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[導(dǎo)讀]在標(biāo)準(zhǔn)R負(fù)載測(cè)量技術(shù)中(如圖5所示),一個(gè)電阻與DUT串聯(lián),通過(guò)測(cè)量負(fù)載電阻上的電壓就可以測(cè)出流過(guò)DUT的電流。采用有源、高阻抗探針和示波器[1]記錄負(fù)載電阻上的電壓。流過(guò)DUT的電流等于施加的電壓(VAPPLIED)減去

在標(biāo)準(zhǔn)R負(fù)載測(cè)量技術(shù)中(如圖5所示),一個(gè)電阻與DUT串聯(lián),通過(guò)測(cè)量負(fù)載電阻上的電壓就可以測(cè)出流過(guò)DUT的電流。采用有源、高阻抗探針和示波器[1]記錄負(fù)載電阻上的電壓。流過(guò)DUT的電流等于施加的電壓(VAPPLIED)減去器件上的電壓(VDEV),再除以負(fù)載電阻。負(fù)載電阻的大小范圍通常從1千歐到3千歐。這種技術(shù)采用了一種折衷:如果負(fù)載電阻太高,RC效應(yīng)以及電壓在R負(fù)載和DUT上的分配將會(huì)限制這種技術(shù)的性能;但是,如果電阻值太小,它會(huì)影響電流的分辨率。



圖5.標(biāo)準(zhǔn)R負(fù)載技術(shù)

最近,我們研究出了一種新的不需要負(fù)載電阻的限流技術(shù)。通過(guò)緊密控制電流源的大小,可以對(duì)于RI曲線中的低電流進(jìn)行更精確的特征分析。這種新技術(shù)(如圖6所示)能夠通過(guò)一次脈沖掃描同時(shí)獲得I-V和RI曲線,其中采用了高速脈沖源和測(cè)量?jī)x器,即雙通道的4225-PMU[2]超快I-V模塊。這種新模塊能夠提供電壓源,同時(shí)以較高的精度測(cè)量電壓和電流響應(yīng),上升和下降時(shí)間短至20ns。

去掉負(fù)載電阻也就消除了回折的副作用。4225-PMU模塊[3]以及用于擴(kuò)展其靈敏度的4225-RPM[4]遠(yuǎn)程放大器/開關(guān)(如圖7所示)可用于4200-SCS型[5]半導(dǎo)體特征分析系統(tǒng),其不僅具有對(duì)PCM器件進(jìn)行特征分析所必需的測(cè)量功能,而且能夠自動(dòng)實(shí)現(xiàn)整個(gè)測(cè)試過(guò)程。




圖6.采用4225-PMU的限流技術(shù)



圖7.4225-PMU超快I-V模塊和兩個(gè)4225-RPM遠(yuǎn)程放大器/開關(guān),
適用于吉時(shí)利4200-SCS型特征分析系統(tǒng)
參考文獻(xiàn)
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[3]A. Pirovano, A. L. Lacaita, et al, “Low-field amorphous state resistance and threshold voltage drift in chalcogenide materials,” IEEE Trans. Electron Devices, vol. 51, no. 5, May 2004.


[1]示波器:http://www.keithley.com.cn/products/localizedproducts/semiconductor/4200scp2
[2]4225-PUM:http://www.keithley.com.cn/products/semiconductor/parametricanalyzer/4200scs/?path=4225-PMU/Documents[3]4255-PUM模塊:http://www.keithley.com.cn/products/semiconductor/parametricanalyzer[4]4255-RPM:http://www.keithley.com.cn/products/semiconductor/parametricanalyzer/4200scs/?mn=4225-RPM[5]4200SCS:http://www.keithley.com.cn/products/localizedproducts/semiconductor/4200scs

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