中芯國際回復(fù)科創(chuàng)板首輪問詢:解答28nm、14nm 產(chǎn)品具體情況
6月7日晚,中芯國際對(duì)科創(chuàng)板首輪問詢做出了回復(fù),共涉及了六大問題,涵蓋了發(fā)行人股權(quán)結(jié)構(gòu)、業(yè)務(wù)、核心技術(shù)等事項(xiàng),合計(jì) 29 個(gè)小問。
招股說明書披露,中芯國際作為中國大陸技術(shù)最先進(jìn)、規(guī)模最大、配套服務(wù)最完善、跨國經(jīng)營的專業(yè)晶圓代工企業(yè),2019 年第一代 14nmFinFET 技術(shù)已進(jìn)入量產(chǎn)階段,但是晚于臺(tái)積電、格羅方德、聯(lián)華電子等競爭對(duì)手的量產(chǎn)時(shí)間,第二代 FinFET 技術(shù)平臺(tái)已進(jìn)入客戶導(dǎo)入階段;公司募集資金投資項(xiàng)目 12 英寸 SN1 項(xiàng)目工藝技術(shù)水平為 14nm 及以下,面對(duì)激增的下游市場需求,公司現(xiàn)有產(chǎn)能呈現(xiàn)出需求巨大與供給不足的局面。
值得注意的是,中芯國際于 6 月 4 日接受首輪問詢,這意味著其僅用 4 天就交出了問詢答卷,創(chuàng)造了科創(chuàng)板審核問詢最快回復(fù)紀(jì)錄。
中芯國際與同行業(yè)可比公司在關(guān)鍵技術(shù)節(jié)點(diǎn)的量產(chǎn)時(shí)間如下:
中芯國際還表示,28 納米制程技術(shù)主要服務(wù)于手機(jī) SOC 芯片、IoT、數(shù)字電視等領(lǐng)域的終端客戶,14 納米制程集成電路晶圓代工業(yè)務(wù)主要服務(wù)于手機(jī)應(yīng)用處理器等領(lǐng)域的終端客戶。目前全球范圍內(nèi)有技術(shù)能力提供 14 納米技術(shù)節(jié)點(diǎn)的純晶圓代工廠有 4 家,而目前有實(shí)際營收的純晶圓代工廠僅剩 3 家。兩類制程技術(shù)目前占全球市場的份額相對(duì)較小。
對(duì)上交所提問的兩類產(chǎn)品毛利率情況,中芯國際表示目前 14 納米制程技術(shù)處于產(chǎn)能和產(chǎn)量穩(wěn)步爬升階段,報(bào)告期內(nèi),該產(chǎn)品毛利率為正。14 納米制程的晶圓代工自 2019 年四季度開始量產(chǎn),已建設(shè)月產(chǎn)能 6000 片,而由于該技術(shù)承載主體中芯南方 SN1 產(chǎn)線仍處于開辦期,尚未開始折舊,當(dāng)期相關(guān)運(yùn)營及財(cái)務(wù)數(shù)據(jù)參考度較低。
而 28 納米產(chǎn)品毛利率為負(fù),主要原因包括行業(yè)供求關(guān)系影響下,全球 28 納米制程市場出現(xiàn)產(chǎn)能過剩,價(jià)格相較于 2017 年均價(jià)有所下滑,且相關(guān)的產(chǎn)線仍面臨較高的折舊壓力。
中芯國際對(duì)此作出風(fēng)險(xiǎn)提示,表示隨著 28 納米、14 納米及下一代制程的產(chǎn)線投產(chǎn)、擴(kuò)產(chǎn),一定時(shí)期內(nèi)會(huì)面臨較大的折舊壓力,使得整體毛利率存在波動(dòng)的風(fēng)險(xiǎn),對(duì)公司的利潤水平將產(chǎn)生一定的影響。
在研發(fā)費(fèi)用投入方面,一季度,公司首席執(zhí)行官趙海軍表示將大幅上調(diào) 11 億美元資本開支增加至 43 億美元,以充分滿足市場需求。根據(jù)此前規(guī)劃,中芯國際 14nm 及后續(xù)工藝預(yù)計(jì)在 3 月和 7 月分別擴(kuò)產(chǎn)至 4000 片 / 月和 9000 片 / 月。預(yù)計(jì) 2020 年年底將擴(kuò)展至 1.5 萬片 / 月。
本次中芯國際募資金額約 40% 資金用于 12 英寸芯片 SN1 項(xiàng)目,約 20% 用作為本公司先進(jìn)及成熟工藝研發(fā)項(xiàng)目的儲(chǔ)備資金,剩余約 40% 作為補(bǔ)充流動(dòng)資金。此次中芯國際擬發(fā)行的股份,不涉及現(xiàn)有股份的轉(zhuǎn)換。
中芯國際表示,目前,中國大陸尚無企業(yè)具備 14 納米以下先進(jìn)工藝的量產(chǎn)能力。公司作為中國大陸第一家實(shí)現(xiàn) 14 納米量產(chǎn)的集成電路晶圓代工企業(yè),具備 14 納米以下先進(jìn)工藝研發(fā)所需要的技術(shù)基礎(chǔ)與資金實(shí)力。與第一代 FinFET 技術(shù)中的 14nm 相比較,公司預(yù)計(jì)第二代 FinFET 技術(shù)有望在性能上提高約 20%,功耗降低約 60%。14 納米及以下先進(jìn)工藝主要應(yīng)用于 5G、人工智能、智能駕駛、高速運(yùn)算等新興領(lǐng)域,未來發(fā)展前景廣闊。