Fairchild 擴(kuò)充低RDS(ON) MOSFET產(chǎn)品系列

    飛兆半導(dǎo)體公司 (Fairchild) 擴(kuò)充其AEC-Q101認(rèn)證的30V和40V MOSFET產(chǎn)品系列，推出11種新型器件。這些低壓PowerTrench®MOSFET專為優(yōu)化汽車應(yīng)用的效率、性能和線路板空間而設(shè)計，其應(yīng)用包括動力轉(zhuǎn)向、集成啟動器/交流發(fā)電機(jī)，以及電機(jī)和螺線管驅(qū)動器設(shè)計等。

    飛兆半導(dǎo)體的30/40V MOSFET是要求高電流密度和低功耗系統(tǒng)的理想選擇，并根據(jù)汽車市場的最新發(fā)展趨勢，從機(jī)械方式進(jìn)展為機(jī)電方式。飛兆公半導(dǎo)體的30/40V MOSFET的RDS(on)低至2.0m Ohms，是業(yè)界導(dǎo)通電阻最低的器件之一。除了性能方面的改善，這些器件還可節(jié)省線路板空間，因為一個飛兆半導(dǎo)體的低RDS(on) MOSFET可替代兩個在這些設(shè)計中傳統(tǒng)使用較高RDS(on)的MOSFET。而且，這些MOSFET能滿足UIS要求并達(dá)到嚴(yán)格的AEC-Q101汽車標(biāo)準(zhǔn)，可在嚴(yán)酷的電氣環(huán)境中提供高可靠性以保證其“堅固性”。

    飛兆半導(dǎo)體功能功率部汽車功率產(chǎn)品副總裁Paul Leonard稱：“飛兆半導(dǎo)體的新型30V MOSFET如2.3m Ohm FDB8860 器件，提供的導(dǎo)通電阻僅為55V或60V MOSFET的一半，因此能降低功耗至高壓器件的二分之一。在汽車設(shè)計中，低導(dǎo)通電阻意味著更高的效率，因為功耗低及熱量的產(chǎn)生較少。除了面向30V和40V應(yīng)用的11種新器件外，飛兆半導(dǎo)體將繼續(xù)擴(kuò)充全線的車用MOSFET產(chǎn)品系列，以便更好地協(xié)助客戶滿足這個快速變化的市場需求。”

    飛兆半導(dǎo)體面向汽車應(yīng)用的MOSFET經(jīng)鑒定達(dá)到ISO/TS 16949 標(biāo)準(zhǔn)。這標(biāo)準(zhǔn)是業(yè)界逐步開發(fā)適用于整個汽車供應(yīng)鏈的單一標(biāo)準(zhǔn)的成果，包括設(shè)計/開發(fā)、生產(chǎn)及汽車組件的安裝和服務(wù)。這個標(biāo)準(zhǔn)由國際汽車特別工作組 (IATF) 起草，獲得國際承認(rèn)，并已成為北美和歐洲許多汽車OEM廠商的強(qiáng)制性要求。

    這些無鉛器件能達(dá)到甚至超越IPC/JEDEC的J-STD-020C標(biāo)準(zhǔn)要求，并符合現(xiàn)已生效的歐盟標(biāo)準(zhǔn)。

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