又一國產(chǎn)內(nèi)存拿下美國授權(quán)：最快2021年量產(chǎn)

2020年5月12日，業(yè)界領(lǐng)先的半導(dǎo)體器件供應(yīng)商兆易創(chuàng)新GigaDevice宣布，與領(lǐng)先的半導(dǎo)體IP供應(yīng)商Rambus Inc. 就RRAM (電阻式隨機(jī)存取存儲器) 技術(shù)簽署專利授權(quán)協(xié)議。

同時(shí)，兆易創(chuàng)新還與其同Rambus 以及幾家戰(zhàn)略投資伙伴的合資企業(yè)——合肥?？莆?Reliance Memory)簽署了授權(quán)協(xié)議 。根據(jù)協(xié)議內(nèi)容，兆易創(chuàng)新從Rambus和?？莆@得180多項(xiàng)RRAM技術(shù)相關(guān)專利和應(yīng)用，這將有助于兆易創(chuàng)新在新型存儲器RRAM 領(lǐng)域的前瞻性技術(shù)布局，從而為嵌入式產(chǎn)品提供更豐富的存儲解決方案。

RRAM作為一種非易失性隨機(jī)存儲方式，能夠在改變電壓的前提下，通過改變電介質(zhì)的電阻進(jìn)行存儲。RRAM擁有獨(dú)特物理與器件特性，可在工藝后端線(BEOL) 以列陣結(jié)構(gòu)制造，其列陣結(jié)構(gòu)的低電壓特性能夠有效降低MCU產(chǎn)品中嵌入式非易失性存儲解決方案的功耗，非常適合物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用; 此外，根據(jù)學(xué)術(shù)界與行業(yè)發(fā)表的相關(guān)文獻(xiàn)，在平衡性能、可靠性及成本的方面，RRAM有可能成為在DRAM和Flash之間一種可行的存儲級內(nèi)存(SCM)。

兆易創(chuàng)新是一家扎根中國，服務(wù)全球的國際化公司，兆易創(chuàng)新一直密切關(guān)注存儲領(lǐng)域的技術(shù)創(chuàng)新，積極進(jìn)行戰(zhàn)略布局，開拓具有差異化的細(xì)分市場。早在2018年5月，兆易創(chuàng)新就攜手Rambus以及其他全球知名半導(dǎo)體投資機(jī)構(gòu)創(chuàng)辦了以RRAM技術(shù)為核心業(yè)務(wù)的合資公司合肥?？莆ⅰ?/span>

兆易創(chuàng)新董事長朱一明先生表示：“兆易創(chuàng)新一直以創(chuàng)新為己任，多年來致力新技術(shù)革新，強(qiáng)化產(chǎn)品競爭力，重視核心專利， 此次獲得Rambus和?？莆⑨槍RAM技術(shù)的授權(quán)，有助于我們?yōu)榭蛻籼峁└邉?chuàng)新特色的存儲解決方案?！?/span>

Rambus技術(shù)合作和企業(yè)發(fā)展高級副總裁Kit Rodgers表示：“兆易創(chuàng)新在全球閃存領(lǐng)域已取得顯著的成績，我們很高興能夠?qū)RAM專利方案授權(quán)給兆易創(chuàng)新，此次授權(quán)能夠幫助其在存儲器領(lǐng)域開發(fā)創(chuàng)新型的解決方案，并加速其商用的進(jìn)程?！?/span>