基于霍爾效應(yīng)的緊湊型電流測(cè)量設(shè)計(jì)
LEM電流傳感器
2002年，LEM收購(gòu)了一家位于日本的生產(chǎn)霍爾效應(yīng)電流傳感器企業(yè)——NANA Electronics K.K.公司。新公司更名為NANALEM K.K.，總部位于東京町田。新的研發(fā)隊(duì)伍融合了兩家公司的專(zhuān)業(yè)經(jīng)驗(yàn)，已經(jīng)重新設(shè)計(jì)了日本最暢銷(xiāo)的產(chǎn)品SY系列，并把它發(fā)展成為HX系列。
霍爾效應(yīng)原理
HX傳感器的核心是一個(gè)霍爾效應(yīng)發(fā)生器。1879年，Edward H. Hall發(fā)現(xiàn)了霍爾效應(yīng)，在電流流經(jīng)一片薄傳導(dǎo)材料(霍爾發(fā)生器)，并放在正交磁場(chǎng)中時(shí)，會(huì)發(fā)生這種效應(yīng)。然后電磁洛倫茲力將感應(yīng)電子，根據(jù)極性流到薄片邊緣。
在這兩個(gè)邊緣之間產(chǎn)生的霍爾電壓VH與控制電流IC和磁通量B直接成正比(圖1)?；魻柊l(fā)生器由一片薄傳導(dǎo)材料制成，如鎵砷化物(GaAs)，這種材料在使用期間能夠?qū)崿F(xiàn)可靠穩(wěn)定的性能。在5 mA的控制電流下，獲得的霍爾電壓約為1.25 mV/mT。
霍爾效應(yīng)開(kāi)環(huán)電流測(cè)量
一次電流產(chǎn)生的磁場(chǎng)會(huì)在磁性電路的間隙中生成線性磁通量B，磁通量B會(huì)在霍爾發(fā)生器中感應(yīng)成比例的霍爾電壓VH。然后這個(gè)電壓被電子電路放大，得到一個(gè)與一次電流成比例的輸出模擬信號(hào)。HX系列可以測(cè)量DC電流和AC電流，以及相控整流器、有源電源轉(zhuǎn)換器、PWM轉(zhuǎn)換器和開(kāi)關(guān)式電源中復(fù)雜的電流波形。輸出電壓一直是一次電流的真映像。
抗dv/dt噪聲能力
在設(shè)計(jì)驅(qū)動(dòng)器控制和開(kāi)關(guān)設(shè)備時(shí)，工程師遇到的其中一個(gè)問(wèn)題是整流期間快速電壓變化導(dǎo)致的高dv/dt噪聲。
電源半導(dǎo)體技術(shù)一直在不斷發(fā)展?，F(xiàn)在，許多半導(dǎo)體產(chǎn)品大樣本中都可以看到整流速度非常高的IGBT。因此，當(dāng)前通用逆電器一般會(huì)以很高的開(kāi)關(guān)頻率工作，通常在20 kHz以上。在這么高的頻率上工作的好處包括波形更平滑、操作更安全、效率更高。
開(kāi)關(guān)設(shè)備每次開(kāi)關(guān)時(shí)產(chǎn)生的高dv/dt值將在主電纜和傳感器的電子電路之間產(chǎn)生電容電流。大多數(shù)模擬線性放大器對(duì)這種寄生電流很靈敏。因此，dv/dt噪聲將被疊加在輸出信號(hào)上。根據(jù)變動(dòng)電壓的幅度和斜坡，初始尖峰和后來(lái)的振蕩有時(shí)會(huì)非常高，以致它們會(huì)激活傳感器的電流保護(hù)電路，進(jìn)而使逆電器暫停運(yùn)轉(zhuǎn)。LEM的經(jīng)驗(yàn)在HX系列設(shè)計(jì)階段幫助保證了對(duì)關(guān)鍵噪聲的完美免疫力，而又不會(huì)損害帶寬，因此HX的性能要超過(guò)其它類(lèi)似的傳感器(圖2和圖3)。
對(duì)階躍電流的超快速響應(yīng)時(shí)間對(duì)IGBT短路保護(hù)必不可少。HX系列可以以50A/?s以上的速度，準(zhǔn)確追蹤電流變化，對(duì)階躍電流的響應(yīng)最快為3s。
設(shè)計(jì)工程師經(jīng)常面臨的另一個(gè)棘手問(wèn)題是可用空間。小型傳感器有助于解決這個(gè)問(wèn)題，HX傳感器重僅8克，要求的安裝面積只有15 x 19 mm。但眾所周知，當(dāng)這種傳感器并排放在三相應(yīng)用中時(shí)，各自的一次電流可能會(huì)影響其它傳感器的電子器件。在并排安裝在三相應(yīng)用中時(shí)，HX電流傳感器引起的相互干擾非常小(圖4)。
專(zhuān)用版HX傳感器有兩個(gè)一次線圈，這兩個(gè)線圈既可以串聯(lián)，也可以并聯(lián)(圖5)。在某些逆電器應(yīng)用中，可以使用一對(duì)這樣的傳感器，測(cè)量所有三個(gè)相位，每個(gè)傳感器兩個(gè)相位(圖6)。這消除了對(duì)第三個(gè)單元的需要，有助于降低成本。AC測(cè)試電壓(50 Hz, 1分鐘)是3 kVRMS，間隙/漏電距離超過(guò)5.5mm，使這些傳感器特別適合中低功率范圍中的隔離電流測(cè)量。
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