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[導(dǎo)讀]0 引言   微電子封裝經(jīng)歷了雙列直插(DIP)封裝、小外廓(SOP)封裝、四邊引線扁平(QPF)封裝、球形陣列封裝(BGA)和芯片尺寸(CSP)封裝等,尺寸越來越小,電子器件也由分立器件、集成電路、片上系統(tǒng) (SOC),發(fā)展到更為復(fù)

0 引言

   微電子封裝經(jīng)歷了雙列直插(DIP)封裝、小外廓(SOP)封裝、四邊引線扁平(QPF)封裝、球形陣列封裝(BGA)和芯片尺寸(CSP)封裝等,尺寸越來越小,電子器件也由分立器件、集成電路、片上系統(tǒng) (SOC),發(fā)展到更為復(fù)雜的系統(tǒng)級(jí)封裝電路(SIP)。SIP使用微組裝和互連技術(shù),能夠把各種集成電路如CMOS電路、GaAs電路、SiGe電路或者光電子器件、MEMS器件以及各類無源元件如電阻、電容、電感、濾波器、耦合器等集成到一個(gè)封裝體內(nèi),因而可以有效而又最便宜地使用各種工藝組合,實(shí)現(xiàn)整機(jī)系統(tǒng)的功能。

  LTCC技術(shù)是近年來興起的一種令人矚目的整合組件技術(shù),由于LTCC材料優(yōu)異的電子、機(jī)械、熱力特性,廣泛用于基板、封裝及微波器件等領(lǐng)域,是實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)級(jí)封裝的重要途徑?,F(xiàn)在已經(jīng)研制出了把不同功能整合在一個(gè)器件里的產(chǎn)品,成功地應(yīng)用在無線局域網(wǎng)、地面數(shù)字廣播、全球定位系統(tǒng)接收機(jī)、微波系統(tǒng)等,及其他電源子功能模塊、數(shù)字電路基板等方面。

  本文主要討論基于LTCC技術(shù)實(shí)現(xiàn)SIP的優(yōu)勢(shì)和特點(diǎn),并結(jié)合開發(fā)的射頻前端SIP給出了應(yīng)用實(shí)例。

  1 LTCC技術(shù)實(shí)現(xiàn)SIP的優(yōu)勢(shì)特點(diǎn)

  LTCC技術(shù)是將低溫?zé)Y(jié)陶瓷粉末制成厚度精確而且致密的生瓷帶,在生瓷帶上利用沖孔或激光打孔、微孔注漿、精密導(dǎo)體漿料印刷等工藝制作出所需要的電路圖形,并可將無源元件和功能電路埋人多層陶瓷基板中,然后疊壓在一起,在850~900℃下燒結(jié),制成三維空間的高密度電路?;贚TCC的SIP相比傳統(tǒng)的SIP具有顯著的優(yōu)勢(shì),最大優(yōu)點(diǎn)就是具有良好的高速、微波性能和極高的集成度。具體表現(xiàn)在以下幾方面:

  (1)IXCC技術(shù)采用多層互連技術(shù),可以提高集成度,IBM實(shí)現(xiàn)的產(chǎn)品已經(jīng)達(dá)到一百多層。NTT未來網(wǎng)絡(luò)研究所以LTCC模塊的形式制作出用于發(fā)送毫米波段60GHz頻帶的SIP產(chǎn)品,尺寸為12 mm×12 mm×1.2 mm,18層布線層由0.1 mm×6層和0.05 mm×12層組成,集成了帶反射鏡的天線、功率放大器、帶通濾波器和電壓控制振蕩器等元件。LTCC材料厚度目前已經(jīng)系列化,一般單層厚度為10~100 μm。

  (2)LTCC可以制作多種結(jié)構(gòu)的空腔,并且內(nèi)埋置元器件、無源功能元件,通過減少連接芯片導(dǎo)體的長(zhǎng)度與接點(diǎn)數(shù),能集成的元件種類多,易于實(shí)現(xiàn)多功能化和提高組裝密度。提高布線密度和元件集成度,減少了SIP外圍電路元器件數(shù)目,簡(jiǎn)化了與SIP連接的外圍電路設(shè)計(jì)和降低了電路組裝難度和成本。

  (3)根據(jù)配料的不同,LTCC材料的介電常數(shù)可以在很大的范圍內(nèi)變動(dòng),可根據(jù)應(yīng)用要求靈活配置不同材料特性的基板,提高了設(shè)計(jì)的靈活性。比如一個(gè)高性能的SIP可能包含微波線路、高速數(shù)字電路、低頻的模擬信號(hào)等,可以采用相對(duì)介電常數(shù)為3.8的基板來設(shè)計(jì)高速數(shù)字電路;相對(duì)介電常數(shù)為6~80的基板完成高頻微波線路的設(shè)計(jì);介電常數(shù)更高的基板設(shè)計(jì)各種無源元件,最后把它們層疊在一起燒結(jié)完成整個(gè)SIP的設(shè)計(jì)。另外,由于共燒溫度低,可以采用Au、Ag、cu等高電導(dǎo)率的材料作為互連材料,具有更小的互連導(dǎo)體損耗,特別適合高頻、高速電路的應(yīng)用。

  (4)基于LTCC技術(shù)的SIP具有良好的散熱性?,F(xiàn)在的電子產(chǎn)品功能越來越多,在有限的空間內(nèi)集成大量的電子元器件,散熱性能是影響系統(tǒng)性能和可靠性的重要因素。LTCC材料具有良好的熱導(dǎo)率,據(jù)研究其熱導(dǎo)率是有機(jī)材料的20倍,并且由于LTCC的連接孔采用是填孔方式,能夠?qū)崿F(xiàn)較好的導(dǎo)熱特性。

  (5)基于LTCC技術(shù)的SIP同半導(dǎo)體器件有良好的熱匹配性能。LTCC的TCE(熱膨脹系數(shù))與Si、GaAs、InP接近,可以直接在基板上進(jìn)行芯片的組裝,這對(duì)于采用不同芯片材料的SIP有著非同一般的意義。

  高頻、高速、高性能、高可靠性是數(shù)字3C產(chǎn)品發(fā)展必然的趨勢(shì)。預(yù)計(jì)到2010年SIP的布線密度可達(dá)6 000 cm/cm2,熱密度達(dá)到100 W/cm2,元件密度達(dá)5 000/cm2,I/O密度達(dá)3 000/cm2?;贚TCC技術(shù)的SIP在這些高集成度、大功率應(yīng)用中,在材料,工藝等方面必將進(jìn)入一個(gè)全新的發(fā)展階段,在未來的應(yīng)用中占據(jù)著越來越重要的地位。

  2 應(yīng)用實(shí)例

  基于LTCC技術(shù),本文研制了一個(gè)射頻接收前端SIP,并由十三所的IXCC工藝完成。文中采用的工藝最小線寬、線間距均為50 μm;孔直徑170 μm;同一通孔處最大可以通孔15層;電容值范圍為1.0~100 pF;電感值范圍為1.0~40 nH;電阻槳料方阻為10 Ω/□、100Ω/□和1 kΩ/□,寬度最小0.2 mm,長(zhǎng)度最小0.3 mm,電阻控制精度為內(nèi)部±20%,表面為±5%。

 該射頻接收前端SIP為12層LTCC基板,基板尺寸為39 mm×20 mm×1.2 mm。內(nèi)部貼裝GaAs MMIC、CMOS控制電路12個(gè)和貼片電阻、電容、電感元件三十幾個(gè),包括LNA、衰減器、微波開關(guān)、集成電感、電容、電阻等,含4個(gè)射頻端口以及控制端和電源端若干。采用多通道方案,通過兩個(gè)PIN單刀多擲開關(guān)來實(shí)現(xiàn)通道濾波器組之間的切換。對(duì)連接PIN開關(guān)的微帶線與帶狀線濾波器之間的過渡用金屬填孔孔徑大小進(jìn)行了優(yōu)化,以實(shí)現(xiàn)最小的過渡損耗。濾波器全部集成在LTCC基板之中,為了保證濾波器間的相互隔離,采用了帶狀線形式的濾波器進(jìn)行不同層間濾波器的隔離,最大限度減小對(duì)其他電路的影響。為了減小后級(jí)噪聲影響前級(jí)放大器采用高增益的LNA,該電路采用二次變頻技術(shù),將二中頻下變頻為100 MHz,與傳統(tǒng)的采用混合電路技術(shù)制作的同類產(chǎn)品相比其體積縮小到原來的1/50。

  該SIP系統(tǒng)的設(shè)計(jì)框如圖1,其封裝后實(shí)物照片如圖2所示。


 實(shí)測(cè)結(jié)果增益(Ga)大于60 dB,噪聲系數(shù)NF小于3 dB,如圖3所示。

  3結(jié)論

  采用LTCC可以實(shí)現(xiàn)高密度的多層布線和無源元件的基片集成,并能夠?qū)⒍喾N集成電路和元器件以芯片的形式集成在一個(gè)封裝里,特別適合高速、射頻、微波等系統(tǒng)的高性能集成。本文開發(fā)的高度集成的X波段射頻接收前端表明,LTCC技術(shù)在微波SIP方面具有明顯的優(yōu)勢(shì)。隨著小型化、高性能電子產(chǎn)品快速發(fā)展以及LTCC技術(shù)的不斷進(jìn)步和成熟,LTCC技術(shù)在SIP領(lǐng)域的應(yīng)用必將具有廣泛的應(yīng)用前景。

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