)所取得的成果,以及現(xiàn)在周邊驅(qū)動電路進(jìn)行的模擬設(shè)計。這只是顯示了南開與國內(nèi)單位合作研究的實例。其他單位,如吉林大學(xué),長春物理所與吉林省建立的彩晶公司等,都在TFT研究方面作出了很好的成績,為我國自主開發(fā)奠定了前期基礎(chǔ)。我們相信,產(chǎn)學(xué)研的有效合作,定能使我國這一興旺的產(chǎn)業(yè)發(fā)展得更加鼎盛與輝煌。

4、結(jié)語


顯示產(chǎn)業(yè)已成為可與大規(guī)模集成電路齊平的支柱產(chǎn)業(yè),國家應(yīng)該對其進(jìn)行全方位的整體規(guī)劃,不能僅僅看作是公司自己的事。面對國際化競爭態(tài)勢以及TFT平板顯示產(chǎn)業(yè)逐漸擴散至發(fā)展中國家,借鑒上世紀(jì)末我國在無源顯示產(chǎn)業(yè)的窘境,新一輪的引進(jìn)要注重引進(jìn)“藝術(shù)”以及知識產(chǎn)權(quán)的效益。隨母板尺寸不斷增大,最終的轉(zhuǎn)型趨勢會走上“代工”之路,為及早做好我國自己的“代工”,現(xiàn)在是到了創(chuàng)建我國自主AMFPD設(shè)計平臺的時候了。南開大學(xué)為此做好了準(zhǔn)備,愿與國內(nèi)產(chǎn)業(yè)界廣泛合作。

感謝:感謝美國德州農(nóng)工大學(xué)薄膜微電子研究實驗室主任郭育(Yue KUO)教授的有益討論。感謝科技部十五期間863項目的大力支持。

參考文獻(xiàn):


[1] Yue KUO, ” Thin-Film Transistor and Ultra-Large Scale Integrated Circuit: Competition or Collaboration”, Japanese Journal of Applied Physics , Vol. 47, No. 3, 2008, pp. 1845–1852


[2] 熊紹珍,“薄膜微電子學(xué)”,pp.480-523, “半導(dǎo)體科學(xué)與技術(shù)”一書中的第十四章,何杰和夏建白主編,科技出版社,北京,2007年9月第一版[!--empirenews.page--]


[3] H. Rong, Silicon Photonics: Recent Advancement in Silicon Based Laser, Amplifier and Wavelength converter, J. of Optoelectronics?Laser, 2006 (17- suppl): p.11


[4]Chunya Wu, Xuedong Li, Shuyun Zhao, Juan Li, Zhiguo Meng, Man Wong, Hoi Sing Kwok and Shaozhen Xiong, “Solution-based Metal Induced Crystallization of a-Si”, Proceedongs of ASID’07, p. , Shanghai, Match, 2007


[5]T.Ikeda, Y. Shionoiri, T. Atsumi, A. Ishikawa, H. Miyake, Y. Kurokawa, K. Kato, J. Koyama and S. Yamazaki, “Full-Functional System Liquid Crystal Display Using CG-Silicon Technology”, SID’04 Digest, p.860, 2004


[6]S. F. Hoysa nand P. O. Johnson, “Impact of CVD Film Deposition on Pitch Change”, SID 05 DIGEST, p.72

(該文章出自2008中國光電產(chǎn)業(yè)高層論壇論文集)

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