[導(dǎo)讀]網(wǎng)絡(luò)通信、數(shù)據(jù)通信和工業(yè)電源正推動功率密度增加，而這正是云和5G計算所需。碳化硅（SiC）二極管用于功率因數(shù)校正（PFC）級，而氮化鎵（GaN）/ SiC FET 也正在成為圖騰柱和LLC級的選項。
網(wǎng)絡(luò)通信、數(shù)據(jù)通信和工業(yè)電源正推動功率密度增加，而這正是云和5G計算所需。碳化硅（SiC）二極管用于功率因數(shù)校正（PFC）級，而氮化鎵（GaN）/ SiC FET 也正在成為圖騰柱和LLC級的選項。
如今的設(shè)計人員都致力于符合80Plus Titanium標準，以及提高功率密度。標準密度為大約5到15個2到4千瓦的1單元服務(wù)器。而實際上，我們正在推進突破極限，邁向4到6個刀片服務(wù)器的超高密度，這些是15到30千瓦的可交換服務(wù)器。這些趨勢、功率水平和能效都在推進服務(wù)器和工業(yè)電源市場。
當我們深入探討服務(wù)器和工業(yè)電源拓撲結(jié)構(gòu)，我們會發(fā)現(xiàn)，SiC用于PFC級的優(yōu)點包括：達98%的更高能效，更高頻率，更高功率密度，雙向電力流向，以及更少器件數(shù)。
安森美半導(dǎo)體擁有很廣泛的產(chǎn)品陣容
從二極管到MOSFET。我們的二極管包括650V和1200V，通孔，表面貼裝，裸片和模塊；我們已推出的MOSFET有1200V和900V，不久還要推出650V。
我們的所有產(chǎn)品，都有很高的質(zhì)量和可靠性水平，并會進行AEC-Q101測試。
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