華碩ROG STRIX X570-E GAMING主板內(nèi)存性能測評

在前面的文章里，小編對華碩ROG STRIX X570-E GAMING主板進行過PCIe 4.0性能測評。而此次，小編將對它的內(nèi)存性能加以測評，以幫助大家增進對它的了解。

第三代銳龍的默認頻率支持已經(jīng)提高到DDR4-3200，這是符合JEDEC標準組織規(guī)范的，而通過進一步超頻，新銳龍內(nèi)存頻率至少可以到DDR4-4400。再加上華碩獨家的OptiMem 內(nèi)存優(yōu)化技術(shù)，令ROG STRIX X570-E GAMING主板的內(nèi)存超頻性能有著良好的表現(xiàn)。

為了驗證ROG STRIX X570-E GAMING的內(nèi)存超頻性能，筆者選用了芝奇DDR4-3600 32GB(8GB×4)內(nèi)存套裝以及AMD Ryzen 7 3700X處理器，對這款主板的D.O.C.P功能進行了測試。

開啟D.O.C.P功能，需要到BIOS里面進行手動設(shè)置。來到的主板Advanced Mode的AI Tweaker界面下，將AI超頻調(diào)整設(shè)置為“D.O.C.P”，然后保存并重啟電腦就可以了。

通過測試可知，華碩ROG STRIX X570-E GAMING主板在4條內(nèi)存全部插滿的情況下，完全能夠支持到DDR4-3600MHz的內(nèi)存運行頻率，并且內(nèi)存時序也很理想，僅為16-16-16-36 CR1，這樣的表現(xiàn)足以令A(yù)飯們興奮不已。

以上便是小編此次帶來的華碩ROG STRIX X570-E GAMING主板的內(nèi)存性能測評，十分感謝大家的閱讀。