性價比一流：英飛凌推出面向低頻率應(yīng)用的600 V CoolMOS? S7超結(jié)MOSFET

【2020年3月3日，德國慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司成功開發(fā)出滿足最高效率和質(zhì)量要求的解決方案。對于MOSFET低頻率開關(guān)應(yīng)用而言，新推出的600 V CoolMOS? S7系列產(chǎn)品可帶來領(lǐng)先的功率密度和能效。CoolMOS? S7系列產(chǎn)品的主要特點包括導(dǎo)通性能優(yōu)化、熱阻改進以及高脈沖電流能力，并且具備最高質(zhì)量標(biāo)準。該器件適合的應(yīng)用包括有源橋式整流器、逆變極、PLC、功率固態(tài)繼電器和固態(tài)斷路器等。此外，10 m? CoolMOS? S7 MOSFET是業(yè)界RDS(on)最小的器件。

該產(chǎn)品系列專為低頻率的開關(guān)應(yīng)用而開發(fā)，旨在降低它們的導(dǎo)通損耗，確保響應(yīng)速度最快和效率最高。CoolMOS? S7器件甚至實現(xiàn)了比CoolMOS? 7產(chǎn)品更低的RDS(on) x A，因而能夠成功地抵消開關(guān)損耗，最終實現(xiàn)導(dǎo)通電阻降低和成本節(jié)省。對于高壓開關(guān)而言，CoolMOS? S7產(chǎn)品擁有市面上最低的導(dǎo)通電阻(RDS(on))。此外，10 mΩ芯片采用創(chuàng)新的頂面冷卻QDPAK封裝，22 mΩ芯片采用先進的小型TO無引腳(TOLL)SMD封裝。這些MOSFET可助力實現(xiàn)經(jīng)濟、簡化、緊湊、模塊化和高效的設(shè)計。設(shè)計出來的系統(tǒng)可以輕松滿足法規(guī)要求和能效認證標(biāo)準(如適用于SMPS的Titanium®標(biāo)準)，也能滿足功率預(yù)算，減少零部件數(shù)量和散熱器需求，同時降低總擁有成本(TCO)。

供貨情況

22 m? 600 V CoolMOS? S7器件擁有TO無引腳封裝和TO-220封裝，40 m?和65 m?器件擁有TO無引腳封裝。10 m? CoolMOS? S7 MOSFET將在2020年第四季度上市。