長(zhǎng)鑫LPDDR5內(nèi)存定了：2-3年內(nèi)攻堅(jiān)成功、17nm以下工藝

合肥長(zhǎng)鑫公司去年9月份宣布量產(chǎn)國(guó)內(nèi)DDR4內(nèi)存芯片，總投資1500億的國(guó)內(nèi)內(nèi)存項(xiàng)目終于開(kāi)花結(jié)果了。今年以來(lái)有多款基于長(zhǎng)鑫DDR4的國(guó)產(chǎn)內(nèi)存上市，現(xiàn)在下一步目標(biāo)也定了，預(yù)計(jì)2-3年內(nèi)搞定LPDDR5，工藝升級(jí)到17nm以下。

合肥長(zhǎng)鑫所在地的安徽省日前發(fā)布了《重點(diǎn)領(lǐng)域補(bǔ)短板產(chǎn)品和關(guān)鍵技術(shù)攻關(guān)任務(wù)揭榜工作方案》文件，該方案要求通過(guò)2-3年時(shí)間，重點(diǎn)突破一批制約產(chǎn)業(yè)發(fā)展的關(guān)鍵技術(shù)，培育一批優(yōu)勢(shì)產(chǎn)品，做強(qiáng)一批優(yōu)勢(shì)企業(yè)，不斷提高制造業(yè)自主可控水平，促進(jìn)制造業(yè)高質(zhì)量發(fā)展。

在內(nèi)存方面，文件要求推進(jìn)低功耗高速率LPDDR5 DRAM產(chǎn)品開(kāi)發(fā)，要面向中高端移動(dòng)、平板及消費(fèi)類產(chǎn)品DRAM存儲(chǔ)芯片自主可控需求，研發(fā)先進(jìn)低功耗高速率LPDDR5 產(chǎn)品并實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化，依托DRAM 17nm及以下工藝，攻關(guān)高速接口技術(shù)、Bank Group架構(gòu)設(shè)計(jì)技術(shù)、低功耗電源（電壓）技術(shù)、片內(nèi)糾錯(cuò)編碼（On-Die ECC）技術(shù)，完成低功耗高速率LPDDR5 DRAM產(chǎn)品開(kāi)發(fā)。

安徽的這個(gè)文件可以說(shuō)是該省內(nèi)信息技術(shù)產(chǎn)業(yè)發(fā)展的一個(gè)大綱，希望2-3年內(nèi)解決一些關(guān)鍵技術(shù)瓶頸，實(shí)際上合肥長(zhǎng)鑫此前也公布過(guò)類似的技術(shù)路線圖，他們?nèi)ツ炅慨a(chǎn)的內(nèi)存還是第一代10nm級(jí)工藝10G1，相當(dāng)于19nm工藝的DDR4技術(shù)，包括桌面級(jí)DDR4、LPDDR4等等。

長(zhǎng)鑫已經(jīng)在規(guī)劃后續(xù)的內(nèi)存新品及工藝了，預(yù)計(jì)還會(huì)有10G3、10G5工藝，目前具體水平不確定，大概率會(huì)是1X、1Y、1Znm工藝的演進(jìn)，相當(dāng)于16-19、14-16、12-14nm的水平，具體看長(zhǎng)鑫的能力。

至于國(guó)產(chǎn)LPDDR5的問(wèn)世時(shí)間，官方2-3年肯定是留出足夠空間的，實(shí)際完成的時(shí)間應(yīng)該會(huì)比這個(gè)短，類似長(zhǎng)江存儲(chǔ)的國(guó)產(chǎn)閃存那樣，只要解決了第一代，后面的迭代升級(jí)會(huì)加快速度。