格芯量產(chǎn)eMRAM，基于22nm FD-SOI平臺(tái)

格芯的eMRAM是一款可靠的多功能嵌入式非易失性存儲(chǔ)器(eNVM)，已通過(guò)了5次嚴(yán)格的回流焊實(shí)測(cè)，在-40℃至125℃溫度范圍內(nèi)具有100,000次使用壽命和10年數(shù)據(jù)保存期限。FDX eMRAM解決方案支持AEC-Q100 2級(jí)設(shè)計(jì)，且還在開(kāi)發(fā)工藝，預(yù)計(jì)明年將支持AEC-Q100 1級(jí)解決方案。

格芯汽車、工業(yè)和多市場(chǎng)戰(zhàn)略業(yè)務(wù)部門(mén)高級(jí)副總裁和總經(jīng)理Mike Hogan表示：“我們將繼續(xù)通過(guò)功能豐富的可靠解決方案實(shí)現(xiàn)差異化FDX平臺(tái)，客戶可利用這些解決方案來(lái)構(gòu)建適用于高性能和低功耗應(yīng)用的創(chuàng)新產(chǎn)品。我們的差異化eMRAM部署在業(yè)界先進(jìn)的FDX平臺(tái)之上，可在易于集成的eMRAM解決方案中實(shí)現(xiàn)高性能射頻、低功耗邏輯和集成電源管理的獨(dú)特組合，幫助客戶提供新一代超低功耗MCU和物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用?！?

格芯攜手設(shè)計(jì)合作伙伴，即日起提供定制設(shè)計(jì)套件，包括通過(guò)芯片驗(yàn)證的插入式MRAM模塊(4至48MB)，以及MRAM內(nèi)置自檢功能支持。

eMRAM是新一代存儲(chǔ)技術(shù)，擁有RAM內(nèi)存讀寫(xiě)速度、能夠與NAND閃存一樣具有非易失性的新型存儲(chǔ)介質(zhì)，斷電不會(huì)出現(xiàn)丟失數(shù)據(jù)，而寫(xiě)入速度是閃存的數(shù)千倍。