你知道MOS器件耗散的兩種方式嗎？

你知道大功率電源當(dāng)中MOS器件耗散嗎?有什么不同?本文主要為大家介紹了在大功率電源當(dāng)中MOS器件耗散的兩種方式。通過對這兩種方式的講解，詳細(xì)大家都能夠?qū)ζ渲械囊恍╆P(guān)鍵點理解透徹。

同步整流器的耗散

對于除最大負(fù)載外的所有負(fù)載，在開、關(guān)過程中，同步整流器的MOSFET的漏源電壓通過捕獲二極管箝制。因此，同步整流器沒有引致開關(guān)損耗，使其功率耗散易于計算。需要考慮只是電阻耗散。最壞情況下?lián)p耗發(fā)生在同步整流器負(fù)載系數(shù)最大的情況下，即在輸入電壓為最大值時。通過使用同步整流器的RDS(ON)HOT和負(fù)載系數(shù)以及歐姆定律，就可以計算出功率耗散的近似值：

PDSYNCHRONOUSRECTIFIER=[ILOAD2×RDS(ON)HOT]×[1>-)]

開關(guān)MOSFET的耗散

開關(guān)MOSFET電阻損耗的計算與同步整流器的計算相仿，采用其(不同的)負(fù)載系數(shù)和RDS(ON)HOT：PDRESISTIVE=[ILOAD2×RDS(ON)HOT]×(VOUT/VIN)

由于它依賴于許多難以定量且通常不在規(guī)格參數(shù)范圍、對開關(guān)產(chǎn)生影響的因素，開關(guān)MOSFET的開關(guān)損耗計算較為困難。在下面的公式中采用粗略的近似值作為評估一個MOSFET的第一步，并在以后在實驗室內(nèi)對其性能進行驗證：PDSWITCHING=(CRSS×VIN2×fSW×ILOAD)/IGATE。

其中CRSS為MOSFET的反向轉(zhuǎn)換電容(一個性能參數(shù))，fSW為開關(guān)頻率，而IGATE為MOSFET的啟動閾值處(柵極充電曲線平直部分的VGS)的MOSFET柵極驅(qū)動的吸收電流和的源極電流。

一旦根據(jù)成本(MOSFET的成本是它所屬于那一代產(chǎn)品的非常重要的功能)將選擇范圍縮小到特定的某一代MOSFET，那一代產(chǎn)品中功率耗散最小的就是具有相等電阻損耗和開關(guān)損耗的型號。若采用更小(更快)的器件，則電阻損耗的增加幅度大于開關(guān)損耗的減小幅度。

而采用更大[RDS(ON)低]的器件中，則開關(guān)損耗的增加幅度大于電阻損耗的減小幅度。

如果VIN是變化的，必須同時計算在VIN(MAX)和VIN(MIN)處的開關(guān)MOSFET的功率耗散。MOSFET最壞情況下功率耗散將出現(xiàn)在最小或最大輸入電壓處。耗散為兩個函數(shù)的和：在VIN(MIN)(較高的負(fù)載系數(shù))處達(dá)到最大的電阻耗散，和在VIN(MAX)(由于VIN2的影響)處達(dá)到最大的開關(guān)耗散。最理想的選擇略等于在VIN極值的耗散，它平衡了VIN范圍內(nèi)的電阻耗散和開關(guān)耗散。

如果在VIN(MIN)處的耗散明顯較高，電阻損耗為主。在這種情況下，可以考慮采用較大的開關(guān)MOSFET，或并聯(lián)多個以達(dá)到較低的RDS(ON)值。但如果在VIN(MAX)處的耗散明顯較高，則可以考慮減小開關(guān)MOSFET的尺寸(如果采用多個器件，或者可以去掉MOSFET)以使其可以更快地開關(guān)。

如果所述電阻和開關(guān)損耗平衡但還是太高，有幾個處理方式：

改變題目設(shè)定。例如，重新設(shè)定輸入電壓范圍;改變開關(guān)頻率，可以降低開關(guān)損耗，且可能使更大、更低的RDS(ON)值的開關(guān)MOSFET成為可能;增大柵極驅(qū)動電流，降低開關(guān)損耗。MOSFET自身最終限制了柵極驅(qū)動電流的內(nèi)部柵極電阻，實際上局限了這一方案;采用可以更快同時開關(guān)并具有更低RDS(ON)值和更低的柵極電阻的改進的MOSFET技術(shù)。

由于元器件選擇數(shù)量范圍所限，超出某一特定點對MOSFET尺寸進行精確調(diào)整也許不太可能，其底線在于MOSFET在最壞情況下的功率必須得以耗散。以上就是大功率電源當(dāng)中MOS器件耗散的兩種方式，希望能給大家?guī)椭?