國(guó)產(chǎn)14nm量產(chǎn)！中芯國(guó)際邁出了“中國(guó)芯”的一大步！

3月31日晚間，中芯國(guó)際公布了2019年財(cái)報(bào)，財(cái)報(bào)中，中芯國(guó)際表示，第一代14nm FinFET技術(shù)已進(jìn)入量產(chǎn)，在2019年Q4貢獻(xiàn)約1%的晶圓收入，預(yù)計(jì)在2020年穩(wěn)健上量。第二代FinFET技術(shù)平臺(tái)持續(xù)客戶(hù)導(dǎo)入。

財(cái)報(bào)中顯示，中芯國(guó)際2019年的收入為3,115.7百萬(wàn)美元，相比2018年的收入3,360.0百萬(wàn)美元，增加了1.4%；2019年毛利為642.5百萬(wàn)美元，相比2018年的毛利為746.7百萬(wàn)美元，增加了19.1%；2019年經(jīng)營(yíng)活動(dòng)所得凈現(xiàn)金錄得記錄新高，達(dá)1,019.1百萬(wàn)美元，相比2018年為799.4百萬(wàn)美元，升幅為27.5%。

值得一提的是，來(lái)自中國(guó)地區(qū)客戶(hù)的收入增長(zhǎng)至占2019年總收入的59.5%，相比2018年占比則為不含技術(shù)授權(quán)總收入的57.0%。

中芯國(guó)際表示：“5G、人工智慧等領(lǐng)域的興起將大幅提振市場(chǎng)需求，為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展帶來(lái)新的歷史機(jī)遇。這些新興應(yīng)用的提速發(fā)展將進(jìn)一步提振半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的市場(chǎng)需求。”

據(jù)了解，中芯國(guó)際在北京建有一座300mm晶圓廠(chǎng)和一座控股的300mm先進(jìn)制程晶圓廠(chǎng)，在上海建有一座300mm晶圓廠(chǎng)和一座200mm晶圓廠(chǎng)，以及一座控股的300mm先進(jìn)制程晶圓廠(chǎng)在建設(shè)中；在天津和深圳各建有一座200mm晶圓廠(chǎng)；在江陰有一座控股的300mm凸塊加工合資廠(chǎng)。

此外，中芯國(guó)際在14nm之后的先進(jìn)工藝上還在加速追趕。2月份，中芯國(guó)際聯(lián)席CEO梁孟松博士也首次公開(kāi)了N＋1、N＋2代工藝的情況。他表示N＋1工藝和14nm相比，性能提升了20%，功耗降低了57%，邏輯面積縮小了63%，SoC面積減少了55%。N＋1之后還會(huì)有N＋2，這兩種工藝在功耗上表現(xiàn)差不多，區(qū)別在于性能及成本，N＋2顯然是面向高性能的，成本也會(huì)增加。

另外，3月4日，中芯國(guó)際集成電路制造（深圳）有限公司從荷蘭進(jìn)口的一臺(tái)大型光刻機(jī)順利通過(guò)出口加工區(qū)場(chǎng)站兩道閘口進(jìn)入廠(chǎng)區(qū)，這臺(tái)機(jī)器主要用于企業(yè)復(fù)工復(fù)產(chǎn)后的生產(chǎn)線(xiàn)擴(kuò)容。

提到制程，英特爾、臺(tái)積電、三星等幾個(gè)巨頭一直處于領(lǐng)先地位。尤其是，最近發(fā)布的搭載在紫光展銳旗下首款5G SoC虎賁T7520的臺(tái)積電 6nm 制程技術(shù)。另外，蘋(píng)果A14、華為麒麟1020、AMD Zen 4都要使用臺(tái)積電的 5nm 工藝，這個(gè)工藝臺(tái)積電已在本月開(kāi)始5nm工藝的試產(chǎn)，第二季度內(nèi)投入規(guī)模量產(chǎn)。

三星方面，官方最近也表示韓國(guó)華城V1生產(chǎn)線(xiàn)是三星第一條采用極紫外(EUV)光刻工藝的半導(dǎo)體生產(chǎn)線(xiàn)，并且這兩批產(chǎn)線(xiàn)已開(kāi)始批量生產(chǎn) 6nm 和 7nm芯片，并要在第一季度交付產(chǎn)品。Intel CFO George Davis在大摩TMT會(huì)議時(shí)表示，預(yù)計(jì)2021年底前拿出7nm產(chǎn)品，之后迅速切換到5nm，并重新奪取制程領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)地位。

而本次中芯國(guó)際14nm FinFET，意味著國(guó)產(chǎn)的更進(jìn)一步，中國(guó)芯加油！