長江存儲推出了全球首款基于Xtacking架構(gòu)的64層3D NAND閃存

2019年9月2日，中國武漢，紫光集團旗下長江存儲科技有限責任公司（以下簡稱“長江存儲”） 在IC China 2019前夕宣布，公司已開始量產(chǎn)基于Xtacking?架構(gòu)的64層256 Gb TLC 3D NAND閃存①，以滿足固態(tài)硬盤、嵌入式存儲等主流市場應(yīng)用需求。作為中國首款64層3D NAND閃存，該產(chǎn)品將亮相IC China 2019紫光集團展臺。

長江存儲64層3D NAND閃存晶圓

長江存儲64層3D NAND閃存是全球首款基于Xtacking?架構(gòu)設(shè)計并實現(xiàn)量產(chǎn)的閃存產(chǎn)品，擁有同代產(chǎn)品②中最高的存儲密度。Xtacking?可實現(xiàn)在兩片獨立的晶圓上分別加工外圍電路和存儲單元，這樣有利于選擇更先進的制造工藝。當兩片晶圓各自完工后，創(chuàng)新的Xtacking?技術(shù)只需一個處理步驟就可通過數(shù)十億根垂直互聯(lián)通道(VIA)將兩片晶圓鍵合。相比傳統(tǒng)3D NAND閃存架構(gòu)，Xtacking?可帶來更快的I/O傳輸速度、更高的存儲密度和更短的產(chǎn)品上市周期。

作為集成器件制造商(IDM - Integrated Device Manufacturer)，長江存儲致力于為全球客戶提供完整的存儲解決方案及服務(wù)，并計劃推出集成64層3D NAND閃存的固態(tài)硬盤、UFS等產(chǎn)品，以滿足數(shù)據(jù)中心，以及企業(yè)級服務(wù)器、個人電腦和移動設(shè)備制造商的需求。

長江存儲一貫重視核心技術(shù)的自主研發(fā)和創(chuàng)新，Xtacking?技術(shù)的研發(fā)成功和64層3D NAND閃存的批量生產(chǎn)標志著長江存儲已成功走出了一條高端芯片設(shè)計制造的創(chuàng)新之路。

今后，長江存儲仍將持續(xù)投入研發(fā)資源，以通過技術(shù)和產(chǎn)品的迭代，使每一代產(chǎn)品都具備強勁的市場競爭力，更好地滿足全球客戶的需求。

長江存儲聯(lián)席首席技術(shù)官、技術(shù)研發(fā)中心高級副總裁程衛(wèi)華表示：“通過將Xtacking?架構(gòu)引入批量生產(chǎn)，能夠顯著提升產(chǎn)品性能，縮短開發(fā)周期和生產(chǎn)制造周期，從而推動高速大容量存儲解決方案市場的快速發(fā)展?！背绦l(wèi)華還提到，“隨著5G，人工智能和超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心時代的到來，閃存市場的需求將持續(xù)增長。長江存儲64層3D NAND閃存產(chǎn)品的量產(chǎn)將為全球存儲器市場健康發(fā)展注入新動力。” ③

長江存儲核心廠區(qū)近況

注：

①每顆裸芯片的存儲容量為256千兆字位，每個存儲單元為三個字位的三維閃存。

②特指截止目前業(yè)界已上市的64/72層3D NAND 閃存。

③長江存儲、YMTC，YM圖形徽標和Xtacking是長江存儲科技有限責任公司或其分子公司在中國和/或其他國家/地區(qū)的商標。