性價比一流：英飛凌推出面向低頻率應用的600 V CoolMOS? S7超結MOSFET

【2020年3月3日，德國慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司成功開發(fā)出滿足最高效率和質量要求的解決方案。對于MOSFET低頻率開關應用而言，新推出的600 V CoolMOS? S7系列產品可帶來領先的功率密度和能效。CoolMOS? S7系列產品的主要特點包括導通性能優(yōu)化、熱阻改進以及高脈沖電流能力，并且具備最高質量標準。該器件適合的應用包括有源橋式整流器、逆變極、PLC、功率固態(tài)繼電器和固態(tài)斷路器等。此外，10 m? CoolMOS? S7 MOSFET是業(yè)界RDS(on)最小的器件。

該產品系列專為低頻率的開關應用而開發(fā)，旨在降低它們的導通損耗，確保響應速度最快和效率最高。CoolMOS? S7器件甚至實現(xiàn)了比CoolMOS? 7產品更低的RDS(on) x A，因而能夠成功地抵消開關損耗，最終實現(xiàn)導通電阻降低和成本節(jié)省。對于高壓開關而言，CoolMOS? S7產品擁有市面上最低的導通電阻(RDS(on))。此外，10 mΩ芯片采用創(chuàng)新的頂面冷卻QDPAK封裝，22 mΩ芯片采用先進的小型TO無引腳(TOLL)SMD封裝。這些MOSFET可助力實現(xiàn)經濟、簡化、緊湊、模塊化和高效的設計。設計出來的系統(tǒng)可以輕松滿足法規(guī)要求和能效認證標準(如適用于SMPS的Titanium®標準)，也能滿足功率預算，減少零部件數(shù)量和散熱器需求，同時降低總擁有成本(TCO)。

供貨情況

22 m? 600 V CoolMOS? S7器件擁有TO無引腳封裝和TO-220封裝，40 m?和65 m?器件擁有TO無引腳封裝。10 m? CoolMOS? S7 MOSFET將在2020年第四季度上市。