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[導讀]物聯(lián)傳媒本文作者:露西Gartner曾預測,到2021年,40%的大型企業(yè)會將邊緣計算、存儲與分析納入項目范圍,而2017年這一比例僅為不到1%。時代的變化讓這兩個數(shù)據差異如此之大。如今5G已至,新基建加持,未來將有數(shù)百億的智能終端聯(lián)網,全球存儲空間恐將告急的擔憂已經開始出現(xiàn)。但...

本文來源:物聯(lián)傳媒

本文作者:露西


Gartner曾預測,到2021年,40%的大型企業(yè)會將邊緣計算、存儲與分析納入項目范圍,而2017年這一比例僅為不到1%。


時代的變化讓這兩個數(shù)據差異如此之大。如今5G已至,新基建加持,未來將有數(shù)百億的智能終端聯(lián)網,全球存儲空間恐將告急的擔憂已經開始出現(xiàn)。


但慶幸的是,邊緣存儲及邊緣計算的應用正在得到普及,存儲產業(yè)正在積極幫助物聯(lián)網市場解決海量數(shù)據存儲與分析的問題。


近日,全球存儲領導者西部數(shù)據公司與物聯(lián)傳媒攜手,開展了一期“5G物聯(lián)網時代盛起,聚焦NAND蓋樓大賽背后的邊緣存儲新趨勢”直播沙龍,暢聊了IoT的產業(yè)變化,NAND閃存工藝從2D切換到3D的趨勢等話題,以下是根據現(xiàn)場內容整理。


分享嘉賓:

西部數(shù)據公司資深商務拓展 吳尚衡(Amber)、西部數(shù)據公司產品營銷經理 高超(Max)


01

IoT世界的三點變化


01

5G使物聯(lián)網設備數(shù)量迅速增長


假設在4G條件下,每平方公里地理面積大約容納10萬臺IoT設備,到5G時代,大帶寬的特點能夠支持海量設備同時聯(lián)網,屆時單位面積內將容納大約100萬臺設備,這一數(shù)據是4G時的10倍。


預計到2021年,全球聯(lián)網設備將達到300億個,其中半數(shù)以上設備與物聯(lián)網相關,它們廣泛分布在工廠、汽車、電力、能源、家庭、城市交通等場景。


02

海量數(shù)據需要在邊緣側進行處理


機構預測指出:每個智能工廠每天約產生1TB數(shù)據,每輛自動駕駛汽車每天約產生4TB數(shù)據,每個8K高清智能監(jiān)控攝像頭每天約產生1.1TB數(shù)據……


當數(shù)據浪潮襲來,盡管上云上平臺的口號愈發(fā)深入人心,但將全部數(shù)據一股腦上傳云端并不是一勞永逸的好辦法。


預測表明,到2025年,75%的數(shù)據將在數(shù)據中心以外的地方生成和處理。


這主要涉及兩個原因:


一是部分場景要求低時延,相比上傳云端,更需要在本地對數(shù)據進行存儲、分析及利用,并且這種方案也比上傳到云端節(jié)省帶寬成本;


二是行業(yè)正強調去中心化的網狀部署模式,要求邊緣節(jié)點擁有智能并互相溝通,提高響應速度,與此同時再完成與云端的互聯(lián),產生加成效果。


03

邊緣設備對數(shù)據存儲的要求各有不同


考慮到物聯(lián)網邊緣設備自身擁有的諸多特性,比如所處位置偏遠不易管理、所處環(huán)境較為嚴苛、產生海量數(shù)據對存儲容量提出要求,低時延對聯(lián)網能力提出挑戰(zhàn)、強調數(shù)據安全、要求數(shù)據備份等,這一系列特征尤其導致數(shù)據存儲不只在云端進行,還要在本地做好相關部署工作。


車聯(lián)網、智慧工廠、智慧零售、視頻監(jiān)控等場景都已廣泛采用邊緣存儲及邊緣AI解決方案,由此實現(xiàn)安全性、數(shù)據聯(lián)網能力、數(shù)據存儲的穩(wěn)定性、數(shù)據備份、健康監(jiān)測及故障預警等目標。


02

閃存芯片逐步從2D切換到3D


在3D NAND閃存技術出現(xiàn)以前,市面上的閃存多屬于Planar NAND平面閃存,也就是2D NAND。


一段時間以來,2D NAND的制程工藝不斷進步,為了擴大容量逐步從早期的50nm發(fā)展到了現(xiàn)在的十幾納米等級,但隨著晶圓物理極限的不斷迫近,每個存儲單元變得非常小,存儲單元之間的干擾逐漸增強,可靠性越來越差,就需要廠商采取額外的手段來彌補這一缺陷。


但這樣做將明顯增加成本,所以到達某個物理極限之后繼續(xù)在納米級別提升制程工藝已經無法帶來改變。


3D NAND的設計理念因此被提出,簡而言之假設2D是平房,3D NAND就是高樓大廈。


廠商不用再費盡心思縮小房間大小、縮小房間的相隔距離去換取更大的房間數(shù)量了,而是通過增加蓋樓層數(shù)就可以獲得更大建筑面積,這幫助3D NAND在保護性能的基礎上使成本得到下降。


此外,因為NAND存放數(shù)據的最小單位——“Cell”中電子單元密度的差異,業(yè)界存在三種工藝類型,分別為SLC(單層存儲單元)、MLC(雙層存儲單元)、TLC(三層存儲單元),其中TLC因為容量最高、成本最低的特點,逐漸成為當下主流。


Max為此介紹到,3D TLC制程存放的電子數(shù)量相當于2D MLC制程在45nm階段存放的電子數(shù)量水平。這意味著雖然納米工藝發(fā)生一定的回退,但容量依然得到保證,并且采用老的納米制程將顯著提升閃存耐久度、可靠性余度,使性能得到總體提升。


可靠性余度是啥呢?


隨著納米等級的提升,存儲單元的可靠性將逐步降低,最后不同存儲單元的電子位幾近重疊,系統(tǒng)需要花費大量精力進行糾錯。3D NAND的出現(xiàn),將可靠性余度重新拉回56nm級別的水平,降低成本的同時又解決了電子干擾的問題。


總體來說,3D NAND的特點體現(xiàn)在高容量、可靠性強兩方面,在復雜數(shù)據中心、企業(yè)級SSD、物聯(lián)網大容量存儲等場景得到廣泛應用。


值得一提的是,3D并非是要取代2D,兩者未來將各盡其用,共同存在。


03

結  語


從PC時代、移動互聯(lián)網時代發(fā)展到物聯(lián)網時代,存儲都是極其重要的一項產業(yè)。


無論是熟知的磁帶、磁盤、閃存,或是略顯生僻的磁鼓存儲、磁芯存儲,再或是處于研究階段的DNA存儲,存儲介質發(fā)展演變的歷史可以說上長長的一段。


但在當下,閃存無疑是受到重點關注的產業(yè)之一,其從擅長的消費市場中延伸,逐步覆蓋到物聯(lián)網眾多細分領域的趨勢有增無減。


作為全球存儲領先廠商的西部數(shù)據公司,采用一體化IDM模式運營,集芯片設計、制造、封裝、測試、銷售等多個產業(yè)鏈環(huán)節(jié)于一身,充分發(fā)揮技術、生態(tài)與渠道優(yōu)勢,向客戶提供涵蓋消費級、企業(yè)級、云端數(shù)據中心等存儲解決方案,共謀5G物聯(lián)網時代新“紅利”。


注:本文僅對部分重點進行了整理,欲觀看直播全程視頻請點擊閱讀原文進行回看。


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